美光发布176层3D NAND闪存
存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能。
据了解，176层3D NAND闪存是美光第二代替换闸（Replacement Gate）架构，是目前全球技术最为先进的NAND节点，相较于前代3D NAND相比，美光176层3D NAND闪存在读取及写入延迟方面提升35%。
美光176层闪存其实是基于两个88层叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb（64GB），当然后期很可能会加入QLC。
据悉，美光176层3D NAND闪存可提供更好的服务质量，可加速数据密集环境和工作负载，例如数据库、人工智能引擎以及大数据分析等。
得益于新的闪存架构和堆叠技术，美光将176层闪存的厚度控制在45微米，基本上与早期的64层浮动栅极3D NAND相当，所以，即使在一颗芯片内封装16个Die，做到1TB的单颗容量，厚度也不会超过1.5毫米，可以轻松放入智能手机、存储卡。
责任编辑：haq
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
智能手机
+关注
关注
66文章
18707浏览量
186384 -
闪存
+关注
关注
16文章
1921浏览量
117501 -
边缘计算
+关注
关注
22文章
3571浏览量
53772
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
英伦科技光场裸眼3D笔记本重磅上新！解锁光场技术无“镜”3D新体验！
期待已久的英伦科技光场裸眼3D笔记本终于上新了！ 这款集结多项黑科技的硬核产品，直接把3D显示体验拉到了天花板，不管是专业工作还是娱乐放松，都能给你带来前所未有的沉浸感。
3D NAND中的Channel Hole工艺介绍
Channel Hole（沟道通孔）是3D NAND闪存制造中的核心工艺步骤。它是指在垂直堆叠的多层栅极或介质层中，刻蚀出贯穿整个堆叠结构的细长通孔。这些通孔从顶层延伸至底层，垂直于晶
美能光伏亮相钙钛矿与叠层电池产业融合发展论坛
2026年3月18日-19日，钙钛矿与叠层电池产业融合发展论坛在浙江杭州隆重举行。本届论坛以“稳效协同”与“合纵共建”为核心主题，围绕钙钛矿与叠层电池技术、柔性&弱光创新与应用、太空光
光庭信息与Epic Games在CES 2026发布3D HMI开发平台UEA 2.0
在CES 2026上，光庭信息与战略合作伙伴 Epic Games 打造的UEA 2.0（UE for Automotive 2.0）正式发布。UEA 2.0是基于Unreal Engine深度定制，凝聚光庭信息在汽车软件领域二十余年的量产经验，专为智能座舱打造的
奥比中光领跑韩国机器人3D视觉市场
近日，国际权威行业研究机构Interact Analysis发布《韩国商用及工业移动机器人3D视觉市场分析》报告（以下简称“报告”）。数据显示，奥比中光在韩国商用和工业移动机器人3D视觉市场中排名第一，市场份额达到约72%。
奥比中光旗下新拓三维发布两款3D扫描双旗舰新品
近日，奥比中光子公司新拓三维发布两款3D扫描双旗舰新品——微米级精度蓝光三维扫描仪XTOM-MATRIX 12M，以及自动化检测中心XTOM-STATION，以“高精度、高效率、自动化检测”三大技术特点，为汽车工业、3C电子等高
奥比中光发布最新一代3D激光雷达及双目深度相机
近日，世界机器人大会现场，奥比中光发布最新一代3D激光雷达及双目深度相机，以“场景拓展”与“极限感知”为核心优势，进阶全领域能力矩阵，刷新机器人性能上限，为各类机器人带来更灵活可靠的视觉解决方案。
实锤！美光中国区业务调整！官方停止移动NAND开发
业务调整或为美光在华业务持续收缩的重要信号。 针对“美光近日中国区业务调整”一事，美光正式回应表示： 鉴于移动
美光宣布：停止移动 NAND开发，包括终止UFS5开发
针对“美光近日中国区业务调整”一事，美光正式回应CFM闪存市场： 鉴于移动 NAND 产品在市场
SK海力士321层4D NAND的诞生
SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）”，不仅在DRAM领域持续创新，在NAND闪存（NAND Flash，以下简称N
什么是Flash闪存以及STM32使用NAND Flash
NAND
文章目录
NAND
一、FLASH闪存是什么？
二、SD NAND Flash
三、STM32例程
一、FLASH闪存是什么？
简
发表于 07-03 14:33
TechWiz LCD 3D应用：局部液晶配向
，并增加Condition层
此层为局部摩擦的层，所以要注意区域的设置；
设置完成后要生成mesh文件
2.2在TechWiz LCD 3D软件中将Local Mask的顶部以及底部
发表于 06-16 08:46
SK海力士UFS 4.1来了，基于321层1Tb TLC 4D NAND闪存
电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品
评论