电子发烧友网报道（文/梁浩斌）半导体制程在近几年摩尔定律失效的声音中依然高歌猛进，最近韩国半导体工程师学会ISE在2026半导体技术路线图中，预测了未来15年的半导体工艺演进路径，表示2040年将
2026-01-03 05:58:00
3970 吉时利6487皮安表主要特点及优点： 1）10fA 分辨率； 2）吉时利6487皮安表/电压源具有5位半读数； 3）输入端压降
2026-01-02 15:21:57
在半导体制造迈向先进制程的今天，湿法清洗技术作为保障芯片良率的核心环节，其重要性愈发凸显。RCA湿法清洗设备凭借其成熟的工艺体系与高洁净度表现，已成为全球半导体厂商的首选方案。本文将从设备工艺
2025-12-24 10:39:08135 在半导体材料表征、光电探测器测试、高绝缘材料评估及静电测量领域，对皮安（pA）至微安（μA）级别的微弱直流电流进行精确测量是核心挑战。 吉时利（Keithley，现为是德科技旗下品牌）6487皮安表
2025-12-24 09:43:55143 
晶圆去胶后的清洗与干燥工艺是半导体制造中保障良率和可靠性的核心环节，需结合化学、物理及先进材料技术实现纳米级洁净度。以下是当前主流的工艺流程：一、清洗工艺多阶段化学清洗SC-1溶液（NH₄OH+H
2025-12-23 10:22:11134 
） W6Mo5Cr4V2（M2） 9Cr18Mo Cr4Mo4V 热加工工艺 锻造工艺 加热规范 始锻温度：1100-1150°C 终锻温度：850-900°C 保温时间：按厚度计算，每25mm保温1
2025-12-21 15:21:11953 
与工艺调控。下文，光子湾科技将详解基于共聚焦显微镜（CLSM）的原位多模态表征与激光还原集成方法。#Photonixbay.氧化石墨烯（GO）薄片的多模态共聚焦成
2025-12-16 18:03:53199 
外延片氧化清洗流程是半导体制造中的关键环节，旨在去除表面污染物并为后续工艺（如氧化层生长）提供洁净基底。以下是基于行业实践和技术资料的流程解析：一、预处理阶段初步清洗目的：去除外延片表面的大颗粒尘埃
2025-12-08 11:24:01236 
。 一、沉金工艺的“金”从何而来？ 答案：是黄金，但比你想象的更薄！ 沉金工艺全称 “化学镀镍浸金”（ENIG），其核心是在 PCB 表面沉积一层极薄的金属层，具体分 为两步： 化学镀镍：在铜焊盘上覆盖一层 5-8 微米的镍层，防止铜氧化； 浸
2025-12-04 16:18:24856 与设备运行等多因素共同作用的结果。想要有效控制锡渣，首先需要读懂它的产生机理。 锡渣的本质是锡合金的氧化产物，喷锡工艺中使用的锡铅合金或无铅锡合金（如 Sn-Cu、Sn-Ag-Cu），其主要成分锡是一种化学活性较强的金属。当熔融状态
2025-11-24 14:03:37235 12寸晶圆（直径300mm）的制造工艺是一个高度复杂且精密的过程，涉及材料科学、半导体物理和先进设备技术的结合。以下是其核心工艺流程及关键技术要点： 一、单晶硅生长与晶圆成型 高纯度多晶硅提纯 原料
2025-11-17 11:50:20328 大家好！叠层固态电容工艺相比传统的电容工艺，在响应速度上具体快在哪里？
2025-11-15 10:03:31
在移动设备与移动网络高速发展的背景下，用户对设备续航与充电效率的需求持续提升，这直接推动了快充技术成为当前消费电子领域的重要发展方向。在此趋势下，传统 USB 充电方案正逐步向新一代快充方案迭代
2025-11-03 09:28:36
选择适合特定制程节点的清洗工艺是一个综合性决策过程，需结合半导体制造中的材料特性、污染物类型、设备兼容性及良率要求等因素动态调整。以下是关键考量维度和实施策略： 一、明确工艺目标与核心需求 识别主要
2025-10-22 14:47:39256 陶瓷管壳制造工艺中的缺陷主要源于材料特性和工艺控制的复杂性。在原材料阶段，氧化铝或氮化铝粉体的粒径分布不均会导致烧结体密度差异，形成显微裂纹或孔隙；而金属化层与陶瓷基体的热膨胀系数失配，则会在高温循环中引发界面剥离。
2025-10-13 15:29:54722 
SC-1和SC-2可以一起使用，但需遵循特定的顺序和工艺条件。以下是其协同应用的具体说明：分步实施的逻辑基础SC-1的核心作用：由氨水（NH₄OH）、过氧化氢（H₂O₂）和水组成，主要去除硅片表面
2025-10-13 10:57:04606 
半导体金属腐蚀工艺是集成电路制造中的关键环节，涉及精密的材料去除与表面改性技术。以下是该工艺的核心要点及其实现方式：一、基础原理与化学反应体系金属腐蚀本质上是一种受控的氧化还原反应过程。常用酸性溶液
2025-09-25 13:59:25951 
湿法去胶工艺中出现化学残留的原因复杂多样，涉及化学反应、工艺参数、设备性能及材料特性等多方面因素。以下是具体分析：化学反应不完全或副产物生成溶剂选择不当：若使用的化学试剂与光刻胶成分不匹配（如碱性
2025-09-23 11:10:12497 
在现代电子设备中，插件铝电解电容因其大容量、低成本等优势，广泛应用于电源滤波、信号耦合等场景。然而，这类电容的金属引脚若处理不当，极易因环境湿气、污染物等发生氧化腐蚀，导致焊接不良、接触电阻增大甚至
2025-09-19 16:25:501074 
优化碳化硅（SiC）清洗工艺需要综合考虑材料特性、污染物类型及设备兼容性，以下是系统性的技术路径和实施策略：1.精准匹配化学配方与反应动力学选择性蚀刻控制：针对SiC表面常见的氧化层（SiO
2025-09-08 13:14:28621 
集成电路采用LOCOS（Local Oxidation of Silicon）工艺时会出现“鸟喙效应”（bird beak），这是一种在氧化硅生长过程中，由于氧化物侧向扩展引起的现象。
2025-09-08 09:42:27913 
随着消费电子产品向着更轻薄、更智能、一体化和高性能化的方向发展，传统加工技术已难以满足其日益精密的制造需求。激光蚀刻技术，特别是先进的皮秒激光蚀刻，以其非接触、高精度、高灵活性和“冷加工”等优势
2025-08-27 15:21:50891 
电子行业的精密工艺把控正迎来 AI 协同设备管理系统带来的变革。从工艺设计、设备运行监控、质量检测到设备维护，AI 技术贯穿始终，让精密工艺的把控更加精准。
2025-08-27 10:10:56527 
吉时利Keithley6487皮安表
吉时利6487皮安表 主要特点及优点：
·10fA 分辨率
·吉时利6487皮安表/电压源具有5位半读数
·输入端压降 <200μV
·交互式电压
2025-08-26 17:45:02
在底部填充胶工艺中，设备的选择直接影响填充效果、生产效率和产品可靠性。以下是关键设备及其作用，涵盖从基板处理到固化检测的全流程：汉思新材料：底部填充胶工艺中需要什么设备一、基板预处理设备等离子清洗机
2025-08-15 15:17:581324 
晶圆清洗工艺是半导体制造中的关键步骤，用于去除晶圆表面的污染物（如颗粒、有机物、金属离子和氧化物），确保后续工艺（如光刻、沉积、刻蚀）的良率和器件性能。根据清洗介质、工艺原理和设备类型的不同，晶圆
2025-07-23 14:32:161368 
FOPLP 技术目前仍面临诸多挑战，包括：芯片偏移、面板翘曲、RDL工艺能力、配套设备和材料、市场应用等方面。
2025-07-21 10:19:201279 
智能工厂需要设备联网数据采集，主要基于以下几个核心原因，具体分析如下： 1. 实现设备运行状态的实时监控 单机运行的局限性 ：传统设备单机运行，缺乏联网功能，导致无法实时掌握设备状态（如温度、压力
2025-07-18 10:13:06396 随着工业制造和表面处理技术的快速发展，阳极氧化线作为一种高效、环保的表面处理工艺，正逐渐成为金属制品加工的重要环节。据统计，全球阳极氧化市场预计年增长率达7%以上，尤其是在航空航天、汽车及电子产品
2025-07-14 16:37:20646 
一.经皮神经电刺激TENS（机理）经皮神经电刺激（TranscutaneousElectricalNerveStimulation,TENS）是一种通过皮肤电极向浅表神经施加可控低强度脉冲电流的非
2025-07-11 22:12:102125 
MOSFET的参数性能是选型的关键，而决定其性能的是关键工艺参数调控。作为国家级高新技术企业，合科泰深入平面与沟槽等工艺的协同，致力于在氧化层厚度、沟道长度和掺杂浓度等核心参数上突破。如今，合科泰的MOS管被广泛地应用在汽车电子、消费电子当中。
2025-07-10 17:34:34543 
氧化锌避雷器是现代电力系统中广泛应用的关键过电压保护设备，其核心是氧化锌（ZnO）电阻片。其工作原理和优势特点如下： 工作原理 1. 非线性伏安特性：氧化锌电阻片的核心在于其独特的高度非线性伏安
2025-07-10 16:37:311531 在PCB（印刷电路板）制造过程中，铜箔因长期暴露在空气中极易氧化，这会严重影响PCB的可焊性与电性能。因此，表面处理工艺在PCB生产中扮演着至关重要的角色。下面将详细介绍几种常见的PCB表面处理工艺
2025-07-09 15:09:49996 
在集成电路生产过程中，晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀现象是一个常见但复杂的问题。每个环节都有可能成为晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀的诱因，因此需要在生产中严格控制每个工艺参数，尤其是对边缘区域的处理，以减少这种现象的发生。
2025-07-09 09:43:08759 金属氧化物半导体（CMOS）、双扩散金属氧化物半导体（DMOS）三种器件集成在同一芯片上。结合双极晶体管的高驱动能力、CMOS的高集成度与低功耗，以及DMOS的高压大电流特性，能够降低芯片面积，提高性能。 BCD工艺由意法半导体于1985年首次推出，当时的工艺节点为4微米，电压能力
2025-07-05 00:06:009031 锡膏在晶圆级封装中易遇印刷桥连 空洞、回流焊焊点失控、氧化、设备精度不足等问题。解决问题需平衡工艺参数，同时设备也需要做精细调准。
2025-07-03 09:35:00832 
印刷（用电铸钢网等，精度达超细间距）和回流焊工艺，设备需精准控温与印刷参数。锡膏配合工艺设备，支撑高质量封装，推动芯片小型化与高性能发展。
2025-07-02 11:53:58946 
在材料科学的研究与应用中，氧化诱导期测试仪正发挥着日益重要的作用。它主要用于测定聚合物材料的氧化诱导期，以此精准评估材料的抗氧化性能，是材料性能研究中不可或缺的设备。上海和晟HS-DSC-101
2025-07-02 09:58:29343 
半导体湿法清洗是芯片制造过程中的关键工序，用于去除晶圆表面的污染物（如颗粒、有机物、金属离子、氧化物等），确保后续工艺的良率与稳定性。随着芯片制程向更小尺寸（如28nm以下）发展，湿法清洗设备
2025-06-25 10:21:37
吉时利6487皮安表是一款高精度、高性能的电流测量设备，专为低电流（20fA-20mA）和高电阻（10Ω-1PΩ）测量设计。
2025-06-24 16:41:52665 
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是两种在CMOS工艺中广泛使用的介电层薄膜。
2025-06-24 09:15:231746 
的工艺应用。 激光焊接技术在焊接空调阀的工艺应用优势： 1.精准热控制与低变形， 激光焊接通过微米级光斑实现局部能量聚焦，显著降低热影响区范围，尤其适用于铜铝异种材料的连接，避免传统焊接中因高温导致的材料氧化或
2025-06-23 14:32:49507 
经皮脊髓电刺激（transcutaneousspinalcordstimulation,tSCS）经皮脊髓电刺激是一种通过皮肤表面电极向脊髓背根传递低频脉冲电流、实现神经调控的非侵入性技术。其核心
2025-06-17 19:21:044631 预清洗机（Pre-Cleaning System）是半导体制造前道工艺中的关键设备，用于在光刻、蚀刻、薄膜沉积等核心制程前，对晶圆、掩膜板、玻璃基板等精密部件进行表面污染物（颗粒、有机物、金属残留等
2025-06-17 13:27:16
的氧元素都会干扰检测结果的判定，因此判定氧化发黑的结论需要使用SEM、EDS、显微红外光谱、XPS等专业检测以及光、电、化学、环境老化等一系列可靠性对比实验，结合专
2025-06-13 10:40:241335 
在集成电路制造工艺中，氧化工艺也是很关键的一环。通过在硅晶圆表面形成二氧化硅(SiO₂)薄膜，不仅可以实现对硅表面的保护和钝化，还能为后续的掺杂、绝缘、隔离等工艺提供基础支撑。本文将对氧化工艺进行简单的阐述。
2025-06-12 10:23:222134 
ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半导体制造中的一种高温氧化工艺，核心原理是利用氢气(H₂)与氧气(O₂)在反应腔内直接合成高活性水蒸气，并解离生成原子氧(O*)，实现对硅表面的精准氧化。
2025-06-07 09:23:294587 
SPM清洗设备（硫酸-过氧化氢混合液清洗系统）是半导体制造中关键的湿法清洗设备，专为去除晶圆表面的有机物、金属污染及残留物而设计。其核心优势在于强氧化性、高效清洁与工艺兼容性，广泛应用于先进制程（如
2025-06-06 15:04:41
陶瓷基板（如Al₂O₃、AlN、LTCC/HTCC）硬度高、脆性大，使其加工难度极高。传统机械加工易产生崩边、微裂纹。皮秒激光以其微米级切割精度和快速生产能力，不仅提升了电子产品的质量，还促进了行业的可持续发展。
2025-06-04 14:34:28872 
在材料科学与工程领域，氧化诱导期测试仪是一款至关重要的设备，它如同一位严谨的“卫士”，守护着材料的质量与稳定性。上海和晟HS-DSC-101氧化诱导期测试仪氧化诱导期，简单来说，就是材料在特定的高温
2025-06-03 09:49:20447 
半导体硅作为现代电子工业的核心材料，其表面性质对器件性能有着决定性影响。表面氧化处理作为半导体制造工艺中的关键环节，通过在硅表面形成高质量的二氧化硅（SiO₂）层，显著改善了硅材料的电学、化学和物理
2025-05-30 11:09:301781 
测试）。
此流程注意事项：
1、沉锡的拼板PNL尺寸就有严格的要求， 不能超出最大的设备能力要求尺寸 。
2、此流程外形加工时 需要采用盖板 ，防止划伤锡面。
3、外层无阻焊不能采用此制作工艺。
在此
2025-05-28 10:57:42
互补金属氧化物半导体（CMOS）技术是现代集成电路设计的核心，它利用了N型和P型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的互补特性来实现低功耗的电子设备。CMOS工艺的发展不仅推动了电子设备的微型化，还极大提高了计算能力和效率。
2025-05-23 16:30:422388 氧化锆氧传感器并不测量氧浓度的%，而是测量气体或气体混合物中氧气的分压。氧化锆氧传感器传感器的核心采用了一种经过充分验证的小型二氧化锆基元素，由于其创新的设计，不需要参考气体。这消除了传感器可以在
2025-05-19 13:24:05978 
SMT锡膏工艺与红胶工艺是电子制造中两种关键工艺，主要区别在于材料特性、工艺目的及适用场景。以下是详细解析：
2025-05-09 09:15:371245 
验证的通用方法。WLR技术的核心目标与应用场景
本质目标：评估工艺稳健性，削弱本征磨损机理（如电迁移、氧化层击穿），降低量产风险，并为工艺优化提供早期预警。
应用场景：新工艺或新技术开发阶段，快速识别
2025-05-07 20:34:21
在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。泰克中国区技术总监张欣与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。
2025-04-29 11:13:001029 半导体清洗SC1是一种基于氨水（NH₄OH）、过氧化氢（H₂O₂）和去离子水（H₂O）的化学清洗工艺，主要用于去除硅片表面的有机物、颗粒污染物及部分金属杂质。以下是其技术原理、配方配比、工艺特点
2025-04-28 17:22:334234 刻蚀工艺的核心机理与重要性 刻蚀工艺是半导体图案化过程中的关键环节，与光刻机和薄膜沉积设备并称为半导体制造的三大核心设备。刻蚀的主要作用是将光刻胶上的图形转移到功能膜层，具体而言，是通过物理及化学
2025-04-27 10:42:452200 
IBC太阳能电池因其背面全电极设计，可消除前表面金属遮挡损失，成为硅基光伏技术的效率标杆。然而，传统图案化技术（如光刻、激光烧蚀）存在工艺复杂或硅基损伤等问题。本研究创新性地结合激光掺杂与湿法氧化
2025-04-23 09:03:43722 
第9章 集成电路制造工艺概况 第10章 氧化 第11章 淀积 第12章 金属化 第13章 光刻：气相成底膜到软烘 第14章 光刻：对准和曝光 第15章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 第16章
2025-04-15 13:52:11
二氧化硅是芯片制造中最基础且关键的绝缘材料。本文介绍其常见沉积方法与应用场景，解析SiO₂在栅极氧化、侧墙注入、STI隔离等核心工艺中的重要作用。
2025-04-10 14:36:414404 
本文深入解析了焊盘起皮的成因、机制及其与工艺参数之间的关系，结合微观形貌图和仿真分析，系统探讨了劈刀状态、超声参数、滑移行为等关键因素的影响，并提出了优化建议，为提高芯片封装质量和可靠性提供了重要参考。
2025-04-09 16:15:351533 
过程中用于帮助去除氧化物、增加焊料润湿性和流动性的化学物质。在波峰焊接中，使用适当的助焊剂可以改善焊接质量。
6、工艺参数
波峰焊机的工艺参数包括带速、预热时间、焊接时间和倾角等，这些参数需要相互协调和调整
2025-04-09 14:44:46
在电子元件领域，贴片电阻凭借其小型化、高精度等优势，广泛应用于各类电子设备中。其中，厚膜工艺与薄膜工艺是制造贴片电阻的两种主要技术，二者在多个方面存在显著差异。 从制造工艺来看，厚膜电阻一般采用丝网
2025-04-07 15:08:001059 
的氢氧化钙化验设备就是检测氢氧化钙的功能之一——正压氧气呼吸器的关键吸收剂，通过判断呼吸剂质量的优劣与变质程度判断当前被测设备是否能够正常工作，能否符合救援队伍在抢
2025-04-01 16:38:25507 
，氧化炉，研磨抛光设备，清洗设备，检测，测量设备。BCD工艺:Bipolar,CMOS,DMOS特征尺寸: 晶体管栅宽度 各类工艺平台:逻辑工艺平台，数模混合工艺平台，高压工艺平台，非易事存储器工艺平台
2025-03-27 16:38:20
在我用photodiode工具选型I/V放大电路的时候，系统给我推荐了AD8655用于I/V，此芯片为CMOS工艺
但是查阅资料很多都是用FET工艺的芯片，所以请教下用于光电信号放大转换（主要考虑信噪比和带宽）一般我们用哪种工艺的芯片，
CMOS,Bipolar，FET这三种工艺的优缺点是什么？
2025-03-25 06:23:13
在PCB制造领域，铜箔如同电子设备的"血管"，承担着电流传输的重要使命。而抗氧化铜箔则是这条生命线的守护者，确保电路在复杂环境中保持稳定可靠。那就来跟着捷多邦小编一起认识这个守护电路的生命线的抗氧化
2025-03-10 15:05:23641 需要以皮秒（1皮秒=1万亿分之一秒）为单位精准控制启停。一旦信号波形出现细微畸变，轻则引发数据有误码，重则导致系统宕机——这就是高速信号完整性（SignalInte
2025-02-24 17:52:111801 
图1 皮秒激光器同步示意图 近期，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室在皮秒激光器精密光同步研究方面取得新进展。研究团队基于自主建设的时间同步系统实现了皮秒激光器阿秒级同步
2025-02-24 06:23:14738 
Hello,大家好，我们来分享下先进封装中TSV需要的相关设备。
2025-02-19 16:39:241945 
在牙科修复领域，氧化锆材料因其高硬度、优异的生物相容性和美观性，已成为义齿加工的首选材料之一。然而，氧化锆的高硬度也带来了加工难度，传统设备往往难以满足其高精度和高效率的加工需求。德国
2025-02-18 08:58:52863 
电子发烧友网综合报道 最近氧化镓领域又有了新的进展。今年1月，镓仁半导体宣布基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶的导电型掺杂。本次
2025-02-17 09:13:241340 VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂 2025年1月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶
2025-02-14 10:52:40900 
背金工艺是什么？ 背金，又叫做背面金属化。晶圆经过减薄后，用PVD的方法（溅射和蒸镀）在晶圆的背面镀上金属。 背金的金属组成？ 一般有三层金属。一层是黏附层，一层是阻挡层，一层是防氧化层。 黏附层
2025-02-10 12:31:412835 
氧化石墨烯（GO）是一类重要的石墨烯材料，具有多种不同于石墨烯的独特性质，是目前应用最为广泛的二维材料，在热管理、复合材料等领域已实现工业化应用，在物质分离、生物医药等领域也表现出良好的应用前景
2025-02-09 16:55:121088 
半导体设备钢结构防震基座的安装工艺主要包括以下几个步骤：测量和定位：首先需要测量和确定安装位置，确保支架的具体尺寸和位置符合设计要求。材料准备：根据测量结果准备所需的材料，包括支架、螺栓
2025-02-05 16:48:521046 
在半导体制造过程中，半导体设备的运行稳定性对产品质量和生产效率起着决定性作用。由于半导体制造工艺精度极高，设备极易受到外界振动的干扰，因此选择合适的防震基座至关重要。不同类型的防震基座具备不同的特性和适用场景，准确判断设备需求，才能为其提供有效的振动防护。
2025-01-26 15:10:36892 
在材料科学的研究中，氧化诱导期测试仪是一种不可或缺的设备。它主要用于测定聚合物材料的氧化诱导期，以此来评估材料的抗氧化性能。氧化诱导期测试仪的工作原理基于差示扫描量热法（DSC）。在测试过程中，将
2025-01-24 10:19:11807 采用氧化局限技术制作面射型雷射元件最关键的差异在于磊晶成长时就必须在活性层附近成长铝含量莫耳分率高于95%的砷化铝镓层，依据众多研究团队经验显示，最佳的铝含量比例为98%，主要原因在于这个比例的氧化
2025-01-23 11:02:331085 
在现代电信中，室外通信机柜对于容纳和保护保持网络连接的关键设备至关重要。室外通信机柜通常容纳有源和无源设备，并保护其免受故意破坏和极端天气条件的影响。户外通信机柜的制造工艺虽然这些橱柜看起来结构简单
2025-01-13 10:49:55992 
氧化锌避雷器在电力系统中起着关键的过电压保护作用。其核心元件氧化锌阀片具有独特的非线性电阻特性。 在正常工作电压下，氧化锌阀片呈现高电阻状态，避雷器如同开路，仅有极其微小的泄漏电流通过，系统正常运行
2025-01-08 15:41:111006 可能来源于前道工序或环境。通常采用超声波清洗、机械刷洗等物理方法，结合化学溶液（如酸性过氧化氢溶液）进行清洗。 刻蚀后清洗 目的与方法：在晶圆经过刻蚀工艺后，表面会残留刻蚀剂和其他杂质，需要通过清洗去除。此步骤通常
2025-01-07 16:12:00813 力泰科技资讯：锻造自动化生产线根据生产工艺的不同进行锻造自动化配套设备，锻造自动化有什么系统控制的呢？ 1、传送系统：锻造自动线的工件传送系统一般包括机床上下料装置、传送装置和储料装置。在旋转体加工
2025-01-07 09:03:25571 
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