sc-1和sc-2可以一起用吗

SC-1和SC-2可以一起使用，但需遵循特定的顺序和工艺条件。以下是其协同应用的具体说明：

分步实施的逻辑基础

SC-1的核心作用：由氨水（NH₄OH）、过氧化氢（H₂O₂）和水组成，主要去除硅片表面的有机物、颗粒污染物及部分金属杂质。其碱性环境通过腐蚀氧化层使颗粒脱落，并通过静电排斥防止再吸附；同时H₂O₂的强氧化性分解有机物；

SC-2的补充功能：含盐酸（HCl）、过氧化氢和水的混合液，专注于溶解金属离子（如Na⁺、Fe²⁺），利用酸性条件下的络合反应将金属转化为可溶性氯化物，避免金属沉淀。由于SC-1可能残留微量金属污染，需通过SC-2进一步清除。

典型工艺流程设计

标准操作顺序为先进行SC-1清洗以剥离有机物和颗粒，随后用去离子水彻底漂洗去除残留碱液，最后执行SC-2处理以去除金属离子。这一流程符合半导体行业经典的RCA清洗标准，能够实现污染物的分层去除与表面全面净化

中间漂洗的必要性：若跳过DI Water冲洗步骤直接混合两种溶液，可能导致酸碱中和反应生成盐类沉淀，反而污染晶圆表面。因此，分步实施是确保效果的关键。

互补优势与协同效应

覆盖更广的污染物类型：SC-1针对非金属类污染物高效，而SC-2专攻金属离子，两者结合可应对复杂污染场景；

电性排斥的双重保障：SC-1使表面带负电抑制颗粒吸附，SC-2则通过正电位减少金属再沉积，形成双重防护机制；

工艺兼容性：现代产线常集成兆声波辅助技术（如950 kHz），在SC-1阶段增强微小颗粒脱附效率，而在SC-2中加速金属络合物溶解，进一步提升整体清洁度。

注意事项与参数控制

温度管理：SC-1建议控制在40–60℃，SC-2则宜维持在30–50℃，过高温度可能导致硅片损伤或溶液挥发失控；

浓度配比优化：例如SC-1的典型配方为NH₄OH:H₂O₂:H₂O=1:2:5–7，SC-2常用HCl:H₂O₂:H₂O=1:1:6，实际需根据污染物负荷动态调整；

废液处理合规性：SC-1废液需中和酸性并沉淀金属离子，SC-2含氯废水应单独收集处理，避免环保风险。

SC-1与SC-2的联合使用是半导体湿法清洗的经典方案，但其效能高度依赖工艺顺序、参数控制及中间处理步骤的严谨性。正确实施时，二者能实现污染物去除的互补与协同，满足高端制造对表面洁净度的严苛要求。