背金工艺是什么_背金工艺的作用

背金工艺是什么？

背金，又叫做背面金属化。晶圆经过减薄后，用PVD的方法（溅射和蒸镀）在晶圆的背面镀上金属。

背金的金属组成？

一般有三层金属。一层是黏附层，一层是阻挡层，一层是防氧化层。

黏附层通常是Al，Ti或Cr等金属，主要是为了与Si片背面有良好的结合力，并且降低欧姆接触的阻值。如果Ti与硅的结合力不好，会造成金属层剥离与阻抗上升等问题。

阻挡层通常是纯Ni或NiV合金，作用是防止金属的扩散。

防氧化层通常是Ag，Au，作用是覆盖在晶圆表面，防止Ni的氧化，

常见的组合有：

MOSFET需求的钛（20-200nm） / 镍钒（200-400nm）/ 银 （100-2000nm）即Ti / NiV / Ag

IGBT需求的铝 / 钛 / 镍钒/ 银 （Al / Ti / NiV / Ag）。等等

背金工艺的作用？

1，欧姆接触小，金属钛热膨胀系数为8．5×10 ／℃ ，钛的功函数约为3.95 eV，n型硅的功函数约为4 eV，这两种材料接触处不会形成势垒，是一种理想的欧姆接触材料。

2，散热，高性能计算芯片将在计算过程中产生大量热量。背面金属化大大增强其导热率。

3，焊接性能更好。