吉时利2000台式数字多用表/六位半吉时利2000台式数字多用表/六位半吉时利 2000 是 1994 年推出的经典 6½ 位台式数字多用表(DMM),以高精度、高速采集、强扩展性与高性价比著称
2026-01-04 16:34:07
空调、冰箱等家用电器中的压缩机电机驱动。
工业电机与控制:用于工业风机、水泵、传送带及各类电动工具的电机驱动系统。
通用功率变换拓扑:适用于半桥、全桥结构的开关电源、UPS以及电焊机等功率转换设备
2025-12-31 08:22:18
FRDMGD3160DSBHB半桥评估板:设计与应用指南 在电子工程领域,一款性能优良的评估板对于产品的开发和测试至关重要。今天,我们就来深入了解一下NXP的FRDMGD3160DSBHB半桥评估板
2025-12-25 10:55:05
242 SRN3015C系列半屏蔽功率电感,看看它到底有哪些独特之处,能为我们的电子设计带来怎样的便利。 文件下载: Bourns SRN3015C半屏蔽功率电感器.pdf 一、产品特点 1. 结构与尺寸优势 SRN3015C系列采用半屏蔽结构,这种设计在一定程度上减少了电磁干扰,同时其微型
2025-12-23 17:00:03
133 屏蔽功率电感器。 文件下载: Bourns SRN6028C半屏蔽型功率电感器.pdf 一、产品特性 半屏蔽结构设计 SRN6028C系列采用半屏蔽结构,这种设计独具优势。它的电感范围为0.9至120 µH,可满足多种不同电路的电感需求。同时,其额定电流最高可达7.8 A,能承受较大的电流负载。而
2025-12-23 15:15:18
160 电感,它具有诸多出色的特性,能满足多种应用场景的需求。 文件下载: Bourns SRN3010C半屏蔽型功率电感器.pdf 电感特性亮点 紧凑设计 SRN3010C系列电感采用半屏蔽结构,具有微型尺寸和低矮外形,高度仅为1.0mm。这种设计使得它在对空间要求苛刻的应用中表现出色,比如
2025-12-23 15:15:15
155 ,了解其特性、参数以及使用中的注意事项。 文件下载: Bourns SRN8040HA半屏蔽式功率电感器.pdf 一、产品特性 1. 半屏蔽结构 SRN8040HA系列采用半屏蔽构造,这种设计在一定程度上减少了电磁干扰(EMI),同时也能提供较好的散热性能。半屏蔽结构在很多对EMI有一定要求,
2025-12-23 15:10:04
174 系列半屏蔽功率电感器。 文件下载: Bourns SRN2010BTA半屏蔽型功率电感器.pdf 一、产品特性 1. 结构与尺寸 SRN2010BTA系列采用半屏蔽结构,最大高度仅为1mm。这种紧凑的设计使得它在对空间要求较高的应用中具有很大优势,例如便携式电子设备、小型化的电路板等。 2.
2025-12-22 15:05:06
176 - P 系列电感器具有半屏蔽结构,这种结构能够有效控制极性,优化电磁干扰(EMI),在高电流应用场景中表现出色。同时
2025-12-22 13:55:02
151 基于EiceDRIVER™ 2EDL803x的半桥降压转换器评估板评测 在电源设计领域,半桥降压转换器是一种常见且重要的电路拓扑。今天,我们就来详细探讨一下基于EiceDRIVER
2025-12-20 10:35:15
497 在AI算力爆发的背景下,数据中心供电系统面临巨大挑战。固态变压器(SST)以其模块化、可控性与高功率密度,成为突破传统供电瓶颈的关键技术。为确保其复杂系统在量产前的高可靠性与稳定性,EasyGo半
2025-12-11 18:23:45
GB-2439型导电与半导电橡塑材料体积电阻率测试仪,配以四探针仪器构成成套测试系统,是运用平行四刀法 四端子测量原理的专业测量半导电橡塑材料或薄膜的电阻率/方阻的多用途综合测量装置.符合橡塑行业
2025-12-02 08:44:42
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今日,南芯科技(证券代码:688484)宣布推出 700V 高压 GaN 半桥功率芯片 SC3610,可实现高精度电压驱动、更优的通道延时匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特别适用于高频软
2025-11-28 17:49:37
1531 带来诸多显著的优势。本文将深入探讨在结构化布线中使用电缆标签的4个主要优势,帮助读者更好地理解这一细节的重要性。 提高布线系统的可管理性 清晰标识电缆用途 在复杂的布线系统中,各种电缆交织在一起,如果没有明确的
2025-11-24 10:34:32
221 Vishay/Dale IFSC-3232DB-01半屏蔽SMD功率电感器采用半屏蔽绕线铁氧体结构,采用SMD封装,外形尺寸为8mm x 8mm x 4.2mm。 这些电感器在0A时的电感为0.9
2025-11-13 09:49:18
381 Vishay/Dale IFSC-2020DE-01半屏蔽SMD功率电感器采用半屏蔽绕线铁氧体结构,采用6mmx6mmx4.5mm SMD封装。这些半屏蔽电感器在0A时的电感为1μH至470μH
2025-11-12 16:50:51
503 Vishay/Dale IFSC-2020BZ-01半屏蔽SMD功率电感器采用薄型紧凑设计,尺寸为5mmx5mmx2mm。这些表面贴装电感器效率高,采用半屏蔽铁氧体结构。Vishay/Dale
2025-11-11 15:42:54
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Vishay/Dale IMSC1008AZ半屏蔽SMD功率电感器采用薄型封装,最大尺寸为2.5mmx2mmx1mm。这些表面贴装电感器采用半屏蔽、金属基结构,实现稳定的饱和。该系列还具有低磁芯损耗
2025-11-11 15:25:04
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SiLM94112MG-AQ一款高度集成化的12通道半桥电机驱动器,专为驱动多种类型电机或负载而设计,集成了12个独立的半桥驱动、丰富的保护监控功能和SPI通信接口,并通过了AEC-Q100车规认证
2025-11-07 10:24:33
SiLM92108是一款专为驱动多种类型电机或负载设计的高度集成化多通道门极驱动器。集成了8路半桥驱动、电源管理、电流检测放大器以及各种保护监控功能,显著简化了系统结构,缩减了体积,并实现了成本优化
2025-11-03 08:56:19
电子发烧友网站提供《LLC 半桥谐振电路的设计与应用.pdf》资料免费下载
2025-10-22 17:11:53
1 STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半桥电源模块配有MASTERGAN1L,其可快速创建拓扑,无需完整的PCB设计。该模块经过微调,可用于LLC应用,其低侧
2025-10-22 16:03:39
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STMicroelectronics STDRIVEG611半桥栅极驱动器是用于N沟道增强模式GaN的高压半桥栅极驱动器。高侧驱动器部分设计能够承受高达600V的电压轨,并且可以轻松由集成自举二极管
2025-10-16 17:42:30
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DRV870xD-Q1 器件是小型半桥栅极驱动器,使用两个外部 N 沟道 MOSFET,用于驱动单向有刷直流电机或螺线管负载。
PWM接口允许与控制器电路进行简单的接口。内部检测放大器提供可调
2025-10-16 14:39:58
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DRV870xD-Q1 器件是小型半桥栅极驱动器,使用两个外部 N 沟道 MOSFET,用于驱动单向有刷直流电机或螺线管负载。
PWM接口允许与控制器电路进行简单的接口。内部检测放大器提供可调
2025-10-16 14:35:31
463 
DRV89xx-Q1 是引脚兼容的集成多通道半桥驱动器系列,具有 4 至 12 个半桥。该器件系列具有低导通电阻 (R ~DS(开)~ )以提高大电流工作期间的热性能。
这些器件可以以独立
2025-10-15 14:40:48
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DRV89xx-Q1 是引脚兼容的集成多通道半桥驱动器系列,具有 4 至 12 个半桥。该器件系列具有低导通电阻 (R ~DS(开)~ )以提高大电流工作期间的热性能。
这些器件可以以独立
2025-10-15 14:34:02
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DRV89xx-Q1 是引脚兼容的集成多通道半桥驱动器系列,具有 4 至 12 个半桥。该器件系列具有低导通电阻 (R ~DS(开)~ )以提高大电流工作期间的热性能。
这些器件可以以独立
2025-10-15 14:28:18
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DRV89xx-Q1 是引脚兼容的集成多通道半桥驱动器系列,具有 4 至 12 个半桥。该器件系列具有低导通电阻 (R ~DS(开)~ )以提高大电流工作期间的热性能。
这些器件可以以独立
2025-10-15 14:20:41
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DRV89xx-Q1 是引脚兼容的集成多通道半桥驱动器系列,具有 4 至 12 个半桥。该器件系列具有低导通电阻 (R ~DS(开)~ )以提高大电流工作期间的热性能。
这些器件可以以独立
2025-10-15 13:50:25
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该DRV8932为工业应用提供四个半桥驱动器。该器件可用于驱动多达四个电磁阀负载、两个直流电机、一个步进电机或其他负载。
每个通道的输出级由配置在半桥中的N沟道功率MOSFET组成。简单
2025-10-15 09:59:22
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UCC2773x 是一款 700V 半桥栅极驱动器,具有 3.5A 源电流和 4A 灌电流能力,适用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT。该器件由一个接地基准通道 (LO) 和一个浮动通道 (HO
2025-10-10 15:05:04
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混合电缆是将光纤和铜线组合在一个护套中的电缆,它作为供电和数据传输的介质,具有以下核心特点和应用场景: 一、结构特点 光纤与铜线集成:混合电缆在单个护套内同时包含光纤和铜线,光纤负责高速数据传输
2025-09-22 09:56:24
209 半实物仿真(Hardware-in-the-Loop, HIL)技术通过将真实控制器与虚拟被控对象模型相结合,构成了一个闭环测试系统,极大提高了开发效率和系统可靠性。
2025-09-18 15:53:30
794 XM3半桥电源模块系列是 Wolfspeed(原CREE)推出的高功率碳化硅(SiC)电源模块平台,专为电动汽车、工业电源和牵引驱动等高要求应用设计。XM3半桥电源模块系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
Texas Instruments LMG3422EVM-041半桥子卡在半桥中配置两个LMG3422R050 GaN FET。它具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外设电路。该评估模块设计用于
2025-09-11 09:39:37
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在电力电子领域,DC-DC变换器的拓扑结构决定了其性能特点和应用场景。半桥、全桥、反激、正激和推挽是五种常见的隔离型变换器拓扑,它们在电路结构、工作原理和应用领域上存在显著差异。深入理解这些拓扑
2025-09-07 17:50:21
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中微半导体(深圳)股份有限公司(以下简称:中微半导 股票代码:688380)致力于为全球客户提供8位、32位MCU及SoC全系列产品与高可靠性解决方案。自2001年产品进入市场以来,中微半导MCU+
2025-09-04 13:35:37
BASiC_62mm SiC MOSFET半桥模块和驱动方案介绍
2025-09-01 15:23:11
0 Texas Instruments LMG2610 GaN半桥IC是一款650V GaN电源FET半桥,适用于开关电源应用中 < 75w的有源钳位反激式(acf)转换器。lmg2610通过将
2025-08-27 09:22:58
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在工业电机控制和功率转换领域,一款能够提供智能相位管理的高压驱动器对系统架构设计至关重要。SiLM2023CA-DG 正是这样一款专为200V应用设计的创新型半桥驱动器。采用标准SOP8封装,该芯片
2025-08-25 08:33:30
Texas Instruments LM2105半桥栅极驱动器是一款紧凑型高压栅极驱动器,设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高侧和低侧N沟道MOSFET。集成的自举二极管无需使用外部分立式二极管,从而节省电路板空间并降低系统成本。
2025-08-21 09:35:57
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Texas Instruments LM2103半桥驱动器是一款紧凑型高压栅极驱动器,设计用于驱动半桥或同步降压配置中的高侧和低侧N沟道MOSFET。INL反相输入允许驱动器用于双或单PWM输入应用。
2025-08-15 15:03:49
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对于正激式开关电源,我们常见的 100W 以上电源基本是使用半桥或者 LLC 拓扑结构的电路。如果使用半桥式电路的舞台灯光电源要怎么从电路设计的角度来延长其产品质量呢?
2025-08-14 11:28:29
1460 YAGEO国巨贴片电容与电阻的优点及用途解析 一、贴片电容:微型化与高性能的完美结合 核心优点 微型化与大容量 :采用薄层化技术和多层叠层工艺,在微型封装(如0402、0603)中实现高电容值,满足
2025-08-13 15:55:10
1176 Texas Instrument LM2005半桥栅极驱动器是一款紧凑型高压栅极驱动器,设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高侧和低侧N沟道MOSFET。集成自举二极管无需外部分立二极管,从而节省了电路板空间并降低了系统成本。
2025-08-08 14:36:11
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Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET
2025-08-04 10:00:30
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电子发烧友网报道(文/黄山明)如今全固态电池产品仍然处于验证阶段,但半固态电池正在储能领域中从“样品”走向“GW级工程”。并且由于半固态电池本身的高安全性和长寿命,在储能领域发展迅猛,已成为新型储能
2025-08-04 09:06:30
6233 产品线,新增五款全新系列至既有的 Bourns® SRN-BTA 系列中。这些新产品提供更高的最大感值,部分型号甚至提升至原有的两倍,同时具备更低的磁场辐射。这些特性使其成为全屏蔽铁氧体电感的经济型替代方案。半屏蔽设计结合了无屏蔽与全屏蔽电感的优点,为高要
2025-07-22 13:39:32
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Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级集成了栅极驱动器和增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管。93V连续、100V脉冲、53A半桥功率级包含两个GaN FET,由
2025-07-11 14:40:22
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本文介绍了基于HT8的半桥电磁炉设计方案
2025-07-07 10:26:17
6 近日,由苏州登临科技有限公司与天津半微科技有限公司联合主办的【强芯崛起·王牌算力】2025联合新品发布会在苏州香格里拉酒店圆满举行。
2025-06-26 13:56:57
2388 Analog Devices Inc. LTC7063半桥驱动器驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET,供电电压高达140V。高侧和低侧驱动器可以通过提供瞬态抗扰度和噪声来驱动具有不同接地
2025-06-14 16:36:57
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Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器是一款100V器件,集成了顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑控制和保护功能。该驱动器可配置为同步半桥、全桥拓扑或降压、升压和降压-升压
2025-06-10 14:27:00
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Analog Devices Inc. LTC7068 150V半桥驱动器是一款半桥双N沟道MOSFET栅极驱动器,在高达150V的输入电压下工作,具有独立于电源的三态脉宽调制 (PWM) 输入逻辑
2025-06-06 10:29:16
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摘要:文中介绍了基于CM6901模拟控制芯片设计的输出电压为+12 V、输出电流为21 A、额定功率为252 W的LLC开关电源的工作原理、参数计算以及样机实验测试结果。使用CM6901设计的半桥
2025-06-05 15:14:05
意法半导体推出两款高压GaN半桥栅极驱动器,为开发者带来更高的设计灵活性和更多的功能,提高目标应用的能效和鲁棒性。
2025-06-04 14:44:58
1135 Analog Devices MAX22208四路半H桥驱动器配有四个可独立控制的65V半H桥驱动器。该器件可用于驱动四个螺线管、一个步进电机、两个有刷直流电机或不同负载的组合。
2025-05-30 09:47:00
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滑模变结构控制非常适用于高阶非线性系统,但如何快速而有效地验证此类先进控制算法是开发人员面临的主要问题。基于此,针对大功率高性能调速控制系统,提出了快速验证的半实物仿真方案。首先,设计出基于滑模变
2025-05-28 15:45:54
BDR6307B是一款耐压600V的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双 N型 MOS 半桥
2025-05-27 17:21:03
1 近日,全球领先的汽车热管理系统制造商浙江三花汽车零部件有限公司莅临中微半导进行车规级芯片供应审厂工作,我司副总裁兼汽车事业部总经理李振华全程参与审核对接。此次审厂是中微半导车规级芯片全面进入三花汽零供应体系并批量供货的前提条件。
2025-05-27 16:43:38
756 LM5108 是一款高频半桥栅极驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。它允许在基于半桥配置的拓扑结构中控制两个 N 沟道 MOSFET,例如同步降压、全桥、有源钳位正激、LLC 和同步升压。
2025-05-24 14:57:00
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大家介绍一下半柔板的应用、特点和众阳半柔板的工艺技术。 半柔板应用 半柔板(Semi-Flex PCB),是在标准的硬板加工过程中结合入控深铣削加工或刚柔板加工技术(铣开盖或开通窗等)获得的一种用于静态弯折领域的PCB,常采用非对称的叠层结构,只
2025-05-21 12:17:54
553 
HMC1164是一款单芯片微波集成电路(MMIC)电压控制振荡器,集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管并具有半频输出。
由于振荡器的单芯片结构,输出功率和相位噪声性能在温度范围内尤为出色。
2025-04-29 13:50:06
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HMC1160 是一款 MMIC 压控振荡器,集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,具有半频输出。
由于振荡器采用单芯片结构,输出功率和相位噪声性能在整个温度范围内非常出色。
2025-04-29 11:49:27
658 
HMC1169是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),具有半频输出。
由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。
2025-04-29 10:43:09
762 
HMC1161是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),具有半频输出。
由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。
2025-04-29 10:43:09
738 
HMC1165是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),具有半频输出。
由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。
2025-04-29 10:23:10
775 
HMC1167是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),具有半频输出。
由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。
2025-04-29 10:18:19
741 
HMC1166是一款单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,具有半频输出。
由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。
2025-04-29 10:15:10
720 
HMC1168是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),具有半频输出。
由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能
2025-04-29 09:54:45
696 
近日,以“聚力共赢、你我同行”为主题的2025中微半导合作伙伴答谢会议在深圳盛大启幕。
2025-04-23 10:32:59
783 新品半桥1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模块采用EconoDUAL3封装的1200V/1.4mΩ半桥模块。芯片为SiCMOSFETM1H增强型1代、集成NTC温度传感器
2025-04-17 17:05:15
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奥纳科技推出一款67GHz频率的测试电缆AT260,具有稳幅稳相功能,低损耗,低驻波,适合动态测试环境。满足相位与振幅稳定还能实现超柔动态测试,是仪器级的。AT260射频测试电缆外径为2.6mm
2025-04-16 09:53:46
根据具体条件需求,在TechWiz LCD 2D中创建堆栈结构,修改模拟条件和各层属性
3. 生成结果
3.1 半透反射式2D结构
3.2亮度图表
2025-04-08 08:49:48
LKS1M25004,LKS1M25003,LKS1M23007 半桥IPM,
需要更详细的资料请给我发邮件
F18279005901@163.com
2025-03-31 17:30:41
LM5035B 半桥控制器/栅极驱动器包含所有必要的功能 使用电压模式控制和线路电压实现半桥拓扑电源转换器 前馈。
LM5035B 是 LM5035A 半桥 PWM 控制器的功能变体。这
2025-03-31 10:11:10
884 
LM5035C半桥控制器和栅极驱动器包含所有必要的功能 使用电压模式控制和线路电压实现半桥拓扑功率转换器 前馈。
LM5035C 是 LM5035B 半桥 PWM 控制器的功能变体。这 SR1 和 SR2 波形的幅度为 5 V,而不是 V~抄送~水平。 此外,软停止功能在 LM5035C 中被禁用。
2025-03-28 17:15:46
850 
LM5039 半桥控制器/栅极驱动器包含满足以下要求所需的所有 特性 使用电压模式控制和线路电压实现半桥拓扑电源转换器 前馈。LM5039 是 LM5035B 半桥 PWM 控制器的功能变体, 在过
2025-03-28 15:38:21
869 
实验名称: 半掩埋光波导谐振腔的封装测试 研究方向: 半掩埋光波导谐振腔耦合完成以后,为保护器件,防止灰尘等杂质污染刻槽区域以及做实验过程中移动器件可能带来的耦合处接口松动,需要对器件进行封装
2025-03-27 11:14:13
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。而这段空白时间,让半固态电池成为当前最佳的动力电池选择。 半固态电池发展现状 2024年被称为半固态电池装车元年,不少国内外供应链企业及车企已经在加码布局。比如中国的宁德时代、冠盛股份、孚能科技、欣旺达等,日本的丰
2025-03-24 00:15:00
3251 开关电源系列第二篇和第三篇分享了反激和正激两种隔离DCDC拓扑的工作原理,今天再分享另外三款隔离DCDC拓扑:半桥、全桥、推挽。1、 半桥变换器半桥变换器变压器原边由两只电容和两只高压晶体管对角线
2025-03-20 11:27:10
编织层,且直径规格多样,与半刚性电缆类型一致,包括.047英寸、.085英寸、.141英寸及.250英寸。专为高频射频应用打造,RF-Labs手工成型电缆组件提供了多款通过空间轨道资格认证的产品,涵盖
2025-03-14 09:23:45
的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力,输
2025-03-13 17:25:18
的损耗就为零。下边就分析目前所使用的LLC谐振半桥电路。基本电路如下图所示:
图2.1LLC谐振半桥电路
其中Cr,Lr,Lm构成谐振腔(Resonant tank),即所谓的LLC,Cr起隔直电容
2025-03-11 14:54:53
半桥功率模块(IPM)凭借其高集成度、高可靠性、布板灵活、设计与使用便捷等诸多优势,被广泛应用于无刷电机驱动领域,其中在高速风筒中的应用尤为突出。
2025-03-07 17:37:45
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半润湿现象,特别是在焊接过程中观察到的水在油腻表面上的类似表现,如图1-1所示,确实是一个复杂且值得关注的问题。这种现象通常涉及到基底金属的可焊性、污染物的存在、焊膏的活性以及金属间化合物的形成等多个方面。以下是对半润湿现象形成原因的详细分析:
2025-03-05 09:04:03
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在电力电子及新能源领域,随着系统复杂度的提升,传统的纯软件仿真和实物测试已难以满足高效、低成本的研发需求。电力电子半实物仿真技术(HardwareintheLoop,HIL)应运而生,它通过将实际
2025-02-25 18:10:00
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。由于电流或电压按正弦规律变化,存在过零点,如果此时开关器件开通或关断,产生的损耗就为零。下边就分析目前所使用的LLC谐振半桥电路。基本电路如下图所示: 图2.1LLC谐振半桥电路 其中Cr,Lr
2025-02-25 17:19:35
BDR6307B 是一款耐压 600V 的半桥栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路,用来驱动双 N 型 MOS 半桥。
BDR6307B 的逻辑
2025-02-20 10:22:03
电子发烧友网站提供《NX-HB-GAN3R2-BSC半桥评估板.pdf》资料免费下载
2025-02-18 17:29:54
2 DIA58104/8是帝奥微最新推出的多通道半桥预驱系列,采用7mm x 7mm的QFN封装,可控制多达8个半桥(最多16个n沟道MOSFET),为系统提供简单、紧凑且具成本效益的驱动方案。其目标应用包括汽车直流电机,例如电动座椅模块、尾门模块和车身系统电动闭合模块等。
2025-02-17 10:20:09
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通电后,加载图片,无论是全黑还是别的测试图,DMD总有一半画面呈现竖条纹结构背景。请问该如何解决?
2025-02-17 07:45:06
自己写一篇比较详细的介绍做参考。作为一个初学AC-DC电源的工程师,在整理和学习的过程中难免有一些疏忽和错误,如发现问题,欢迎大家在评论区指出和讨论。 1、半桥LLC拓扑 如图是半桥LLC谐振拓扑结构原理图,Vin为直流电(由AC电压整流而来
2025-02-12 11:03:16
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电子发烧友网站提供《全面保护型半桥功率IC赋能电机集成逆变器.pdf》资料免费下载
2025-01-24 13:55:59
1 OI-AT14S半复合材料天线架是由海洋仪器开发的一款高性能的半复合材料支架产品,主要用于固定测试天线,且能依据不同天线类型和测试需求,加装不同天线。其框架选用坚固耐用的铝合金底座及玻璃纤维树脂
2025-01-24 11:04:18
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2025-01-22 14:46:08
34 铠装铝芯电缆的符号和用途详解如下: 一、符号详解 铠装铝芯电缆的型号通常由多个部分组成,每个部分代表不同的含义。以下是一些常见的符号及其解释: YJ:表示采用交联聚乙烯绝缘材料。交联聚乙烯是一种
2025-01-13 10:20:37
4550 半砖模块电源的散热设计 1、引言 DC-DC模块电源是利用先进的制造工艺构成一个整体的、结构紧凑的、体积小的高质量稳压电源。因模块电源使用简单,构成系统时具有扩容方便、维修性好等优点, 因此,被
2025-01-08 11:52:22
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半固态电池Semi-SolidStateBattery在当下的电池技术领域,半固态电池与NMC三元锂电池无疑是两颗备受瞩目的“明星”,被众多终端设备制造商列为热门之选。这两款电池看似都服务于同一
2025-01-07 18:05:16
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