意法半导体推出两款高压GaN半桥栅极驱动器

意法半导体推出两款高压GaN半桥栅极驱动器，为开发者带来更高的设计灵活性和更多的功能，提高目标应用的能效和鲁棒性。

STDRIVEG610和STDRIVEG611两款新产品为电源转换和电机控制设计人员提供两种控制GaN功率器件的选择，可以提高消费电子和工业应用的能效、功率密度和鲁棒性。

STDRIVEG610主打那些要求启动时间300ns级别的栅极驱动应用，启动时间是LLC或ACF电源转换拓扑的一个关键参数，保证在突发模式下准确控制功率管的关断间隔。

STDRIVEG611是针对电机控制应用中的硬开关进行了优化设计，增加高边UVLO欠压保护和过流保护智能关断等安全功能。

这两款器件对软硬开关拓扑都适用，并内置预防交叉导通的互锁功能。STDRIVEG610可提升电源适配器、充电器和功率因数校正(PFC) 电路的性能，而STDRIVEG611可节省空间，提高能效和可靠性，适用于家用电器、电泵、压缩机、工业伺服驱动电机以及工厂自动化驱动装置。

为了简化设计，两款器件都集成了高边自举二极管，以及大电流能力且传输延迟小于10ns的6V高低边线性稳压器。每个驱动器都有独立的吸电流和拉电流路径，吸电流为2.4A/1.2Ω，拉电流为1.0A/3.7Ω，可以实现很好的驱动性能。

片上集成的UVLO保护功能用于保护高低边的600V GaN功率开关管的安全，防止器件在低效或危险情况下运行。此外，两款器件都有过热保护功能，dV/dt耐量高达±200V/ns。输入引脚电压扩展到3.3V至20V，从而简化了控制器接口电路。两款器件都有待机引脚，在非工作期间或突发模式下，可以节省能耗，并具有独立的电源地引脚，可用于开尔文源驱动或连接分流电阻。

STDRIVEG610和STDRIVEG611集成丰富的功能，有助于降低物料清单成本，采用4mmx5mm QFN的紧凑封装，节省电路板空间。

两款产品的配套评估板EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611现已上市，可帮助设计人员加快应用开发。两款评估板均可直接使用，集成了600V高速半桥栅极驱动器和意法半导体的两颗SGT120R65AL增强型GaN HEMT功率开关管。