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Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级数据手册

科技观察员 2025-08-04 10:00 次阅读
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Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。LMG2100R044在半桥配置中集成了两个100V GaN FET,由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET为功率转换提供了显著优势,例如零反向恢复和最小输入电容CISS和输出电容COSS。

数据手册:*附件:Texas Instruments LMG2100R044 GaN半桥功率级数据手册.pdf

TI LMG2100R044功率级安装在完全无键合线的封装平台上,尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R044采用5.5mm x 4.5mm x 0.89mm无铅封装,可轻松安装在PCB上。

特性

  • 集成4.4mΩ半桥GaN FET和驱动器
  • 90V连续、100V脉冲额定电压
  • 封装经过优化,便于PCB布局
  • 高压摆率开关,低振铃
  • 5V外部偏置电源
  • 支持3.3V和5V输入逻辑电平
  • 栅极驱动器支持高达10MHz开关
  • 低功耗
  • 出色的传播延迟(33ns典型值)和匹配(2ns典型值)
  • 内部自举电源电压钳位可防止GaN FET过驱动
  • 电源轨欠压,用于闭锁保护
  • 裸露顶部QFN封装,用于顶部冷却
  • 较大的GND焊盘,用于底部冷却

应用

简化框图

1.png

传播延迟与传播不匹配测量

2.png

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