Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器是一款100V器件,集成了顶部和底部驱动器级、驱动器逻辑控制和保护功能。该驱动器可配置为同步半桥、全桥拓扑或降压、升压和降压-升压拓扑。LT8418具有强大的拉电流/灌电流能力,上拉电阻为0.6Ω,下拉电阻为0.2Ω。它还集成了智能集成式自举开关,可从VCC 生成平衡自举电压,压差极低。
数据手册:*附件:Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器数据手册.pdf
LT8418设有分离栅极驱动器,可调整GaN FET的导通和关断转换率,以抑制振铃并优化EMI性能。所有驱动器输入和输出均具有默认低电平状态,可防止GaN FET误接通。LT8418、INT和INB具有独立输入,与TTL逻辑兼容。该驱动器具有10ns的快速传播延迟,在顶部和底部通道之间保持1.5ns的出色延迟匹配,因此适用于高频DC-DC转换器、电机驱动器和D类音频放大器。此外,LT8418采用紧凑型WLCSP封装,可最大限度地降低寄生电感,因此可广泛用于高性能和高功率密度应用。
特性
- 半桥栅极驱动器,用于GaN FET
- 顶部栅极驱动器上拉电阻:0.6Ω
- 底部栅极驱动器下拉电阻:0.2Ω
- 4A峰值拉电流、8A峰值灌电流能力
- 智能集成式自举开关
- 分离栅极驱动器,用于调节导通/关断强度
- 所有驱动器输入和输出的默认低电平状态
- 最大额定电压:15V(INT和INB输入时)
- 独立INT、INB输入,兼容TTL逻辑
- 快速传播延迟:10ns(典型值)
- 典型传播延迟匹配:1.5ns
- 3.85V至5.5V平衡驱动器电源电压(V
BST≈ VCC) - 欠压和过压闭锁保护
- 小型12焊球WLCSP封装
- 符合 RoHS 要求
应用
典型应用

方框图

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发表于 01-15 18:56
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