Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级数据手册
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管。93V连续、100V脉冲、53A半桥功率级包含两个GaN FET，由一个采用半桥配置的高频GaN FET驱动器驱动。该驱动器和两个GaN场效应晶体管安装在完全无接合线封装平台上，具有最少的封装寄生元件。
数据手册：*附件：Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级数据手册.pdf
TI LMG2100R026功率级采用7.0mmx4.5mmx0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。其TTL逻辑兼容输入可支持3.3V和5V逻辑电平，不受VCC 电压影响。专有自举电压钳位技术可确保增强模式GaN场效应晶体管的栅极电压处于安全工作范围内。该器件通过实现更易用的接口扩展了分立式GaN场效应晶体管的优势。该器件非常适用于需要在小尺寸内高频、高效率运行的应用。
特性
- 集成式半桥GaN FET和驱动器
- 93V连续电压、100V脉冲电压（额定值）
- 封装经过优化，便于PCB布局
- 高压摆率开关，低振铃
- 5V外部偏置电源
- 支持3.3V和5V输入逻辑电平
- 栅极驱动器支持高达10MHz开关
- 低功耗
- 出色的传播延迟（33ns典型值）和匹配（2ns典型值）
- 内部自举电源电压钳位可防止GaN FET过驱
- 电源轨欠压，用于闭锁保护
- 裸露顶部QFN封装，用于顶部冷却
- 较大的GND焊盘，用于底部冷却
应用
简化框图
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