Texas Instruments LMG3422EVM-041半桥子卡在半桥中配置两个LMG3422R050 GaN FET。它具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外设电路。该评估模块设计用于与大型系统配合使用。该评估板设有必要的功率级和栅极驱动高频电流环路,可最大限度地降低电源环路寄生电感,减少电压过冲,并提高性能。Texas Instruments LMG342XEVM-04X配置为插座式外部连接,可轻松连接外部功率级,从而在各种应用中运行LMG342XR0X0。
数据手册:*附件:Texas Instruments LMG3422EVM-041半桥子卡数据手册.pdf
特性
- 输入电压高达600V
- 简单的开环设计,用于评估LMG342XR0XX的性能
- 板载单/双PWM信号输入,用于死区时间可变的PWM信号
- 逐周期过流保护功能
- 便利的探测点,用于逻辑和功率级测量,示波器探头具有短接地弹簧探头
板布局

基于LMG3422EVM-041半桥子卡的GaN功率模块设计与应用
一、LMG3422EVM-041概述
LMG3422EVM-041是德州仪器(TI)推出的一款采用GaN(氮化镓)技术的半桥评估模块,具有以下核心特性:
- 集成化设计:包含两个LMG342XR0X0 600V GaN FET,集成驱动和保护电路
- 高性能拓扑:采用优化的半桥配置,所有必需偏置电路和逻辑/电源电平转换均集成在板上
- 低寄生参数设计:关键功率级和栅极驱动高频电流回路采用全封闭布局,最小化功率环路寄生电感
- 灵活接口:采用插座式外部连接设计,便于与外部功率级接口
二、关键技术特性
2.1 保护功能
- 多重保护机制:
- 过温保护(OTP)
- 过流保护(OCP)
- 短路保护(SCP)
- 欠压锁定(UVLO)
- 故障指示:通过FAULT和OC引脚提供状态反馈,信号电平转换至AGND参考
2.2 工作参数
- 电压范围:
- 推荐工作电压:≤480V
- 绝对最大电压:600V
- 逻辑兼容性:支持3.3V和5V逻辑输入
- 温度监测:提供实时数字输出,其占空比反映器件结温
三、典型应用场景
3.1 功率转换拓扑
3.2 评估系统配置
TI提供两种配套母板选择:
- LMG342X-BB-EVM:
- 支持高达4kW功率
- 集成互补PWM生成电路
- 可调死区时间设计
- LMG34XX-BB-EVM:
- 支持1.7kW功率
- 默认50ns死区时间
- 需搭配专用转接板使用
四、设计要点与布局指南
4.1 热管理设计
- 散热方案:
- 采用S05MZZ12-A散热器
- 使用GR80A-0H-50GY导热界面材料(导热系数8W/m·K,厚度0.5mm)
- 优化热过孔布局
- PCB设计建议:
- 优先选用4层或更多层板
- 采用非阻焊定义(NSMD)焊盘
- 填充并平面化热过孔
4.2 关键电路设计
- 栅极驱动电路:
- 自举电源设计:
五、测试与评估
5.1 测试设备要求
- 电源:0-480V可调DC电源
- 仪器:
- ≥200MHz示波器(推荐1GHz)
- 高带宽高压探头
- 带短接地弹簧的探头
- 辅助设备:
- 12V/1.5A偏置电源
- 0-5V PWM信号发生器
- 主动散热系统
5.2 典型测试结果
在400V输入/200V输出的同步Buck测试中:
- 开关性能:
- 20kΩ Rdrv电阻下:85V/ns转换速率(400V/20A)
- 可调范围:30V/ns至150V/ns
- 功率等级:
- 连续工作可达4kW(带散热器)
六、设计参考与材料清单
6.1 推荐封装
模块采用优化的QFN-54封装,关键引脚分配:
- 引脚1,16:连接DRAIN(必须独立布线)
- 引脚17,54:连接SOURCE/GND和散热焊盘
6.2 关键元件选型
- 栅极驱动电阻:20kΩ(对应100V/ns转换速率)
- 自举二极管:600V SOD-123封装器件
- 隔离器件:ISO7741F(四通道)和ISO7762F(六通道)
七、安全操作指南
- 工作环境:
- 仅限专业开发实验室使用
- 需配备合格观察人员
- 设置高压警示标识
- 个人防护:
- 佩戴绝缘手套和护目镜
- 使用绝缘工具操作
- 上电规程:
- 先确认所有连接正确
- 从低压开始逐步升高输入电压
- 禁止在最大额定电压下直接启动
- 故障处理:
- 出现FAULT信号应立即关断所有开关管
- 检查散热条件是否满足要求
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