STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半桥电源模块配有MASTERGAN1L,其可快速创建拓扑,无需完整的PCB设计。该模块经过微调,可用于LLC应用,其低侧电阻器设置为零,外部体二极管与每个半桥GaN并联。该模块还可用于有源钳位或谐振峰值电流模式反激式应用,仅需适当调整低侧检测电阻器并消除并联二极管。
数据手册:*附件:STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半桥电源模块数据手册.pdf
PCB中嵌入了两个6V替代线性稳压器:一个简易的低成本稳压器和一个更精密的温度独立稳压器。由于采用外部自举二极管和电容器,因此可为VCC、PVCC和Vbo正确供电。该模块只接受单独的驱动信号,通过调整专用RC滤波器可以调制延迟时间。
特性
- 配备MASTERGAN1L的GaN半桥子板,适合用于需要快速唤醒的电源应用
- 嵌入独立可调死区时间,用于LIN和HIN信号
- 6V板载替代选项
- 分立式自举二极管和电容器,用于高频解决方案
- 可调低侧分流器,用于峰值电流模式控制算法
- 外部并联体二极管,满足LLC应用需求
- 45°C/W结点至环境热阻(无需强制气流,以评估大型电源拓扑
- 30mm x 40mm宽FR-4 PCB
- 符合RoHS指令
示意图

基于MASTERGAN1L的GaN半桥电源模块技术解析与应用指南
一、模块核心特性与架构设计
EVLMG1LPBRDR1是集成MASTERGAN1L的氮化镓半桥功率模块,专为高效能电源应用优化。其技术亮点包括:
- 独立死区调节:LIN/HIN信号支持独立可调死区时间,适配不同开关频率需求
- 双路径供电方案:板载两种6V稳压器(低成本基础版与高精度温度稳定版)
- 高频优化设计:分立式 bootstrap 二极管与电容支持高频开关操作
- 多功能检测接口:可调节低侧采样电阻支持峰值电流模式控制
- 热管理能力:45°C/W结到环境热阻(无强制风冷)
- 应用拓扑兼容性:通过外置并联体二极管支持LLC谐振架构
二、引脚功能深度解析
模块采用15引脚连接器(详见表1),关键引脚配置如下:
- 功率端口(引脚1-8):
- VH(1,2):高压输入,直连MASTERGAN1L的VS引脚(推荐工作电压520V)
- OUT(4,5):功率输出端,连接谐振网络或变压器
- POWER GND(7,8):功率器件参考地
- 控制端口(引脚9-13):
- SD/OD(9):通过外部信号使能/禁用器件(默认上拉至VCC)
- LIN/HIN(11,12):驱动信号输入,兼容0-20V电平
- 供电与检测(引脚14-15):
- VAUX_REG(14):板载稳压器输入,默认配置选用高精度稳压电路
三、典型应用场景配置方案
3.1 LLC谐振变换器
- 拓扑适配:R17-R20采样电阻预设为0Ω,低侧GaN直接连接功率地
- 效率优化:并联二极管D6、D7降低电流循环期间压降
- 动态响应:MASTERGAN1L在LIN脉冲后实现快速唤醒,提升突发模式效率
- 连接方式:VH接入高压母线,OUT连接谐振腔,控制器通过LIN/HIN发送互补PWM
- 散热设计:基于45°C/W热阻计算最大可管理功率(参考AN5644设计案例)
3.2 反激变换器拓扑
- 有源钳位反激(图4):需配置采样电阻(R17-R20),移除D6、D7,高侧GaN必须通过D11(6.2V齐纳二极管)保护
- 谐振反激(图5):SENSE引脚连接控制器实现峰值电流检测
- 关键设置:调整RC滤波网络(R12/C15、R11/C16)实现输入信号延时调节
3.3 同步逆降变换器
- 非隔离架构:适用于大功率LED驱动(参考AN5865实现500W输出)
- 保留采样电阻配置
- 移除并联二极管D6、D7
- 始终安装高侧GaN保护齐纳管D11
四、硬件设计关键要素
4.1 供电架构
- 核心供电:外部电源输入VAUX_REG → 稳压器U1+Q1生成精准6V → 二极管D10送至VCC → bootstrap网络(D2+C9)生成高侧驱动电压
- 备用方案:可选择低成本稳压电路(Q2+D4)
4.2 布局与散热
- PCB尺寸:30×40mm FR-4板材
- 热阻特性:自然冷却条件下Rth(J-A)=45°C/W(参考AN5917优化指南)
五、物料选型与替代方案
模块采用标准封装器件(详见表2):
- 功率器件:MASTERGAN1L(QFN9×9mm)集成600V GaN HEMT与高压驱动
- 关键备选:
- C12/R10可配置为缓冲网络优化EMI
- 两种稳压器方案支持成本/精度权衡选择
六、设计验证与参考资源
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