该DRV8932为工业应用提供四个半桥驱动器。该器件可用于驱动多达四个电磁阀负载、两个直流电机、一个步进电机或其他负载。
每个通道的输出级由配置在半桥中的N沟道功率MOSFET组成。简单的PWM接口允许与控制器轻松连接。该DRV8932采用单电源供电,支持4.5 V至33 V的宽输入电源范围。该DRV8932每通道可提供高达 1.5A 的峰值或 1.05A RMS 的输出电流(取决于 PCB 设计)。
*附件:drv8932.pdf
提供低功耗睡眠模式,通过关闭大部分内部电路来实现低静态电流消耗。提供内部保护功能,用于欠压锁定、每个 FET 上的过流保护、短路保护和过热。故障情况由nFAULT引脚指示。
特性
- 四半桥驱动器
- 最多可驱动四个电磁阀负载、两个直流电机、一个步进电机或其他负载
- 集成电流检测和调节
- 4.5V 至 33V 工作电源电压范围
- 低R
DS(开):900 mΩ HS + LS,24 V,25°C - 24 V、25°C 时最大驱动电流为 1.5A
- 引脚对引脚兼容 -
- 可配置的关断时间PWM斩波
- 7、16、24 或 32 μs
- 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
- 低电流睡眠模式 (2 μA)
- 扩频时钟,实现低 EMI
- 小封装和占地面积
- 保护功能
参数

方框图

1. 核心特性
- 四路半桥架构:可驱动4个螺线管负载、2个直流电机、1个步进电机或其他负载。
- 集成电流检测与调节:无需外部检测电阻,支持精准电流控制。
- 宽电压范围:工作电压4.5V至33V,峰值电流1.5A(24V/25°C时)。
- 低导通电阻:900mΩ(高边+低边,24V/25°C)。
- 可配置PWM关断时间:支持7μs、16μs、24μs或32μs选项。
- 兼容多种逻辑电平:1.8V/3.3V/5V逻辑输入。
- 低功耗睡眠模式:静态电流低至2μA。
- 保护功能:欠压锁定(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)、过流保护(OCP)、热关断(OTSD)。
2. 关键参数
- 电流调节:通过VREF12/VREF34引脚电压设定电流阈值(ITRIP = VREF / 2.2 V/A)。
- 热性能:
- HTSSOP封装RθJA为33°C/W
- VQFN封装RθJA为43°C/W
- 封装选项:
- HTSSOP-28(PWP):9.7mm×4.4mm,带散热焊盘
- VQFN-24(RGE):4mm×4mm
3. 功能模块
- 电流调节模式:
- 固定关断时间:通过TOFF引脚配置,适用于简单电流斩波。
- 周期控制模式:通过PWM占空比调节电流。
- 电荷泵设计:集成电荷泵驱动高边N沟道MOSFET,需外接0.22μF储能电容。
- 保护机制:
- 故障自动恢复(如过流保护4ms重试)。
- 热关断阈值150°C(滞后20°C)。
4. 应用领域
5. 设计要点
- 布局建议:
- VM引脚需就近放置0.01μF陶瓷电容和 bulk电容。
- 电荷泵电容(CPH-CPL)推荐0.022μF。
- 热管理:
- 计算总功耗(传导损耗+开关损耗+静态损耗)。
- 示例:24V/0.6A负载下HTSSOP封装结温约58°C(25°C环境)。
6. 典型应用电路
- 驱动螺线管:配置VREF分压电阻设定电流,TOFF选择32μs以降低纹波。
- 电机控制:通过PWM接口实现双向调速,支持100%占空比。
7. 文档结构
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