、不间断电源(UPS)中的功率开关驱动。
电机驱动与控制:可用于伺服驱动器、变频器、工业泵阀等设备的低边开关驱动。
通用功率开关驱动:广泛适用于需要可靠、高速驱动MOSFET或IGBT的各种功率转换与控制系统。
#SiLM27531 #低边驱动器 #门极驱动
2025-12-29 08:33:43
探索GD3162:先进IGBT/SiC栅极驱动器的卓越性能 作为电子工程师,在设计xEV牵引逆变器时,选择合适的栅极驱动器至关重要。今天,我们就来深入了解一下NXP的GD3162——一款先进的单通道
2025-12-24 14:25:02
222 空间。
设计灵活且安全:宽输入电压兼容性使其易于连接各类控制芯片,结合精准的UVLO保护和时序控制,为系统安全稳定运行提供了更多保障。
典型应用场景:
工业电机与驱动:适用于伺服驱动器、变频器、工业
2025-12-23 08:36:15
的6ED2231S12T,一款具备集成自举二极管和过流保护(OCP)功能的1200V三相栅极驱动器。 文件下载: 6ED2231S12T.pdf 产品概述 6ED2231S12T采用英飞凌的薄膜SOI
2025-12-20 14:25:02
657 6EDL04系列三相栅极驱动器:设计应用全解析 在电力电子领域,栅极驱动器对于功率器件的高效、稳定运行起着至关重要的作用。今天我们要深入探讨的是英飞凌(Infineon)的6EDL04系列三相栅极
2025-12-19 09:25:17
141 稳定运行具有重要意义。 一、变频器过流的典型表现 当变频器检测到输出电流超过额定值的120%-150%(不同品牌阈值略有差异),会触发过流保护(OC故障)。具体表现为: 1. 加速/减速过流:在电机启动或停止过程中,由于电流突变导
2025-12-18 07:45:02
366 、死区2.5μs、过流闭锁
中高压变频器(IGBT/MOSFET)、通用三相逆变
DRV8376(TI)
集成FET三相驱动器
4.5–65V;最大70V
峰值4.5A;RDS(ON) 400mΩ(高
2025-12-08 03:54:37
在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)广泛应用于太阳能逆变器、电机控制和不间断电源等大功率应用中。而IGBT的可靠驱动对于整个系统的性能和稳定性至关重要。今天,我们就来深入了解一下ON Semiconductor推出的NCD5703A、NCD5703B和NCD5703C这三款高性能IGBT门极驱动器。
2025-12-02 15:16:57
414 
在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为关键的功率开关器件,被广泛应用于各种高功率场景。而IGBT门极驱动器的性能,直接影响着IGBT的开关特性和系统的整体性能。今天,我们就来深入探讨安森美(onsemi)推出的NCx5710y系列高电流单通道IGBT驱动器。
2025-12-01 14:24:47
452 
BOM成本。
应用
工业电机驱动:伺服驱动和变频器,其高CMTI和低延迟确保IGBT在开关噪声下稳定运行。
新能源系统:太阳能逆变器和储能变流器,宽电源电压(10V–40V)和宽温范围适应户外极端环境
2025-12-01 08:25:19
一、概述:SLM21814CJ-DG是一款高压高速高低边门极驱动器,专为驱动MOSFET和IGBT设计。其核心优势在于600V高耐压能力、2.5A/3.5A非对称驱动电流以及全电压范围内的浮动通道
2025-11-20 08:47:23
SiLM27517HAD-7G 单通道高欠压保护低边门极驱动器,专为驱动MOSFET、IGBT及宽禁带半导体(如GaN)设计。核心优势在于18ns的极速传输延迟、4A/5A非对称驱动能力以及
2025-11-19 08:40:33
在电源输入端突然出现异常高压时,过压保护功能至关重要。以东芝TCKE8系列为例,当输入电压超过设定的过压钳位值(OVC)时,eFuse IC会将输出电压限制在安全范围内,避免高压冲击损坏后级精密电路。
2025-11-18 16:12:24
3061 
栅极驱动器是连接控制芯片和功率开关、实现高低压隔离的安全桥梁。在电子电力系统中,无论是新能源汽车的电驱电控、光伏逆变器、工业变频器,其核心都离不开栅极驱动器的精准控制。
2025-11-18 14:30:16
998 
的解决方案。这款驱动器不仅适用于传统MOSFET和IGBT,更能完美匹配GaN等新兴宽带隙功率器件的苛刻需求。
特性详解:
1.极致速度:18ns传输延迟配合7ns/6ns的开关时间
2.强劲驱动
2025-11-17 08:25:27
有没有在电机驱动和电源设计中被隔离驱动问题而困扰许久的,直到看到了SiLM5350SABCA-DG这款单通道隔离栅极驱动器能同时驾驭MOSFET、IGBT和SiC/GaN器件。
一、特性:
驱动
2025-11-15 10:00:15
特性
驱动能力:峰值源电流4A / 灌电流5A,轻松拿捏MOSFET和IGBT
响应速度:传播延迟仅18ns,上升/下降时间9ns/6ns
电源适应性:单电源13.5V~20V,欠压保护点
2025-11-14 08:22:24
Vishay Semiconductors VOFD341A IGBT和MOSFET驱动器是采用加长SO-6封装的紧凑型、快速开关IGBT和MOSFET驱动器。VOFD341A光耦合器具有3A高峰
2025-11-11 16:33:48
1436 Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驱动器是采用加长SO-6封装的紧凑型高设计、快速开关IGBT和MOSFET驱动器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:34
1412 、能源等多个领域,如开关电源模块、直流-直流转换器、光伏逆变器及UPS、电机控制、充电模块以及充电桩等多种领域。
#SiLM27531 #高欠压保护阈值 #高速低边门极驱动器
2025-11-04 08:48:24
MADDT1205A21驱动器作为松下MINAS A4系列伺服驱动器,具备以下保护功能: 1. 电源保护 欠压/过压保护 :检测控制电源(ERR11)和主电源(ERR13)电压异常
2025-10-25 08:57:10
756 栅极驱动器是连接控制芯片和功率开关、实现高低压隔离的安全桥梁。在电子电力系统中,无论是新能源汽车的电驱电控、光伏逆变器,,还是工业变频器,其核心都离不开栅极驱动器的精准控制。
2025-10-21 11:50:04
1972 
STDRIVEG610具有 单输入控制 和 引导操作,只需极少的外部组件即可实现高效的高侧和低侧切换。该设备支持高达600V 的高侧驱动器,并在低端和高端均包含欠压锁定 (UVLO) 保护,以确保安全运行
2025-10-17 14:12:56
390 
诊断的保护功能,例如欠压和过压监控器、离线开路负载和短路诊断,以及基于区域的热监控和关断保护。该器件具有 6 个集成半桥(2 个高侧交替模式)、6 个集成高侧驱动器、一个用于加热器的外部高侧栅极驱动器、一个用于电致变色电荷的外部高侧栅极驱动器和一个用于电致变色负载放电的集成低侧驱动器。
2025-10-11 11:10:04
661 
Microchip XIFM栅极驱动器是一款智能、隔离式即插即用mSiC™ 栅极驱动器,设计用于驱动3.3kV SiC模块,采用高压 (HV) 封装,如HV LinPak/HV100。Microchip XIFM栅极驱动器包括栅极驱动控制、电源、光纤接口和高压隔离 (10.2kV)。
2025-10-10 09:48:26
471 
NSI6602A-DSWR:具备5700Vrms隔离与100kV/μs CMTI的高可靠性双通道驱动器,一款非常可靠的隔离式双通道栅极驱动器,特别适合那些对可靠性和抗干扰能力有严苛要求的功率
2025-09-29 08:40:07
栅极驱动器是连接控制芯片和功率开关、实现高低压隔离的安全桥梁。在电子电力系统中,无论是新能源汽车的电驱电控、光伏逆变器、工业变频器,其核心都离不开栅极驱动器的精准控制。
2025-09-26 11:45:20
2366 
这种AC-DC的电源过压保护是否需要增加?如何设计过压保护电路?欠压保护芯片是自带的HV脚
2025-09-25 10:57:44
UCC5714x 通过 OCP 引脚提供过流保护。当在 OCP 引脚上检测到过流信号时,内部电路将下拉 EN/FLT 引脚以报告故障并强制 OUT 到低电平。在驱动器正常运行期间,EN/FLT 上
2025-09-25 10:22:57
1390 
OCP 引脚提供过流保护。当在 OCP 引脚上检测到过流信号时,内部电路将下拉 EN/FLT 引脚以报告故障并强制 OUT 到低电平。在驱动器正常运行期间,EN/FLT 上需要一个外部上拉电路。将 EN
2025-09-25 10:14:41
1443 
SLM341CK-DG是一款单通道、兼容光耦管脚的隔离式栅极驱动器,专为驱动IGBT和MOSFET设计。其具备3.0A峰值输出电流和12.5V的欠压锁定(UVLO)功能,在共模瞬态抗扰度(CMTI
2025-09-19 09:24:19
保险丝与压敏电阻:过流与过压保护在进行电路设计时,过流(Overcurrent)与过压(Overvoltage)是必须解决的两个基本问题。保险丝(Fuse)和压敏电阻(Varistor/MOV
2025-09-17 11:53:40
647 
变频器驱动IGBT的时 检测gnd与机壳的波形会叠加一个igbt驱动频率在上面,请问各位大神 这个是什么原因引起的
2025-09-11 14:54:07
Texas Instruments UCC21737-Q1单通道栅极驱动器是一款电流隔离式栅极驱动器,设计用于工作电压高达2121V DC的SiC MOSFET和IGBT,具有先进的保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性。该器件具有高达 ±10A的峰值拉电流和灌电流。
2025-09-09 15:37:02
774 
NSI6602B-DSPNR一款高性能隔离式双通道栅极驱动器,专用于驱动开关频率最高达2MHz的功率晶体管。集成双通道输出,具备4A/6A的峰值拉灌电流能力及3000Vrms隔离耐压(SOP16封装
2025-09-08 08:47:50
该TPS65563A为充电光电闪光灯电容器和带有绝缘栅双极传输 (IGBT) 驱动器的闪光氙管提供了完整的解决方案。该器件具有集成基准电压源、电源开关 (SW)、用于峰值电流检测/功率软件导通检测/充电完成检测的比较器、一个 IGBT 驱动器以及用于充电应用/驱动 IGBT 应用的控制逻辑。
2025-09-03 11:07:13
2176 
Texas Instruments TIOS102/TIOS102x数字传感器输出驱动器可配置为高侧、低侧或推挽式驱动器。这些器件能够承受高达1.2kV (500Ω) 的IEC 61000-4-5
2025-08-29 10:25:25
574 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器,设计用于驱动EV/HEV应用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22
740 
Texas Instruments UCC21755-Q1汽车栅极驱动器设计用于高达2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高级保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性。
2025-08-27 15:17:20
1656 
可靠的工业电源不仅对供电至关重要,而且还能保护自身及其负载免受过压、过流和短路条件的损害。在本文中,我们将探讨这些保护机制的重要性,并重点介绍 RECOM RACPRO1 系列 DIN 导轨电源
2025-08-25 15:21:31
1041 
SLM27526EN-DG是一款高性能双通道低边门极驱动器,专为高效驱动MOSFET、IGBT以及新兴的GaN等功率器件而设计。其具备4.5A源极和5.5A灌电流峰值驱动能力,传播延迟低至18ns
2025-08-20 08:31:00
。这一特性在高压、高噪声环境中(如电机驱动、逆变器)尤为重要,它能有效防止开关噪声导致的误触发,保障系统运行的绝对稳定性和可靠性。
灵活的死区控制: 该驱动器的一大特色是其 可编程死区时间 (DT) 功能
2025-08-16 09:18:54
SiLM5343ATCR-DG 是一款定位精准、性能卓越的单通道隔离栅极驱动器。其核心价值在于:在完全兼容传统光耦隔离驱动器引脚布局的前提下,提供显著超越光耦的性能与可靠性,是驱动IGBT
2025-08-15 08:56:44
35ns (最大值) 以内,保障多路应用时序精度。
强悍抗扰: 最小 150kV/µs 的共模瞬态抗扰度 (CMTI),有效抵御功率侧噪声冲击,系统运行更稳定。
宽压适应: 驱动器输出电源电压范围 10V
2025-08-14 08:37:14
CMTI)和完备认证,SLMi333CG-DG为工程师在电机驱动、工业电源及新能源逆变器等应用领域,提供了一款高可靠、易设计、具备出色持续运行能力的国产驱动解决方案,是大功率场景下的可靠伙伴。#SLMi333 #隔离驱动器 #门极驱动 #单通道带保护 #FOD8333
2025-08-13 08:31:37
开关电源应用中的首选。而IGBT栅极驱动器作为控制和驱动IGBT的核心器件,其重要性愈发显著。IGBT栅极驱动器的结构剖析1.输入端:信号接收的关键IGBT栅极驱动
2025-08-12 14:42:49
1876 
单通道隔离IGBT/功率MOSFET驱动器——SiLM5932SHOCG-DG,适合需要强驱动能力和完善保护功能的中高功率应用,替代UCC21750DWR。核心性能:
强劲驱动: 提供高达12A
2025-08-12 08:33:41
和6A峰值灌电流,可驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。UCC21550/UCC21550-Q1驱动器是光隔离栅极驱动器,配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。通过
2025-08-11 14:36:40
1136 
在追求高效率、高功率密度的开关电源、DC-DC转换器、逆变器及电机驱动系统中(尤其汽车电子领域),驱动器的性能至关重要。针对GaN、SiC等宽带隙器件对高速、强驱动力和高驱动电压的需求
2025-08-09 09:18:36
台达变频器VFD-M使用手册
2025-08-05 16:12:14
16 在高电压开关电源设计中,选择一款耐压可靠、抗干扰性强且兼容性好的半桥驱动器至关重要SiLM2004ECA-DG 正是为应对此类挑战而生的高性能解决方案。采用专有高压IC工艺和锁存免疫CMOS技术
2025-07-30 08:49:53
永磁电机调速驱动器、伺服驱动器与变频器作为现代工业控制领域的三大核心动力装置,在电机控制领域各具特色且存在交叉应用。但在应用过程中,它们之间存在一些异同点。以下是对这三者的详细比较: 一、永磁
2025-07-30 07:35:41
1073 
在电机驱动、电源转换和逆变器等领域,高效可靠的高低边门极驱动器是核心组件。SLM21867CA-DG这款SOP8封装的驱动器,凭借其卓越性能和兼容性,完美替代IRS21867S。
优势
2025-07-29 08:46:54
电子发烧友网为你提供()6通道、高效率白光LED驱动器,带有触摸屏驱动器电源相关产品参数、数据手册,更有6通道、高效率白光LED驱动器,带有触摸屏驱动器电源的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文
2025-07-23 18:33:45

7.0mm,CTI > 600V。SMP8这小封装,安规方面一点不含糊,过工业认证底气足。
供电范围宽: 驱动侧电源 14V到40V,适应性强。输入还能扛 -30V反压。
温度范围广: 结温
2025-07-23 09:05:49
Texas Instruments bq2969过压保护器是一款高精度、低功耗过压保护器,具有3mA稳压输出电源,用于锂离子和LiFePO4 (LFP) 电池组应用。2节至4节电池堆中的每节电池均被
2025-07-22 15:12:00
572 
传统光耦驱动器的管脚,却在性能和可靠性上实现了显著飞跃,是升级现有光耦驱动方案的理想选择。
一、核心优势:超越光耦的性能与可靠性SLM34x系列专为高效驱动IGBT和MOSFET而设计。其最大亮点
2025-07-21 08:56:31
℃~+150℃结温)
符合GB4943.1-2022安全标准
四、场景化应用价值▶ 新能源:光伏逆变器/储能变流器/车载充电机(OBC)
▶ 工业控制:伺服驱动器/变频器/电磁感应加热
▶ 电机系统:电动汽车
2025-07-15 09:25:36
从事IGBT应用电路设计的工程技术人员在实际设计工作中参考。
全书共分为6章,在概述了IGBT的发展历程与发展趋势的基础上,讲解了IGBT的结构和工作特性、IGBT模块化技术、IGBT驱动电路设计
2025-07-14 17:32:41
Texas Instruments BQ2969T过压和过热保护器是用于2串联、3串联和4串联锂离子电池的高精度IC,具有LDO输出和 控制/PTC输入。2串联至4串联电池堆栈中的每节电池均受到过压
2025-07-14 10:22:37
630 
。
超高 CMTI: ≥100kV/μs (最小) 的共模瞬态抗扰度,确保在功率开关瞬态高压噪声下稳定工作,避免误触发。
宽压适应与可靠保护:
输出驱动电源(VDDA/B) 高达 40V,提供更大
2025-07-14 09:34:01
GB4943.1-2022),为终端产品合规性提供有力支持。
典型应用场景:
工业电机驱动: 交流电机驱动器、无刷直流(BLDC)电机驱动器(伺服、变频器等)
可再生能源: 太阳能逆变器、风电变流器
工业
2025-07-11 09:51:26
支持一次侧和二次侧主动短路 (ASC)。UCC5881-Q1在内部和外部电源上提供欠压和过压保护。该驱动器符合汽车应用类AEC-Q100认证。UCC5881-Q1驱动器用在HEV牵引逆变器和EV/HEV电源模块等应用中。
2025-07-10 14:42:37
799 
个半桥,无需外部电平转换器。GaN FET和驱动器元件具有内置电源轨欠压 锁定 (UVLO) 保护和内部自举电源电压箝位功能,可防止过驱动 (>5.4V)。Texas Instruments
2025-07-06 16:41:07
2906 
工作范围
系统级防护:
双通道独立 UVLO 监测 VDDA/VDDB,防止欠压驱动导致的器件应力;
故障安全逻辑(异常时强制输出低电平)避免功率级“盲区”风险。
四、典型应用场景
新能源电力转换
光伏逆变器/储能变流器
电动汽车充电模块
工业电源与伺服系统
通信电源/服务器电源
变频器与伺服驱动
2025-07-04 08:45:16
一、产品概述:高可靠性隔离驱动的集成化突破
SLMi8233BDCG是 双通道死区可编程隔离驱动器 ,专为高功率、高噪声环境设计。其核心采用双电容隔离技术与 OOK传输技术 ,实现5kVRMS隔离
2025-06-28 08:45:31
变频器开关噪声对控制板的耦合
四、典型应用场景
工业自动化
伺服驱动器 编码器信号隔离 (150Mbps传输抗电机绕组噪声)
PLC数字量输入模块 多通道隔离 (7kV浪涌防护应对现场感应雷击)
通信
2025-06-27 08:39:58
引脚配备欠压锁定(UVLO)保护。SOP16W封装提供 5kVRMS强化隔离 ,结合100kV/μs CMTI与 纳秒级传输精度 ,成为SiC/GaN及IGBT驱动的理想解决方案。
核心产品特性
驱动
2025-06-21 09:44:16
集成的36V、最大3.0A半桥以及非耗散集成电流检测 (IC)。TMC2240元件具有各种诊断和保护功能,例如短路/过流保护、热关断和欠压闭锁。在热关断和欠压闭锁事件中,驱动器被禁用。Analog
2025-06-17 10:24:20
1283 
<200ns)
案例:电动汽车充电桩的IGBT短路保护
抗共模噪声架构
100kV/μs CMTI抑制逆变器母线电压突变导致的误触发(光伏逆变器实测数据)
应用领域:
高频工业电源
2025-06-12 09:35:46
Si-IGBT+SiC-MOSFET并联混合驱动逆变器设计的关键要素
2025-06-06 08:25:17
2984 
ADuM4138 是一款已针对绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 驱动进行优化的单通道栅极驱动器。ADI 公司的 **i**Coupler^®^ 技术在输入信号和输出栅极驱动器之间实现隔离。
2025-05-30 14:14:44
1382 
驱动器之间实现隔离。
ADI 公司的芯片级变压器还可在芯片的高电压域和低电压域之间实现隔离式控制信息通信。可以从专门的故障输出中回读有关芯片状态的信息。ADuM4137 可为过流事件、远程温度过热事件、欠压锁定 (UVLO) 和热关断 (TSD) 提供隔离式故障报告
2025-05-30 10:32:44
837 
UCC21521 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 拉电流和 6A 灌电流峰值电流。它旨在驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉
2025-05-19 14:27:00
788 
UCC20520 是一款隔离式单输入、双通道栅极驱动器,具有 4A 拉电流和 6A 灌电流峰值电流。它旨在驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的传播
2025-05-19 14:21:04
568 
UCC5870-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器,旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶体管保护,例如基于分流电阻器的过流
2025-05-16 17:32:51
728 
UCC21710 是一款电隔离式单通道栅极驱动器,旨在驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有先进的集成保护、一流的动态性能和稳健性。UCC21710具有高达 ±10A
2025-05-16 17:26:07
843 
UCC5871-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器,旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶体管保护,例如基于分流电阻器的过流
2025-05-16 14:02:45
593 
UCC21738-Q1 是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,专为工作电压高达 2121V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而设计,具有先进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。该器件具有高达
2025-05-16 10:12:06
615 
UCC5880-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的可调驱动强度栅极驱动器,旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件包括功率晶体管保护,例如基于分流电阻器
2025-05-15 16:48:57
870 
UCC5710x 是一款单通道、高性能低侧 IGBT/SiC 栅极驱动器,适用于 PTC 加热器、牵引逆变器有源放电电路和其他辅助子系统等高功率汽车应用。它提供保护功能,包括欠压锁定 (UVLO
2025-05-15 15:15:51
1473 
UCC5710x-Q1 是一款单通道、高性能低侧 IGBT/SiC 栅极驱动器,适用于 PTC 加热器、牵引逆变器有源放电电路和其他辅助子系统等高功率汽车应用。它提供保护功能,包括欠压锁定
2025-05-15 14:57:43
1054 
UCC5710x 是一款单通道、高性能低侧 IGBT/SiC 栅极驱动器,适用于 PTC 加热器、牵引逆变器有源放电电路和其他辅助子系统等高功率汽车应用。它提供保护功能,包括欠压锁定 (UVLO
2025-05-15 13:55:40
2111 
UCC57102Z-Q1 是一款单通道、高性能低侧 IGBT/SiC 栅极驱动器,适用于高功率汽车应用,如 PTC 加热器、牵引逆变器有源放电电路和其他辅助子系统。它提供保护功能,包括欠压锁定
2025-05-15 13:34:29
1627 
UCC5881-Q1 器件是一款隔离式、高度可配置的可调驱动强度栅极驱动器,旨在驱动 EV/HEV 应用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件包括功率晶体管保护,例如基于分流电阻器
2025-05-15 11:32:02
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LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET,以模拟具有电源路径开/关控制以及过流和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源可保护和控制
2025-05-07 14:15:31
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开关电源应用中的首选。而IGBT栅极驱动器作为控制和驱动IGBT的核心器件,其重要性愈发显著。IGBT栅极驱动器的结构剖析1.输入端:信号接收的关键IGBT栅极驱动
2025-04-27 15:45:02
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如下是一款具有IGBT保护的驱动芯片,其如何检测并判断IGBT故障,并且在什么情况下触发该故障?
尤其是在一类短路和二类短路时是否应该触发,具体如何检测?
2025-04-05 20:16:16
33V,适合驱动 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率开关。集成的 UVLO 保护确保在异常情况下输出保持在低电平。输入侧供电电压 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之间工作,支持大多数数字控制器
2025-04-03 14:23:02
上电瞬间,或者负载突然断开等情形下出现。CN36B内部包括高精度电压源,振荡器,定时器,过压比较器,欠压比较器和控制电路单元。CN36B的过压保护阈值是6.9V(典型值),欠压阈值是3.43V
2025-03-24 13:56:45
上电瞬间,或者负载突然断开等情形下出现。CN36A内部包括高精度电压源,振荡器,定时器,过压比较器,欠压比较器和控制电路单元。CN36A的过压保护阈值是5.95V(典型值),欠压阈值是3.43V
2025-03-21 10:03:14
MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动沟道驱动器可用于独立驱动两个N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压最高可达300 V。逻辑输入
2025-03-18 16:37:02
0 变频器过流(OC)故障是工业控制中常见且影响严重的故障之一。当变频器检测到输出电流超过设定阈值时,会触发保护机制,导致变频器停机报警。以下是对变频器过流(OC)类故障的原因分析及处理方法的详细阐述
2025-03-16 17:15:42
3466 %以上。稳定可靠:
具备过压、过流、短路、过热等多重保护功能,确保设备安全运行。纯正弦波逆变器的应用场景家用和办公设备:为电视、冰箱、空调、电脑、打印机等设备提供稳定电源。适用于太阳能发电系统的离网或
2025-03-03 15:58:50
本指南将介绍如何使用泰克8通道5系列B MSO示波器的逆变器、电机和驱动器分析软件对变频驱动器的输入、直流母线和输出进行稳定、准确的电气测量,以及对电机进行机械测量。
2025-02-28 11:00:16
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%以上。稳定可靠:
具备过压、过流、短路、过热等多重保护功能,确保设备安全运行。纯正弦波逆变器的应用场景家用和办公设备:为电视、冰箱、空调、电脑、打印机等设备提供稳定电源。适用于太阳能发电系统的离网或
2025-02-27 15:52:59
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