UCC57102Z-Q1 是一款单通道、高性能低侧 IGBT/SiC 栅极驱动器,适用于高功率汽车应用,如 PTC 加热器、牵引逆变器有源放电电路和其他辅助子系统。它提供保护功能,包括欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT)、故障报告和热关断保护。UCC57102Z-Q1 的典型峰值驱动强度为 3A,其输入可以处理 –5V,这提高了具有中等接地反弹的系统的稳健性。输入与电源电压无关,可以连接到大多数控制器输出,以实现最大的控制灵活性。UCC57102Z-Q1 中提供的偏置电源的宽电压范围可适应双极电压。UCC57102Z-Q1 还提供精确的 5V 输出 LDO。
*附件:ucc57102z-q1.pdf
特性
- 适用于汽车应用
- 符合 AEC-Q100 标准
- 设备温度等级 1
- 典型的 3A 灌电流 3A 拉电流输出电流
- 具有可编程延迟的 DESAT 保护
- 发生故障时软关断
- 绝对最大 VDD 电压:30V
- 输入和使能引脚能够承受高达 –5V 的电压
- 严格的 UVLO 阈值,可实现偏置灵活性
- 典型 26ns 传播延迟
- 具有热关断功能的自我保护驱动器
- 宽偏置电压范围
- 采用 5mm × 4mm SOIC-8 封装
- 工作结温范围为 –40°C 至 150°C
参数
方框图
一、产品概述
- 产品名称:UCCZ-Q
- 类型:高速低侧栅极驱动器,具有DESAT保护功能,专为汽车应用设计
- 目标器件:驱动MOSFET、SiC MOSFET和IGBT功率开关
二、主要特性
- 驱动能力:典型峰值源电流和沉电流均为A
- DESAT保护:具有可编程延迟的DESAT保护功能,检测到故障时实现软关断
- 热关断功能:具备自保护功能,包括热关断
- 输入与使能引脚:可承受高达-V的电压,UVLO(欠压锁定)阈值紧密
- 传播延迟:典型传播延迟为ns
- 宽偏置电压范围:偏置电压范围宽,适用于多种应用
- 封装:mm × mm SOIC-封装
- 温度范围:结温范围为-°C至°C
三、电气特性
- 绝对最大额定值:
- VDD电压:V
- 输入和使能引脚电压:高达-V
- 输出信号电压:GND/VEE至VDD+.V
- ESD等级:
- HBM(人体模型):±V
- CDM(充电器件模型):±V
- 推荐工作条件:
- VDD电源:.V至V
- VEE电源:-V至V
- 结温:-°C至°C
四、保护功能
- UVLO(欠压锁定) :具有紧密的UVLO阈值,提供偏置灵活性
- DESAT保护:快速的过流和短路保护功能,防止功率半导体器件在故障期间损坏
- 热关断:当内部温度超过阈值时,自动关断以保护驱动器
五、其他功能
六、应用
七、封装与尺寸
- 封装类型:SOIC-
- 尺寸:.mm × .mm(封装尺寸),.mm × .mm(体尺寸,含引脚)
八、文档与支持
- 文档支持:提供了相关文档和支持资源的链接
- 修订历史:列出了文档的修订日期和修订内容
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