LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET,以模拟具有电源路径开/关控制以及过流和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源可保护和控制 12V 和 24V 汽车电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65 V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 驱动第一个 MOSFET,以取代肖特基二极管,用于反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中具有第二个 MOSFET,该器件允许使用 HGATE 控制在发生过流和过压事件时进行负载断开(ON/OFF 控制)。该器件具有集成的电流感应放大器,可通过可调节的过流和短路阈值提供精确的电流监控。该器件具有可调节的过压截止保护功能。该器件具有 SLEEP 模式,可实现超低静态电流消耗 (6 μA),同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65 V。
*附件:lm74900-q1.pdf
特性
- 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
- 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 功能安全
- 3V 至 65V 输入范围
- 低至 –65 V 的反向输入保护
- 在共漏极配置中驱动外部背靠背 N 沟道 MOSFET
- 具有 10.5mV A 至 C 正向压降调节的理想二极管作
- 低反向检测阈值 (–10.5 mV),具有快速关断响应 (0.5 μs)
- 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 可调过流和短路保护
- 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
- 可调的过压和欠压保护
- 2.5μA 的低关断电流 (EN=Low)
- 具有 6μA 电流的睡眠模式(EN=高,睡眠=低)
- 通过合适的 TVS 二极管满足汽车ISO7637瞬态要求
- 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
参数
方框图
1. 产品概述
LM74900-Q1是一款适用于汽车应用的理想二极管控制器,集成了电路断路器、欠压和过压保护功能,并具有故障输出。它驱动外部背对背N沟道MOSFET,在共漏配置下模拟理想二极管整流器,同时提供电源路径的通断控制。
2. 关键特性
- 宽输入范围:3V至65V,适用于12V和24V汽车电池供电的ECU。
- 反向输入保护:可承受并保护负载免受低至-65V的负电源电压。
- 理想二极管操作:正向电压降调节至10.5mV,反向检测阈值为-10.5mV,快速关断响应时间为0.5μs。
- 过流和短路保护:可调过流和短路保护阈值,模拟电路断路器功能。
- 过压和欠压保护:可调过压和欠压保护阈值,确保系统免受电压瞬态事件的影响。
- 低功耗模式:SLEEP模式下电流消耗仅为6μA,关机模式下电流消耗低至2.5μA。
- 小封装:24引脚VQFN封装,节省空间。
3. 功能描述
- 双门控输出:DGATE和HGATE两个独立的门控输出,分别控制背对背MOSFET,实现反向电池保护和负载断开功能。
- 电荷泵:为外部N沟道MOSFET提供必要的栅极驱动电压。
- 模拟电流监控:提供准确的电流监控输出(IMON),具有10%的精度。
- 故障输出:FLT引脚在过流、短路、过压或欠压事件时输出低电平故障信号。
- 可配置的重试和锁存行为:通过TMR引脚配置电路断路器的自动重试或锁存关闭行为。
4. 应用领域
5. 电气特性
- 工作结温范围:-40°C至+125°C。
- 供电电压:3V至65V。
- DGATE和HGATE栅极驱动电压:最高可达14.5V。
- 过流保护阈值:可调,通过ILIM引脚设置。
- 短路保护阈值:默认为20mV,可通过ISCP引脚调整。
6. 热特性
- 热阻:θJA为44°C/W,θJC(top)为38.3°C/W。
7. 封装与尺寸
- 封装类型:24引脚VQFN,尺寸为4.00mm × 4.00mm。
8. 应用与实现
9. 文档与支持
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