深度解析NCD5703A/B/C:高性能IGBT门极驱动器的卓越之选
在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)广泛应用于太阳能逆变器、电机控制和不间断电源等大功率应用中。而IGBT的可靠驱动对于整个系统的性能和稳定性至关重要。今天,我们就来深入了解一下ON Semiconductor推出的NCD5703A、NCD5703B和NCD5703C这三款高性能IGBT门极驱动器。
文件下载:onsemi NCV5703D IGBT栅极驱动器.pdf
产品概述
NCD5703A、NCD5703B和NCD5703C是专为大功率应用设计的高电流、高性能独立IGBT驱动器。它们通过消除外部输出缓冲器,提供了一种经济高效的解决方案。同时,这些驱动器具备多种保护功能,如精确的欠压锁定(UVLO)、去饱和保护(DESAT)和有源开漏故障输出(FAULT),并且具有精确的5.0V输出。此外,它们还能适应宽范围的偏置电源电压,包括单极性甚至NCD5703B还支持双极性电压。
这三款驱动器根据引脚配置的不同,还分别具备不同的特点。NCD5703A具有有源米勒钳位功能,可防止虚假的栅极导通;NCD5703B具有负输出电压,可增强IGBT的驱动能力;NCD5703C则提供了独立的高、低(VOH和VOL)驱动器输出,方便系统设计。它们均采用8引脚SOIC封装。

产品特性
高电流输出
在IGBT米勒平台电压下,驱动器能够提供高达+4/ - 6A的高电流输出,并且具有低输出阻抗,可增强IGBT的驱动能力。这使得驱动器在IGBT开关过程的关键阶段——米勒平台区域,能够提供足够的电流来快速充电或放电米勒电容,从而显著减少该阶段的持续时间,降低开关损耗。
短传播延迟与精确匹配
驱动器具有短传播延迟,并且能够精确匹配不同驱动器之间以及不同边沿的延迟。例如,NCD5703驱动器的延迟匹配可保证在±25ns以内,而许多竞争产品的延迟匹配可能超过250ns。这对于需要精确同步的系统至关重要,可有效避免脉冲宽度失真和死区时间丢失等问题,从而减少开关的交叉导通和额外的功率损耗,保护系统免受损坏。
多种保护功能
- 欠压锁定(UVLO):确保在电源电压低于设定阈值时,驱动器输出保持关闭状态,防止IGBT在低电压下工作,避免因驱动电压不足而导致的导通损耗增加。同时,当电源电压恢复正常时,驱动器能够自动恢复正常工作。
- 去饱和保护(DESAT):监测IGBT导通状态下的集电极 - 发射极电压,当该电压超过设定的阈值时,激活故障输出并关闭驱动器输出,从而保护IGBT免受过流等应力事件的影响。为了防止在IGBT开启初期因集电极 - 发射极电压较高而导致的误触发,DESAT保护具有可配置的消隐时间。
- 有源米勒钳位保护(仅NCD5703A):在半桥电路中,当另一侧IGBT导通时,通过提供一个低阻抗的路径将关闭的IGBT栅极电压钳位在阈值以下,防止因米勒效应导致的虚假导通,减少开关损耗。
其他特性
电气特性
文档中详细列出了NCD5703A、NCD5703B和NCD5703C在不同测试条件下的电气特性参数,包括逻辑输入和输出、驱动输出、动态特性等方面。这些参数为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据,帮助他们根据具体应用需求选择合适的驱动器,并进行合理的电路设计和参数调整。
例如,在驱动输出方面,给出了不同负载电流和温度条件下的输出低态和高态电压值,以及峰值驱动电流等参数。在动态特性方面,提供了开启延迟、关闭延迟、传播延迟失真等时间参数,这些参数对于评估驱动器在高速开关应用中的性能至关重要。
应用指南
高驱动电流能力的应用
在驱动不同规格的IGBT时,需要根据IGBT的输入电容和应用需求来选择合适的栅极电阻RG。对于较大的IGBT,由于其输入电容较大,需要更高的驱动电流,因此通常使用较低的RG;而对于较小的IGBT,输入电容较小,驱动电流需求较低,则可使用较高的RG。这样可以保证在大多数典型应用中,驱动器负载的RC时间常数保持相对稳定。
需要注意的是,当使用NCD5703驱动器与极低负载RC时间常数的负载配合时,可能会触发驱动器内部的保护电路,导致器件禁用。因此,在设计电路时,应参考文档中给出的推荐最小栅极电阻与IGBT栅极电容和栅极驱动走线电感的关系图,合理选择栅极电阻。
栅极电压范围
NCD5703B提供的VEE选项允许在有负电源的系统中使用负驱动电压,这不仅可以确保栅极电压不会因米勒效应而超过阈值电压,实现稳健的操作,还能在关断过渡时提供更高的驱动电流。但在使用该选项时,必须确保VEE引脚和GND引脚之间有足够的旁路电容。
此外,NCD5703的VCC范围较宽,用户可以根据实际需求灵活选择电源,优化系统性能或方便使用现有的电源。
欠压锁定(UVLO)的作用
UVLO功能确保了连接到驱动器输出的IGBT能够可靠地开关。在驱动器启动时,只有当VCC达到UVLO输出使能(VUVLO - OUT - ON)电平后,驱动器才会开始正常工作,输出状态由VIN信号控制。而在正常工作过程中,如果VCC下降到UVLO输出禁用(VUVLO - OUT - OFF)电平以下,故障输出将被激活,驱动器输出将在延迟一段时间后关闭,并保持该状态,直到VCC再次上升到VUVLO - OUT - ON以上。
合理设置UVLO的阈值非常重要。如果VUVLO - OUT - OFF过低,会导致IGBT在低栅极电压下工作,增加导通损耗;而VUVLO - OUT - ON过高则会增加开关损耗。NCD5703能够满足这些严格的要求,确保IGBT在正常的电源电压波动范围内稳定工作。
时序延迟对系统性能的影响
在大功率系统中,IGBT通常工作在相对较低的开关频率下,虽然驱动器本身的延迟可能不是非常关键,但不同驱动器之间以及不同边沿的延迟匹配却至关重要。NCD5703驱动器通过提供极低的脉冲宽度失真和出色的延迟匹配性能,有效解决了这一问题,避免了因延迟不匹配而导致的脉冲宽度失真和死区时间丢失,从而保证了系统的稳定性和可靠性。
输入信号与输出的关系
输入信号控制着栅极驱动器的输出。在隔离应用中,输入信号通常通过光耦合器或脉冲变压器传输。驱动器的输入和输出之间的关系由多个时间和电压值定义,包括输出开启和关闭延迟、上升和下降时间以及最小输入脉冲宽度等。在设计电路时,需要根据这些参数合理选择输入信号源,并确保输入信号满足驱动器的要求。
VREF引脚的使用
NCD5703提供了一个额外的5.0V输出(VREF),可用于为光耦合器接口或外部比较器接口等功能提供电源,最大可提供10mA的电流。无论是否使用该引脚的外部功能,都应使用至少100nF的电容对其进行旁路,以确保其稳定性。VREF在温度和线路/负载变化时具有很高的稳定性。
故障输出引脚的作用
故障输出引脚(FLT)为控制器提供了驱动器工作状态的反馈。当出现欠压锁定、去饱和保护或内部热关断等故障情况时,FLT信号将变为低电平,通知控制器驱动器出现问题,需要采取相应的纠正措施。具体的故障逻辑真值表在文档中给出,方便工程师进行系统设计和故障诊断。
热关断功能
NCD5703还具备热关断功能,当内部温度超过设定的阈值TSD时,经过一定的延迟后,FLT输出将被激活,驱动器输出将被拉低,许多内部电路将关闭。这一功能主要用于保护驱动器自身,防止因过热而损坏。当温度下降到第二个阈值以下时,驱动器将重新恢复正常工作。
机械封装与订购信息
这三款驱动器均采用8引脚SOIC封装,文档中提供了详细的机械尺寸图和封装规格,包括各引脚的定义和尺寸公差等信息。同时,还给出了具体的订购信息,包括不同型号的产品编号、封装形式和包装数量等。
总结
NCD5703A、NCD5703B和NCD5703C这三款IGBT门极驱动器凭借其高电流输出、短传播延迟、精确匹配、多种保护功能以及宽范围的电源适应性等优点,为大功率IGBT驱动应用提供了可靠的解决方案。在设计电路时,工程师需要根据具体的应用需求,合理选择驱动器型号,并参考文档中的电气特性和应用指南,进行优化设计,以确保系统的性能和稳定性。
你在实际应用中是否使用过类似的IGBT门极驱动器?遇到过哪些问题?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
-
IGBT
+关注
关注
1286文章
4263浏览量
260489 -
高性能
+关注
关注
0文章
397浏览量
21296 -
门极驱动器
+关注
关注
1文章
32浏览量
9764
发布评论请先 登录
深度解析SLM345CK-DG 40V, 1.0 A 高性能、高可靠性兼容光耦的隔离栅极驱动器
专为升级而生SiLM5343ATCR-DG 高性能40V/4A兼容光耦隔离驱动器
专业解析SiLM8263BAHB-DG 高性能双通道隔离栅极驱动器
SiLM27524NCA-DG双通道门极驱动器:18ns极速驱动的性能解析
SLM27526EN-DG 20V, 4.5A/5.5A双通道高速门极驱动器的性能解析与应用探索
如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路
安森美半导体推出IGBT门极驱动器 提供同类最佳的电流性能和保护特性
NCD5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立 同相
onsemi NCx57080y/NCx57081y:高性能IGBT/MOSFET栅极驱动器的卓越之选
安森美隔离式双通道IGBT栅极驱动器:NCx575y0系列的深度解析

深度解析NCD5703A/B/C:高性能IGBT门极驱动器的卓越之选
评论