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UCC57148 3A 低侧驱动器技术手册

科技绿洲 2025-09-25 10:22 次阅读
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UCC5714x 是一款单通道、高性能、低侧栅极驱动器,能够有效驱动 MOSFETIGBT 和 SiC 功率开关。UCC5714x 的典型峰值驱动强度为 3A。

UCC5714x 通过 OCP 引脚提供过流保护。当在 OCP 引脚上检测到过流信号时,内部电路将下拉 EN/FLT 引脚以报告故障并强制 OUT 到低电平。在驱动器正常运行期间,EN/FLT 上需要一个外部上拉电路。将 EN/FLT 拉低将禁用驱动程序。EN/FLT 还将报告 VDD 上的欠压锁定 (UVLO) 故障和过温故障。UCC5714x 为 SiC 和 IGBT 应用提供 8V 和 12V UVLO 选项。
*附件:ucc57148.pdf

特性

  • 典型 3A 灌电流 3A 源输出电流
  • -250mV 过流保护 (OCP) 阈值
  • 用于故障输出和使能的单引脚
  • 编程故障清除时间和过流检测响应时间
  • 绝对最大VDD电压:30V
  • 严格的 UVLO 阈值,实现偏置灵活性
  • 典型 26ns 传播延迟
  • 自保护驱动器,在 180°C 时具有热关断功能
  • 采用 2.9mm x 1.6mm SOT-23 封装
  • 工作结温范围为 –40°C 至 150°C

参数

image.png

方框图

image.png
1. 产品概述
UCC57142/UCC57148是德州仪器(TI)推出的高性能单通道低侧栅极驱动器,专为驱动MOSFET、IGBT和SiC功率开关设计,具有3A源/灌电流能力。关键特性包括:

  • 过流保护(OCP) ‌:-250mV阈值,支持快速故障响应
  • 集成保护功能‌:热关断(180°C)、欠压锁定(UVLO,8V/12V选项)
  • 高速响应‌:典型传播延迟26ns,上升/下降时间8ns/14ns(1.8nF负载)
  • 紧凑封装‌:2.9mm×1.6mm SOT-23

2. 核心功能

  • 输入级‌:兼容TTL/CMOS逻辑,1V迟滞增强抗噪能力,内置下拉电阻防浮空
  • 驱动级‌:NMOS+PMOS推挽结构,支持轨到轨输出,低导通电阻(ROH=5Ω,ROL=1Ω)
  • EN/FLT引脚‌:兼具使能(高电平激活)和故障报告功能(拉低指示OCP/UVLO/TSD故障)
  • OCP机制‌:通过OCP引脚检测负压(-10V耐压),触发后强制OUT为低并拉低EN/FLT

3. 电气参数

  • 电源范围‌:8.5V-26V(UCC57142为12V UVLO,UCC57148为8V UVLO)
  • 静态电流‌:0.7mA(典型值,VDD=6.5V)
  • 开关特性‌:
    • 传播延迟:26ns(上升)/28ns(下降)
    • OC响应时间:115ns(8V UVLO版)/220ns(12V UVLO版)
  • 热性能‌:结温范围-40°C至150°C,θJA=158.2°C/W(SOT-23封装)

4. 典型应用

  • 拓扑支持‌:数字控制PFC电机驱动、家电逆变器等单端拓扑
  • 设计要点‌:
    • 需外接EN/FLT上拉电路(如5V电源+RC网络)
    • 栅极电阻(Rg)优化开关速度与EMI平衡
    • 布局建议:缩短驱动回路以降低寄生电感

5. 保护机制时序

  • 故障恢复‌:通过外部RFLTC/CFLTC设置故障清除时间(tFLTC)
  • 热关断‌:触发后8μs内拉低EN/FLT,30°C迟滞防止振荡

6. 功率损耗计算
总损耗PDISS=PDC(静态)+PSW(动态),动态损耗公式:
PSW=0.5×Qg×VDD×fsw×(RON/(RON+RGATE)+ROFF/(ROFF+RGATE))
其中Qg为功率器件栅极电荷,fsw为开关频率。

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