畿道华城的三星华城半导体工厂停电约1分钟。 由于这次事故,三星电子停止了其位于韩国华城芯片工厂的部分DRAM和NAND闪存芯片生产线,该公司目前这些产线正在检修中。 预计损失将小于三星平泽半导体工厂在2018年的损失。在平泽半导体工厂停电期间,三星
2020-01-02 10:45:15
6202 早在2019年12月31日,韩国华城三星的Line 13工厂停电并因此导致生产中断后,人们担心这种中断将对更广泛的DRAM市场造成什么影响。但是,整个行业似乎完全忽略了这一事件。根据
2020-01-10 14:08:05
4241 据IHS公司的DRAM市场报告,随着 DRAM 价格降到了极低水平,如果厂商不转向效率更高的3x/2x纳米制程,可能面临重大亏损,三星电子等领先的内存供应商已经采用了上述制程。 三星第三季
2011-08-25 09:05:57
1422 
市场传出,DRAM龙头三星半导体计划减产三成标准型DRAM,产能转为生产行动式记忆体(Mobile DRAM),以因应苹果新机出货,同时通知OEM厂8月起不再调降标准型DRAM售价。法人预期,盘跌近七个月的DRAM价格可望止跌回升,华亚科、南亚科及华邦电等DRAM族群营运可望再起。
2015-08-03 07:55:21
594 存储产业整合,外界本以为三大厂能和平共存,坐享更高获利,没想到三星电子趁着对手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)转进20奈米不顺之际,增产抢市占,意图赶尽杀绝。Bernstein Research悲观预测,三星下手太狠,DRAM恐怕只剩三星一家独活
2016-04-13 10:42:16
986 据半导体市场调研机构DRAMeXchange消息,三星电子2016年第二季移动动态随机存储器(DRAM)的销售额同比增长19.4%至24.18亿美元,全球市场占有率升至61.5%,创下移动DRAM市场份额单独统计以来的历史最高纪录。
2016-08-18 10:05:40
1258 
三星近来状况频传,在 Galaxy Note 7 电池出包与管理层级涉及行贿被起诉后,近日业界又传出其产业重心存储模组产品良率出问题需紧急召回,由于三星于 PC DRAM 市占过半,这次良率出问题除了可能让三星集团的处境雪上加霜外,也会让价格已上扬的 PC DRAM 价格再度飙高。
2017-03-02 07:10:49
809 
业界消息指出,记忆体大厂三星电子自2月中旬起,陆续召回部分序号的18奈米制程DRAM模组,原因在于这些18奈米DRAM会导致电脑系统出错及出现蓝幕当机。
2017-03-06 09:18:32
1044 业界消息指出,存储器大厂三星电子自2月中旬起,陆续召回部分序号的18纳米制程DRAM模组,原因在于这些18纳米DRAM会导致电脑系统出错及出现蓝屏当机。由于三星在全球PC DRAM市占过半,据传召回的DRAM模组数量达10万条,业界认为将导致3月DRAM缺货雪上加霜,合约价将再见飙涨走势。
2017-03-06 09:34:28
1126 
之前外资曾警告,DRAM 荣景能否持续,取决于存储器龙头三星电子,要是三星扩产,好景恐怕无法持续。如今三星眼看 DRAM 利润诱人,传出决定扩产,新产线预计两年后完工。
2017-03-16 07:40:15
876 ,该公司今天宣布已经开始批量生产12GigabitLPDDR5DRAM芯片,旨在在未来智能手机中支持5G和AI功能。 三星此举非常重要,尤其是该公司在为其他移动设备制造商提供内存方面扮演着重要角色。三星的DRAM不仅可以在自家Galaxy系列手机和平板电脑中找到,也
2019-07-20 08:16:00
1343 3月25日消息 三星电子(Samsung Electronics)宣布,已经出货100万业界首款10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估,并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-26 09:12:56
4442 在DRAM市场,三星、SK海力士、美光占据主导地位,国产DRAM也在加速发展,代表性企业有合肥长鑫与紫光存储,但技术方面与头部厂商仍有较多大的差距。据中国闪存市场2020年二季度DRAM市场营收数据
2020-10-24 07:36:00
9478 韩国三星近期积极将极紫外(EUV)曝光技术应用在采用1z纳米制程的DRAM记忆体生产上,并且完成了量产。而根据半导体分析机构《TechInsights》拆解了分别采用EUV曝光技术和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31:36
3352 三星电子近期调整了今年的DRAM投资计划。据悉,该公司位于韩国平泽的P2工厂第一季度12英寸晶圆的投片量从3万/月提升至4万/月,年度DRAM投片量即将从6万片增加到7万片。
2021-03-03 09:36:44
3186 5月7日消息 由于质疑竞争对手的技术进展,三星决定公开自家DRAM产品的电路线宽,以显示三星在该领域的技术领先地位。据韩媒报导,三星准备打破DRAM业界传统,将公布自家DRAM产品电路
2021-05-07 10:25:35
2126 三星成功开发LPDDR5X DRAM三星的14纳米LPDDR5X在“速度、容量和省电”特性方面大幅提升,针对5G、AI、元宇宙等爆发式增长的未来尖端产业提供优秀的解决方案。
2021-11-09 10:23:47
2188 
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据市场调研机构Omdia的研究报告,随着全球需求复苏,韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入,有效结束减产。 Omdia在报告中指
2024-04-12 00:05:00
6369 
`这几年以来,国内巨头都在花大力气研发内存,以期打破垄断,尤其是三星的垄断。就移动DRAM而言,三星占了全球80%的份额,成为全球半导体领域的焦点。日前,三星一反常态,放缓了存储器半导体业务的扩张
2018-10-12 14:46:09
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称,三星此次试制出了20nm工艺的DRAM,并表示可以“采用同样的方法,达到10nm工艺”。 国际电子器件
2015-12-14 13:45:01
对DRAM价格带来不利的影响。三星打什么算盘颇堪玩味,而更多人担心,存储器产业也许在未来几年会有一个大的翻转,已经主导需求超过30年的DRAM、Flash组成存储器产业,会不会在MRAM等新技术出现后
2018-12-25 14:31:36
通过实验发现DRAM刷新数据有延迟,这个是任何资料都没有写到的,我通过奇偶间隔刷新方式解决了,但连续刷新数据超过54个时钟整个DRAM就会出现整体错位情况,请问DRAM还有什么特性我不知道会导致此现象?
2018-11-07 23:57:30
市场的35%。明年,至少两家中国集成电路供应商(睿力集成电路和晋华集成电路)将成功进入DRAM市场。尽管国产厂商的产能和制造流程最初不会与三星、SK 海力士或美光等公司匹敌,但看看中国的初创企业表现如何,将是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17
***地区厂商达17.9%。由于三星、海力士与美光等厂商在产能配置上着重于Flash颗粒以及CMOS Image Sensor等产品,2007年仅***地区厂商大量的扩充DRAM产品的产能,因此未来***地区厂商DRAM销售额比重仍将持续攀高。
2008-05-26 14:43:30
年收购电子芯片,收购电子IC,收购DDR ,收购集成电路芯片,收购内存芯片,大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR内存芯片系列,三星,现代,闪迪,金士顿,镁光,东芝,南亚,尔必达,华邦等各原装品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
三星加速制程微缩 DRAM进入40纳米世代
三星电子(Samsung Electronics)加速制程微缩,积极导入40纳米制程,第4季已开始小幅试产DDR3,预计2010年下半40纳米将成为主流制程
2009-11-18 09:20:55
645 三星将大批量生产30纳米DDR3 DRAM内存芯片
据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称,30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用,准备应用到产品中。
2010-02-03 10:06:26
1010 3月25日消息,据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称,它已经开始大批量生产新型移动DRAM内存芯片。
2011-03-25 10:45:30
1048 关于新一代LPDDR3移动DRAM技术,三星电子表示,这是继去年12月在电子行业首次开发30纳米级4Gb LPDDR2移动DRAM之后,不到九个月又成功开发出使用30纳米级工艺的4Gb LPDDR3移动DRAM技术的新一代产
2011-09-30 09:30:13
2597 19日,据外媒报,三星移动业务部表示,三星将考虑从竞争对手SK海力士购入移动存储芯片,以确保Galaxy S系列重要机型芯片供应。而从移动芯片稳步增长趋势,反映DRAM供应市场紧俏前景。
2013-04-22 09:58:48
1060 全球三大DRAM厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员,全力防堵DRAM技术流入中国大陆,让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板,也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员,遭到空前恫吓。
2016-12-26 09:44:48
1040 
用户,金士顿表态称今年DRAM内存还会面临缺货窘境,价格也会继续上涨。据了解,DRAM涨价的主要推手是三星公司。
2017-01-16 10:40:24
836 三星是全球最大的DRAM芯片供应商,自己一家就占据了47.5%的份额,远高于SK Hynix和美光。不仅如此,三星在DRAM技术上也遥遥领先于其他两家,去年3月份就宣布量产18nm工艺的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:57
2704 三星不仅是智能手机市场的老大,更重要的是三星还掌握了产业链至关重要的DRAM内存、NAND闪存及OLED屏幕,这三大部件上三星遥遥领先其他对手,手机OLED面板上更是占据95%以上的份额。
2017-04-20 10:47:02
1878 乎离DRAM价格稳定还有一段距离。据媒体报道,三星和SK海力士已经向客户发出了涨价通知,明年一季度DRAM将会继续涨8%,并且这个现状会在明年下半年再有好转,那就意味着上半年,DRAM依然是涨价为主旋律。
2017-12-21 10:29:23
6555 有研究表明未来的DRAM涨势还将不断向上提升,据悉三星将于2018年第1季价格再上调3%至5%。服务器市场仍是DRAM涨势最大的成长来源。
2017-12-21 13:34:59
913 三星在DRAM市场的霸主再一次的得到了增强。据报道,三星利用第一代10nm 制程工艺研发出了8Gb DDR4 芯片,这是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:01
2033 三星被人称为世界最赚钱的公司之一,三星Q3净利润高达98.7亿美元。近日三星又公布了第二代10纳米级8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是让人羡慕不已。
2017-12-22 15:31:33
1812 三星的DRAM市场表现十分强劲,并在近日宣布量产其第二代10纳米的8Gb DDR4 DRAM。为迎合市场庞大需求,三星将在明年扩大第一代DDR4 DRAM的产量。
2017-12-27 11:22:38
1145 据市场分析,GPU业者对绘图DRAM需求料将有增无减,2018年绘图DRAM销量会持续上扬,三星、SK海力士相继量产HBM2,价格比一般DRAM贵5倍。
2018-02-07 14:47:53
1952 ,因而引来政府关注,将可能使今年第一季的 DRAM 价格受到抑制。而目前三星是全球最大的存储器芯片厂商,有近 48% 的全球市占率。
2018-07-02 18:31:00
956 作为DRAM芯片的龙头企业,三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。据报道,三星悄悄启动了引入EUV(极紫外光)光刻工艺的DRAM内存芯片研发,基于1ynm。
2018-06-25 09:09:00
1128 12月20日,三星宣布已开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM,并持续扩大整体10nm级DRAM的生产,有助于满足全球不断飙升的DRAM芯片需求,继续加强三星市场竞争力。
2018-07-31 14:55:25
1102 传三星电子(Samsung Electronics)启动采用极紫外光(EUV)微影设备的DRAM生产研发,虽然三星目标2020年前量产16纳米DRAM,不过也有可能先推出17纳米制程产品。
2018-08-17 17:07:22
943 全球记忆体龙头三星原订本季完成每月增产3万片DRAM计划,决定延至今年底,为DRAM价格形成有力支撑。
2018-08-21 09:16:00
3449 日媒报道称三星明年的资本支出将下滑8%,其中DRAM内存投资大砍20%,三星针对DRAM产品不会考虑拼占有率而降价,砍投资的目标是维持内存高价位。
2018-10-09 10:46:39
4310 据日媒指出,三星2019年针对存储器的投资总体会减少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星将大减20%资本支出;而在NAND Flash部分,三星的投资仍将持续增加。
2018-10-10 16:13:44
3814 全球内存龙头三星电子传出将进行DRAM扩产计划,业界认为,由于建厂时间还要两年,难解今年缺货窘境,不过受心理层面影响,恐让下半年DRAM涨势止歇。
2018-10-25 15:59:26
1447 就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后,存储器产业也将追随。也就是全球存储器龙头三星在未来1Y纳米制程的DRAM存储器芯片生产上,也在研究导入EUV技术。而除了三星之外,韩国另一家
2018-10-29 17:03:24
4026 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 评论: 0 | 来自: 半导体产业网 摘要 : 10纳米级DRAM先进制程竞争逐渐升温,三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y
2018-11-12 18:04:02
533 在某个非用语音不可的事物被发明之前,智能语音助手只能将在线内容读给你听。而这样的语音技术并不能被称之为智能语音,它也只不过是内容的复读机罢了。整体而言,在人工智能爆发的当下,智能语音技术并没有我们想象的那么成功,未来它还有很长的路要走。
2018-12-17 11:11:47
1368 近两年人工智能取得突破,让人们对机器人取代人类有所担忧,不过就服务业来看,机器人要想取代人类还有很长的路要走。
2019-01-17 09:10:09
1066 三星电子14日表示,将批量生产史上最大容量的移动式DRAM“12GB LPDDR4X”(Low Power Double Data Rate 4X)。
2019-03-18 16:52:13
950 近日,三星官方宣布,公司将量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。据了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要针对未来智能手机,优化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:47
3256 都说现如今已经是新能源汽车的市场了,但就保有量来看,还是燃油车为主,新能源为辅、新能源汽车确实已成未来发展的趋势,但还是处于赛道的起点位置,各方面的技术还不太过硬,二手车市场更是一片混乱,所以只能说新能源汽车还有很长的路要走。
2019-11-19 16:51:31
448 本月DRAM现货价格急涨,以DRAM为主力商品的三星电子、SK海力士等半导体企业有望改善营收。
2019-12-18 16:36:54
3205 据ZDnet报道,三星宣布,已成功将EUV技术应用于DRAM的生产中。
2020-03-25 16:24:39
3360 三星电子(Samsung Electronics)今天宣布,已经出货100万业界首款10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组。新的基于EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估,并将为在高端PC、移动终端、企业级服务器等等应用领域开启新大门。
2020-03-25 16:53:57
2848 韩国三星电子于25已经成功出货100万个极紫外光刻技术(EUV)生产的业界首款10纳米级DDR4 DRAM模组,将为高端PC和移动设备及企业服务器和资料中心应用等提供更先进EUV制程技术产品。 三星
2020-04-03 15:47:51
1320 韩国记忆体两大厂三星(Samsung)与SK海力士(Hynix)同步看好动态随机存取记忆体(DRAM)后市,激励DRAM制造厂南亚科(2408)与华邦电(2344)股价走扬。 三星预期,受惠5G需求
2021-02-01 12:43:00
1296 据韩联社援引 TrendForce 的数据,三星目前仍是 NAND 闪存领域的领导者,按收入计算,其在全球 DRAM 市场中的份额在 7-9 月期间占 41.3%,相比上一季度下降了 2.2 个
2020-11-22 10:22:01
2037 而三星正利用这一时期扩大领先优势,三星计划明年将DRAM、闪存和代工芯片的月晶圆产能分别扩大3万、6万和2万片。
2020-11-24 14:34:08
2248 DIGITIMES消息,据韩国经济引述业界消息,受5G手机、自驾车、机器人等市场快速发展影响,CIS需求跟着激增,三星传决定2021年增加CIS产量。 消息表示,三星电子将于2021年将一座DRAM
2020-12-18 17:24:02
2900 DIGITIMES消息,据韩国经济引述业界消息,受5G手机、自驾车、机器人等市场快速发展影响,CIS需求跟着激增,三星传决定2021年增加CIS产量。 消息表示,三星电子将于2021年将一座DRAM
2020-12-18 18:24:31
2918 据韩国媒体报导,全球三大DRAM大厂韩国三星、SK海力士及美国美光(Micron)因涉嫌联合操纵DRAM内存价格,于当地时间5月3日遭美国律师事务所以损害消费者权益为由起诉。 NEWS1等韩媒报导称
2021-05-19 18:00:37
2541 近日,据韩媒报道称,三星的研发人员收到了中断1b工艺DRAM芯片开发的命令,要求直接研发1c工艺DRAM芯片,也就是跳过12nm工艺直接研发11nm工艺。 在此之前,三星也做出过类似的决定。曾经各大
2022-04-18 18:21:58
2244 -三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 官方发布 2022年12月21日,三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米
2022-12-21 11:08:29
1205 - 三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 中国深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星电子宣布,已成功开发出其首
2022-12-21 21:19:54
1342 
三星获利在市场共识下,应 2023 年第一季财报发表(4 月)就结束跌势。因看到 DRAM 供需动态改善,整体 DRAM 走跌周期因库存下降与价格下跌放缓等,第二季获利走跌逐渐趋缓。
2023-02-21 10:15:04
644 MOSS官网发布公告称,MOSS还是一个非常不成熟的模型,距离ChatGPT还有很长的路需要走。
2023-02-28 10:30:40
412 有传闻称,三星缓存DRAM将使用与hbm不同的成套方式。hbm目前水平连接到gpu,但缓存d内存垂直连接到gpu。据悉,hbm可以将多个dram垂直连接起来,提高数据处理速度,因此,现金dram仅用一个芯片就可以储存与整个hbm相同数量的数据。
2023-09-08 09:41:32
1571 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:57
1540 三星电子在此次会议上表示:“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram,目前正在开发的11纳米级dram将提供业界最高密度。”另外,三星正在准备10纳米dram的新的3d构架,并计划为一个芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:24
1720 三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后将开发的技术时,管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16
1330 部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%,不及3D TLC NAND约10%;
2024-01-03 10:46:21
1562 近期,全球DRAM市场风云再起。两大巨头三星和SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能,这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在,最新消息表明,DRAM价格有望在2024年第一季度迎来新一轮的上涨,涨幅预计达到15%至20%。
2024-01-03 14:35:20
1372 根据最新的存储器模组行业消息,随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升,三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格,涨幅预计将达到15%-20%。 业内分析师指出
2024-01-03 18:14:16
1738 数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:22
1580 近日,三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器,这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性,有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:03
1225 三星电子,全球领先的存储芯片制造商,近日宣布在美国设立新的研究实验室,专注于开发新一代3D DRAM技术。这个实验室将隶属于总部位于美国硅谷的Device Solutions America (DSA),负责三星在美国的半导体生产。
2024-01-30 10:48:46
1306 在Memcon 2024上,三星披露了两款全新的3D DRAM内存技术——垂直通道晶体管和堆栈DRAM。垂直通道晶体管通过降低器件面积占用,实现性能提升;
2024-04-01 15:43:08
1209 近日,三星宣布已开发出其首款支持高达10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。
2024-04-17 14:58:25
1241 在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?
2024-05-09 18:46:35
924 
在DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:49
1035 在今年的IEEE IMW 2024活动中,三星DRAM业务的资深副总裁Lee指出,已有多家科技巨头如三星成功制造出16层3D DRAM,其中美光更是发展至8层水平。
2024-05-22 15:02:20
1617 在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露,竞争对手美光也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
2024-05-29 14:44:07
1398 近日,业界传出三星电子HBM3E商业化进程迟缓的消息,据称这一状况或与HBM核心芯片DRAM有关。具体而言,1a DRAM的性能问题成为了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应的绊脚石。
2024-10-23 17:15:10
1255 近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:07
1411 据韩媒MoneyToday报道,三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星在HBM4
2025-01-22 14:27:24
1109 据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:15
1361 据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,三星电子为应对其12nm级
2025-01-23 15:05:11
923 据韩国媒体报道,三星电子正面临其第六代1cnm DRAM的良品率挑战,为确保HBM4内存的顺利量产,公司决定对设计进行重大调整。
2025-02-13 16:42:51
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