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电子发烧友网>存储技术>三星或将启用EUV设备进行DRAM研发生产

三星或将启用EUV设备进行DRAM研发生产

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关于美光DRAM路线图分析

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DRAM价格上涨,三星和SK海力士营收改善

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三星宣布全面导入EUV 预计12英寸晶圆生产翻番

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韩国三星电子于25日宣布,已经成功出货100 万个极紫外光刻技术(EUV)生产的业界首款10nm级DDR4 DRAM 模组,将为高端PC、移动设备、企业服务器和数据中心应用等提供更先进EUV制程技术产品,开启新里程碑。
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2020年3月25日,三星电子(Samsung Electronics)公开透露,在半导体生产的主要工序中首次采用了新一代“EUV(极紫外线)”光刻设备的量产线。成为在半导体存储芯片领域,全球首家使用EUV光刻设备
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三星成首家在DRAM生产采用EUV技术的存储器供应商

韩国三星电子于25已经成功出货100万个极紫外光刻技术(EUV生产的业界首款10纳米级DDR4 DRAM模组,将为高端PC和移动设备及企业服务器和资料中心应用等提供更先进EUV制程技术产品。 三星
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三星EUV与10nm工艺结合推出LPDDR5内存芯片

EUV,依靠现有的DUV(深紫外光刻)是玩不转的。 有意思的是,三星最近竟然EUV与相对上古的10nm工艺结合,用于量产旗下首批16Gb容量的LPDDR5内存芯片。 据悉,三星的新一代内存芯片是基于第代10nm级(1z)工艺打造,请注意16Gb容量的后缀,是Gb而不是GB,16Gb对应的其实是
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三星最新消息:苏州三星电脑工厂停产 三星手机中国市场金针探底

苏州三星电子电脑有限公司《致员工的相关说明》流出,关闭生产线,只保留研发部门员工。这一决定影响1000多名员工。
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美光声明:目前并无采用三星EUV计划

。 市调机构集邦科技预计,明年动态随机存取存储器(DRAM)可能跨入 EUV 世代,将由三星抢先导入 EUV 技术,以提升成本结构与生产效率。 据台媒指出,徐国晋 7 日接受采访时表示,美光目前采用浸润式设备,配合其他制程可以达到一样的效果,并无采用 EUV 计划。
2020-10-12 09:36:182072

EUV光刻机的数量有望成为三星半导体成长的关键

据悉,ASML是全球唯一能够生产EUV光刻机的厂商,年产量为40余台,台积电方面希望获得全数供应。EUV光刻机的价格昂贵,每台要价约1.3亿美元,由于是EUV制程必需的关键设备,台积电与三星电子的竞争日益激烈。
2020-10-13 13:51:522542

三星急需EUV光刻机赶产量_2022年再购买60部EUV设备

根据韩国媒体《BusinessKorea》的报道,日前三星电子副董事长李在镕前往荷兰拜访光刻机大厂ASML,其目的就是希望ASML的高层能答应提早交付三星已经同意购买的极紫外光光刻设备EUV)。
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三星要求ASML在一个月内交付9台EUV光刻设备

据韩媒报道,三星副董事长李在镕在访问荷兰期间,在会议上要求ASML在一个月内交付三星已购买的9台EUV光刻设备。 报道称,ASML正在审查三星的要求,这部分EUV设备最早可于11月运往韩国。 据悉
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三星EUV专利首次超过国外公司

在半导体工艺进入7nm之后,EUV光刻机就成为兵家必备大杀器了,全球也只有ASML公司能生产,单价达到10亿人民币一台。不过在EUV技术上,ASML还真不一定就是第一,专利比三星还少。
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三星2021年投产EUV工艺生产的内存

目前,EUV光刻机的部署安装主要在台积电、三星的晶圆代工厂。不过,内存厂商们也开始着手上马了。
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ASML高管访问三星讨论EUV光刻设备供应和开发合作

工厂,讨论了在EUV光刻设备供应和开发方面的合作。ASML官员与三星电子副董事长金基南及其他三星重要高管进行了会谈。三星电子副会长李在镕没有参加会议。 业内人士认为,三星电子要求供应更多EUV光刻设备,并讨论了两家公司在开发下一代EUV光刻设备方面的合作。 IT之家获悉,
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三星电子近期为争抢极紫外光(EUV设备,高层频频传出密访ASML。继三星电子副会长李在镕(Lee Jae-yong)10月亲自赴荷兰拜会ASML执行长Peter Wennink后,又再度传出
2020-12-02 15:25:392343

三星扩大部署EUV光刻工艺

更多诀窍,领先对手1到2年。 据悉,三星的1z nm DRAM代内存已经用上了一层EUV,第四代1a nm增加到4层。EUV光刻机的参与可以减少多重曝光工艺,提供工艺精度,从而可以减少生产时间、降低成本,并提高性能。 尽管SK海力士、美光等也在尝试EUV,但层数过少对
2020-12-04 18:26:542674

三星威胁龙头Sony市场地位,将用DRAM生产CIS

厂转换成用以生产CMOS图像传感器(CIS),预计届时CIS产量较目前提升约20%,威胁龙头Sony市场地位。 消息人士指出,三星系统LSI事业部感测事业组长朴容仁(音译),于三星投资者论坛问答表示,目前1.08亿像素以上的CIS订单增加,2021年预计转换1座华城12寸DRAM厂用来生产C
2020-12-18 17:24:022900

三星将用DRAM生产CIS

厂转换成用以生产CMOS图像传感器(CIS),预计届时CIS产量较目前提升约20%,威胁龙头Sony市场地位。 消息人士指出,三星系统LSI事业部感测事业组长朴容仁(音译),于三星投资者论坛问答表示,目前1.08亿像素以上的CIS订单增加,2021年预计转换1座华城12寸DRAM厂用来生产C
2020-12-18 18:24:312918

消息称美光开发EUV应用技术

根据韩国媒体《Etnews》报导指出,目前全球3大DRAM存储器中尚未明确表示采用EUV极紫外光刻机的美商美光(Micron),因日前招聘网站开始征求EUV工程师,揭露美光也在进行EUV运用于DRAM先进制程,准备与韩国三星、SK海力士竞争
2020-12-25 14:33:101953

美光科技开始提速EUV DRAM开发速度

美国美光科技开始提速EUV DRAM。加入到三星电子、SK海力士等全球第一、第二EUV厂商选择的EUV阵营后,后续EUV竞争更为激烈。
2020-12-25 14:43:132324

三星台积电EUV光刻机之战,逻辑半导体缩放继续

生产什么 这样,三星与台积电在EUV光刻设备的数量和成熟度、晶圆代工厂份额方面的差距不断扩大,投资133万亿韩元、聘用15000人的“Vision 2030”计划失败。就在汤之上隆这么想时,事态
2021-01-02 10:21:007394

三星EUV设备将会出现再度升级

近期三星为争抢EUV设备,高层频频传出密访ASML,EUV的重要性早已不言而喻。提到EUV,大家首先想到的就是ASML,ASML并不是一个家喻户晓的名字,但他却是现代技术的关键。因为它提供了制造半导体必不可少的“光刻”机器,在摩尔定律即将发展到尽头的现在,可以说,得EUV者得先进工艺。
2021-01-16 09:44:472694

三星电子采用三星显示的QD面板生产电视

韩媒ETNEWS 4日报道称,三星电子(Samsung Electronics)与三星显示(Samsung Display)达成了合作协议,三星电子采用三星显示的QD面板生产电视,预计2022年初发布全球首款QD量子点电视。
2021-02-18 11:02:153068

三星1z纳米EUV LPDDR5工艺规格抢先看

经过几个月的等待,我们终于看到三星电子极紫外(EUV)光刻技术应用于D1z DRAM的大规模量产。
2021-02-21 09:20:363744

三星砸430亿韩元研发EUV光罩保护膜

三星一方面在积极向唯一的EUV光刻机厂商ASML争取订单,另外一方面也在增资为EUV产业链输血。
2021-03-04 10:13:052369

三星中断12nm DRAM芯片开发,直接跨入11nm

近日,据韩媒报道称,三星研发人员收到了中断1b工艺DRAM芯片开发的命令,要求直接研发1c工艺DRAM芯片,也就是跳过12nm工艺直接研发11nm工艺。 在此之前,三星也做出过类似的决定。曾经各大
2022-04-18 18:21:582244

三星SD部门选择“半导体传奇”Jim Keller进行AI半导体合作

三星电子将与tenstorent、groq共同开发用于尖端it设备的人工智能半导体。如果实现批量生产,预计半导体将在三星电子构建的sub-5-nn euv工程生产线和2.5d包装设施中生产
2023-07-20 10:54:081177

三星削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

单芯片超过 100Gb,三星表示挑战业界最高密度 DRAM 芯片

三星电子在此次会议上表示:“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram,目前正在开发的11纳米级dram提供业界最高密度。”另外,三星正在准备10纳米dram的新的3d构架,并计划为一个芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片

三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后开发的技术时,管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星曝光技术大进展!

据报导,三星已主要客户的部分先进 EUV 代工生产在线导入 EUV 光罩护膜。虽然三星也在 DRAM 生产线中采用 EUV 制程,但考虑到生产率和成本,该公司认为即使没有光罩护膜也可以进行内存量产。
2023-12-05 15:09:011436

三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星正在研发新型LLW DRAM存储器

近日,三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器,这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性,有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:031225

三星在硅谷建立3D DRAM研发实验室

三星电子,全球领先的存储芯片制造商,近日宣布在美国设立新的研究实验室,专注于开发新一代3D DRAM技术。这个实验室隶属于总部位于美国硅谷的Device Solutions America (DSA),负责三星在美国的半导体生产
2024-01-30 10:48:461306

三星电子在硅谷设立下一代3D DRAM研发实验室

近日,三星电子宣布在硅谷设立下一代3D DRAM研发实验室,以加强其在存储技术领域的领先地位。该实验室的成立专注于开发具有更高性能和更低功耗的3D DRAM,以满足不断增长的数据存储需求。
2024-01-31 11:42:011285

三星积极研发LLW DRAM内存,剑指苹果下一代XR设备市场

近日,韩媒ZDNet Korea报道,三星电子正全力投入到低延迟宽I/O(LLW DRAM)内存的研发中,旨在为未来苹果Vision Pro之后的下一代头戴式显示器(XR设备)订单做好充分准备。这一举措标志着三星在高端智能设备内存领域的雄心壮志,以及其对市场格局重塑的坚定决心。
2024-07-18 15:19:241453

三星否认重新设计1b DRAM

据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星电子否认1b DRAM重新设计报道

据报道,三星电子已正式否认了有关其重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,三星电子为应对其12nm级
2025-01-23 15:05:11923

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