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电子发烧友网>存储技术>三星将进行DRAM扩产计划,下半年DRAM涨势恐止歇

三星将进行DRAM扩产计划,下半年DRAM涨势恐止歇

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DRAM涨价潮引发中国发改委关注 国产才是真出路

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原订本季发表的平价版MacBook Air延至下半年推出

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三星采取保守策略,DRAM投资大减,NAND闪存持续增投

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2020-12-28 15:49:032454

三星中断12nm DRAM芯片开发,直接跨入11nm

厂商都专心研究28nm DRAM芯片时,三星同样跨过了28nm,直接开始研发25nm工艺,最终取得了成功。 这次三星同样想靠弯道超车来与其他厂商拉开差距,占据行业领先地位。三星计划在6月完成11nm DRAM芯片的开发工作。 综合整理自 比特网 萬仟网 中文科技资讯 审核编辑
2022-04-18 18:21:582244

IC Insights:预计今年下半年全球DRAM营收较上半年骤减40%

电子产品需求,连带影响DRAM需求下滑,预期今年下半年DRAM营收滑落至293亿美元,较上半年的490亿美元大幅减少40%。 此外,TrendForce的研究数据也佐证了DRAM的趋势,全球2022年第
2022-11-22 10:53:111494

三星首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

-三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 官方发布    2022年12月21日,三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米
2022-12-21 11:08:291205

三星DRAM间接减产9%,占全球DRAM产量4%

三星获利在市场共识下,应 2023 年第一季财报发表(4 月)就结束跌势。因看到 DRAM 供需动态改善,整体 DRAM 走跌周期因库存下降与价格下跌放缓等,第二季获利走跌逐渐趋缓。
2023-02-21 10:15:04644

三星DRAM月产量降至两年来新低 行业频现库存改善信号

但这并不是全部,报道称三星内部计划减产持续至明年,在半导体市场重回供需平衡之前,公司避免存储芯片。Omdia预计,明年下半年三星DRAM月产量保持在60万片,较目前水平进一步减少。
2023-07-06 15:57:361181

三星电子坚持下调DRAM和NAND产能,即便市场需求上升

      近日有消息称,三星电子在当地时间周四发布的二季度财报中预计,存储芯片的需求在下半年逐渐恢复,但是即便如此,三星电子并没有计划增加产量,并且打算继续削减DRAM和NAND闪存的产量
2023-07-31 10:31:16816

三星再次减产,刺激DDR4价格上涨

三星公司计划在下半年再次削减DRAM制程的产能,而今年以来这一减产主要针对DDR4。业界普遍预期,三星的目标是在今年年底之前库存水平降至合理水平。这一减产举措可能会导致DDR4市场价格上涨,而目前
2023-09-15 17:42:081808

三星削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星计划p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

单芯片超过 100Gb,三星表示挑战业界最高密度 DRAM 芯片

三星电子在此次会议上表示:“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram,目前正在开发的11纳米级dram提供业界最高密度。”另外,三星正在准备10纳米dram的新的3d构架,并计划为一个芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片

三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后开发的技术时,管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

DRAM价格飙升,三星和美光计划Q1涨幅高达20%

根据最新的存储器模组行业消息,随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升,三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格,涨幅预计达到15%-20%。 业内分析师指出
2024-01-03 18:14:161738

三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580

2024年DRAM投片量:一季度微增,下半年剧增

DRAM稼动率缓步改善,业界认为,整体DRAM投片量从2024年第1季逐季提升,较2023年第4季小幅提升约5%左右,下半年投片量回升速度明显加快。
2024-01-23 10:53:041039

在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?

在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?
2024-05-09 18:46:35924

三星AI推理芯片Mach-1下半年量产,4nm工艺服务器级算力加持

三星已制定了Mach-1的生产计划:预计今年下半年实现量产,年底完成芯片交付,明年第一季度推出基于此芯片的推理服务器。此外,三星已获得Naver高达1万亿韩元(约合52.8亿元人民币)的预订订单。
2024-05-10 10:45:071441

涨价20%!三星、 SK 海力士停止供货这类芯片

业界传出,全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场抢货潮,导致近期DDR3价格飙涨,最高涨幅达二成,且下半年报价还会再上扬。
2024-05-14 10:31:58877

三星和SK海力士下半年停产DDR3内存

近日,三星和SK海力士宣布,将于下半年停止生产并供应DDR3内存,转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
2024-05-17 10:12:211563

戴尔预测DRAM与固态硬盘下半年价格持续上涨

在全球科技产业中,戴尔一直以其精准的市场洞察和卓越的供应链管理能力而著称。然而,在近期举行的2025财年第一季度财报电话会议上,戴尔首席运营官杰弗里・克拉克(Jeffrey Clarke)却发出了一个令人关注的警告:下半年DRAM内存和固态硬盘的价格持续上涨。
2024-06-05 10:17:491391

今日看点丨曝三星计划Q3对DRAM、NAND涨价15%~20%;传苹果大砍一半线员工

1. 传三星计划Q3 对DRAM 、NAND 涨价15%~20% ,现已通报客户   6月26日,多家媒体报道称,三星计划于第季度把动态随机存储器(DRAM)、NAND的价格上调15%~20
2024-06-27 11:02:40755

DRAM价格下半年持续上涨

随着全球科技行业的不断发展,尤其是人工智能(AI)领域的迅猛崛起,存储芯片市场正迎来新的机遇与挑战。据行业分析师的最新预测,DRAM(动态随机存取存储器)价格在接下来的半年持续上涨,这一趋势源于多方面的因素共同推动。
2024-07-01 09:31:03959

三星确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存线投资

据韩国媒体最新报道,三星电子已正式确认在平泽P4工厂投资建设先进的1c nm DRAM内存线,并预计该线将于明年6月正式投入运营。这一举措标志着三星电子在半导体技术领域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201

三星电子计划2024年下半年推出CXL存储

随着人工智能(AI)领域数据处理需求的爆炸性增长,全球存储厂商正竞相研发下一代存储解决方案,以应对这一挑战。三星电子在这一赛道上尤为亮眼,其在Compute Express Link(CXL)高速互联存储技术上的领先地位尤为显著,并计划于2024年下半年正式推出相关产品,预示着市场的即将腾飞。
2024-08-19 15:36:141406

三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期

(High Bandwidth Memory 4)内存规划方面产生影响。 原本,三星电子计划在2024年12月前1c nm制程DRAM的良率提升至70%,这是结束开发工作并进入量产阶段所必需的水平
2025-01-22 14:27:241109

三星否认重新设计1b DRAM

据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星电子否认1b DRAM重新设计报道

DRAM内存产品面临的良率和性能双重挑战,已决定在2024年底对现有的1b nm工艺进行改进,并从头开始设计新版1b nm DRAM。然而,三星电子现在对此表示否认,强调其并未有重新设计1b DRAM计划。 尽管三星电子否认了重新设计的传闻,但不可否认的是,其12nm级DRAM产品确实面
2025-01-23 15:05:11923

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