三星开发新一代“缓存DRAM”：能效提升60%，速度延迟降低50%

《电子时报》报道说，继hbm技术之后，三星电子将开发新一代dram技术。

《首尔经济日报》援引业界消息人士的话报道说，三星avp事业部以2025年批量生产为目标，正在开发名为“cache d内存”的新一代d内存技术。三星电子表示，与hbm相比，现金dram的能源效率提高了60%，数据移动延迟时间也减少了50%。

有传闻称，三星缓存DRAM将使用与hbm不同的成套方式。hbm目前水平连接到gpu，但缓存d内存垂直连接到gpu。据悉，hbm可以将多个dram垂直连接起来，提高数据处理速度，因此，现金dram仅用一个芯片就可以储存与整个hbm相同数量的数据。

三星开发高速缓存DRAM等存储器技术的主要目标是加强后端技术竞争力。回顾2022年，台积电在封装领域的销售额约为51.13亿美元，远远超过了40亿美元的三星。

值得关注的是，三星在扩充先进封装技术方面投入了大量资金。该公司的目标是，每年投资2万亿韩元（15亿美元）以上建立装配线，并在2023年之前建立avp事业部门，赶超台积电等竞争企业。

业界有关人士认为，随着很难体现更加精巧的电路，3D封装将成为半导体企业竞争优势的关键。三星要想在2030年之前成为系统半导体的领头羊，就必须进行封装技术投资。