三星半导体工厂停电 DRAM和NAND生产或延误

图：三星华城半导体工厂。图片来源/三星电子

2020年1月1日消息，三星半导体工厂停电，导致部分存储器半导体生产线停止工作。

据三星电子1日报道，周二下午1:30，电源线在华城变电站爆裂，在京畿道华城的三星华城半导体工厂停电约1分钟。

由于这次事故，三星电子停止了其位于韩国华城芯片工厂的部分DRAM和NAND闪存芯片生产线。据悉，三星电子的11、12和13三条生产线被关闭了大约一分钟。第11条产线制造存储器，但是目前正在切换以生产图像传感器。第12条产线生产2D NAND闪存，而第13条产线生产20nm以上的DRAM。

预计损失将小于三星平泽半导体工厂在2018年的损失。在平泽半导体工厂停电期间，三星电子因处置晶圆和原始NAND闪存产品而受到500亿韩元（约合3亿人民币）的损失。

三星电子尚未就停电问题做出正式回应，但预计最多可能需要三天时间才能完全恢复。此外，由于为停电做准备的应急发电机将立即启动，因此损害预计将少于平泽停电事故。

同时，自2000年以来，三星半导体工厂的停电事故已达到7次。