据Semiconductor Engineering报道,三星公司日前宣布,其计划于2025年后引领3D DRAM内存新时代。DRAM内存领域预计将在未来十余年内将线宽缩小到10nm级别。为应对此挑战,业内正积极研究如3D DRAM等新型内存解决方案。
在Memcon 2024上,三星披露了两款全新的3D DRAM内存技术——垂直通道晶体管和堆栈DRAM。垂直通道晶体管通过降低器件面积占用,实现性能提升;堆栈DRAM则通过空间立体利用,有效提高了储存容量至100G以上。
根据预测,3D DRAM市场规模有望在2028年达到1000亿美元,这无疑吸引了业内各大厂商的激烈争夺。为此,三星早前就在美国加州设立了一家新的3D DRAM研发实验室,以期在这场竞争中占据领先地位。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
DRAM
+关注
关注
40文章
2181浏览量
182063 -
晶体管
+关注
关注
77文章
9059浏览量
135255 -
内存技术
+关注
关注
0文章
24浏览量
9761
发布评论请先 登录
相关推荐
3D DRAM进入量产倒计时,3D DRAM开发路线图
目前,各大内存芯片厂商,以及全球知名半导体科研机构都在进行3D DRAM的研发工作,并且取得了不错的进展,距离成熟产品量产不远了。
发表于 04-17 11:09
•127次阅读
包含具有多种类型信息的3D模型
三维视图。事实上,AE可以在将3D BIM模型元素与时间因素联系起来后创建4D模型,从而更广泛地进行产品的可视化预览,更精确地分析建筑项目的
发表于 03-28 17:18
STM32L412插入pc后,进入D3 mode的触发条件是什么?
我们使用STM32L412 这颗mcu ( 定义 #define USBD_LPM_ENABLED1U)。
将产品插入pc后,用一直打开的usbtree 看到USB HID 正常进入power
发表于 03-28 09:52
光学3D表面轮廓仪可以测金属吗?
重建物体的三维模型。这种测量方式具有非接触性、高精度、高速度等优点,非常适合用于金属等材料的表面测量。
光学3D表面轮廓仪可以测量金属的形状、表面缺陷、几何尺寸等多个方面:
1、形状测量。光学3D表面
发表于 08-21 13:41
STEP与WRL 3D模型的区别
通过freecad扩展Stepup导出到step,将自动把3d路径的wrl文件结尾替换为step文件结尾。
这意味着你可以为内部查看器添加wrl模型,只要你将两个文件存储在同一名称下并正确缩放,就仍然
发表于 06-16 11:26
8倍密度,像做3D NAND一样做DRAM
Semiconductor。 X-NAND 相信去年的闪存峰会上,除了铠侠、SK海力士、长江存储、三星等大厂所做的技术分享外,大家也都注意到了这家名为NEO Semiconductor的初创企业。这是一家专为NAND闪存和DRAM
评论