在机遇与挑战并存的AI时代，三星如何在DRAM领域开拓创新？

在机遇与挑战并存的AI时代，三星如何在DRAM领域开拓创新？

　　高性能HBM:AI时代的关键组件

　　2016年，三星开创性的高性能计算（HPC）用高带宽内存（HBM）实现商用，并积极探索拓展AI存储器市场的机会。

　　2017年，三星推出采用8层堆叠技术的HBM2。随后三星实现了HBM2E和HBM3的量产，并开发了速度高达9.8千兆位每秒（Gbps）的HBM3E，即将向客户送样，以丰富HPC/AI生态系统。

　　展望未来，预计三星将于2025年推出HBM4，目前正在开发优化高热特性的技术，如非导电膜（NCF）封装和铜混合键合（HCB）。

　　NCF（非导电膜）：一种聚合物层，用于保护堆叠芯片之间的焊点免受绝缘和机械冲击的影响。

　　HCB（铜混合键合）：新一代键合技术，使用铜（导体）和氧化膜（绝缘体）来代替传统焊料。

　　DDR5 DRAM：容量和性能的新高度

　　新型DDR5DRAM支持制造容量高达1TB的模组。相关应用包括需要更大存储容量的数据中心，以及未来的存储器解决方案，如MRDIMM和CXL存储器模组。

　　同时，三星还开发了12纳米级DDR5DRAM，与上一代产品相比，生产率提高了约20%。这种先进的技术可实现出色的性能和能效，运行速度可达7.2Gbps。



 

　　PIM：存储器市场的新秀

　　传统冯·诺依曼架构所导致的内存瓶颈，是ChatGPT等大数据应用面临的关键障碍。为解决这一难题，三星于2018年推出开创性的HBM-PIM（存储器内处理）解决方案。

　　通过在DRAM中嵌入数据计算功能，HBM-PIM解决了内存带宽瓶颈问题，使性能提高了12倍。语音识别等特定功能的能效提高了4倍。

　　提高系统性能的相关研究正在进行中。除了生成式A的可扩展性之外，三星还在研究如何使用CXL接口在DRAM上配置PIM架构。

　　利用未来的外形规格创造新市场

　　三星开发出开创性的低功耗压缩附加内存模组（LPCAMM），这是一种基于LPDDR DRAME的模组产品。

　　三星突破性的LPCAMM是一种新型封装规格的LPDDR，正在开拓新的市场。它既具有高性能和低功耗特性，又支持拆卸，便于维修或升级。与SO-DIMM相比，LPCAMME的安装面积缩小60%，在节省内部空间的同时，性能和能效分别提高50%和70%。

　　比So-DIMM尺寸缩小60%

　　为半导体驱动的未来而创新

　　40多年来，三星电子坚定不移地致力创新，不断取得技术突破。通过我们独特的竞争方法，持续推出跨时代的产品，提前满足未来技术的需求。我们将提供超高性能、超大容量和超低功耗存储器解决方案，满足AI新时代所需，并特别关注10纳米以下工艺这一重要的DRAM市场拐点。