三星重启1b nm DRAM设计，应对良率与性能挑战

近日，据韩媒最新报道，三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时，已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状，三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上，全面重新设计新版1b nm DRAM。

这一新版DRAM工艺项目被命名为D1B-P，其重点将放在提升能效和散热性能上。这一命名逻辑与三星此前推出的第六代V-NAND改进版制程V6P相似，显示出三星在半导体工艺研发上的持续创新与投入。

据了解，在决定启动D1B-P项目时，三星现有的12nm级DRAM工艺良率仅为60%左右，远低于业界普遍认为的大规模量产所需的80%~90%良率水平。这一低良率不仅影响了产品的性能稳定性，也增加了生产成本，对三星的市场竞争力构成了严峻挑战。

因此，三星此次重新设计1b nm DRAM的举措，不仅是对当前困境的积极应对，更是对未来市场竞争的提前布局。