韩国记忆体两大厂三星(Samsung)与SK海力士(Hynix)同步看好动态随机存取记忆体(DRAM)后市,激励DRAM制造厂南亚科(2408)与华邦电(2344)股价走扬。
三星预期,受惠5G需求及资料中心对伺服器记忆体需求升温,DRAM市场可望在上半年復甦。
三星并指出,目前晶圆代工厂急于满足汽车制造商需求,很多代工厂都呈现产能满载情况,影响代工厂对DRAM及NAND生产进度,反而衝击智慧手机及平板的出货速度。
SK海力士并预期,随着资料中心伺服器及5G智慧手机增加使用DRAM,DRAM需求增长可能超过供给,不排除出现短缺。
因疫情带动手机晶片需求,全球第二大记忆体晶片厂SK海力士去年第4季营业利益大增298%,远胜预期,全年获利劲扬84%,该公司并看好全年需求稳健,早盘股价上涨1.6%。
展望2021年DRAM前景,海力士表示,随着客户投资新资料中心,伺服器产品需求将升高;此外,5G智慧手机出货可望增加,将支撑手机记忆体需求居高不下。
DRAM厂南亚科先前于法说会上,总经理李培瑛表示,看好宅经济需求将持续至今年上半年,上半年合约价估将逐季走扬,预期上半年DRAM市场将供不应求,供给缺口可能出现两季以上。
DRAM上半年价格看涨,也有利于DRAM制造厂厂南亚科、华邦电营收、获利逐季成长。
编辑:hfy
-
DRAM
+关注
关注
41文章
2403浏览量
189604 -
NAND
+关注
关注
16文章
1766浏览量
141309 -
三星电子
+关注
关注
34文章
15897浏览量
183231 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
1015浏览量
41926
发布评论请先 登录
192GB,SK海力士开始为英伟达Vera Rubin量产SOCAMM2
SK海力士荣获2026年IEEE企业创新奖
KV缓存黑科技!SK海力士“H³存储架构”,HBM和HBF技术加持!
台积电未来10年产能至少翻倍!AI存储需求旺,SK海力士和三星业绩飘红
SK海力士HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺
SK海力士发布未来存储路线图
美撤销三家在华半导体企业授权 包括英特尔 SK海力士 三星
SK海力士321层4D NAND的诞生
三星Q2净利润暴跌56%:代工遇冷,HBM业务受挫
SK海力士在微细工艺技术领域的领先实力
SK海力士HBM技术的发展历史
SK海力士宋清基TL荣庸发明日铜塔产业勋章
看点:三星DDR4内存涨价20% 华为与优必选全面合作具身智能
HBM重构DRAM市场格局,2025年首季DRAM市占排名
三星与SK海力士同步看好DRAM后市 预测后期不排除出现短缺
评论