旋转花键的制造工艺是一门精细的技术，涉及多个步骤和精细的操作，以确保最终产品的质量和性能，下面简单介绍下旋转花键的制造工艺。
2024-03-16 17:39:17
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电子发烧友网报道（文/黄晶晶）据报道，三星电子在半导体制造领域再次迈出重要步伐，计划增加“MUF”芯片制造技术，用于生产HBM（高带宽内存）芯片。但是三星在随后的声明中称，关于三星将在其HBM
2024-03-14 00:17:002494 
尽管三星在晶圆代工领域展现出了强烈的追赶势头，但业界对其的评价并非全然乐观
2024-03-08 16:05:41187 近期的演示会上，美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出，DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程变得愈发复杂。
2024-03-05 16:18:24190 三星作为行业领军者，在本季度DRAM营收达到79.5亿美元，环比增长近50％，主要受益于1αnm DDR5的出货提速，服务器DRAM出货量跃增逾60％。
2024-03-05 15:40:57162
表面贴装技术（Surface Mount Technology，简称SMT）是现代电子制造业中的一种重要技术，主要用于将电子元件贴装在印刷电路板（PCB）上。
在SMT中，红胶工艺和锡膏工艺是两种
2024-02-27 18:30:59
2024年2月27日 - 三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
2024-02-27 11:07:00249 三星方面确认，此举目的在于提升无晶圆厂商使用尖端GAA工艺的可能性，并缩减新品开发周期及费用。GAA被誉为下一代半导体核心技术，使晶体管性能得以提升，被誉为代工产业“变革者”。
2024-02-21 16:35:55312 近日，三星电子宣布在硅谷设立下一代3D DRAM研发实验室，以加强其在存储技术领域的领先地位。该实验室的成立将专注于开发具有更高性能和更低功耗的3D DRAM，以满足不断增长的数据存储需求。
2024-01-31 11:42:01362 三星电子，全球领先的存储芯片制造商，近日宣布在美国设立新的研究实验室，专注于开发新一代3D DRAM技术。这个实验室将隶属于总部位于美国硅谷的Device Solutions America (DSA)，负责三星在美国的半导体生产。
2024-01-30 10:48:46324 服务范围PCB、PCBA、汽车焊接零部件检测标准1、整车厂标准：韩系（含合资）-ES90000系列、⽇系（含合资）-TSC0507G、TSC0509G、 TSC0510GTSC3005G、德系（含合资）-VW80000系列、美系（含合资）-GMW3172、吉利汽车系列标准、奇瑞汽车系列标准、一汽汽车系列标准等2、其他行业标准/国标/特殊行业标准等：
2024-01-29 22:37:53
据报道，三星预计在未来6个月时间内，让SF3的工艺良率提高到60%以上。三星SF3工艺会率先应用到可穿戴设备处理器上，三星Galaxy Watch 7系列有望搭载SF3工艺芯片。
2024-01-29 15:52:00239 三星电子近日宣布，已在美国硅谷开设一个新的研发（R&D）实验室，专注于下一代3D DRAM芯片的开发。这一新实验室将由三星的Device Solutions America（DSA）运营，并负责监督公司在美国的半导体生产活动。
2024-01-29 11:29:25432 报导指出，因各家内存厂商减产、市场过剩情况缓解，2023年11月DRAM批发价约2年半来首度呈现扬升。各家内存厂商为了改善获利，今后将持续要求涨价。
2024-01-25 12:33:5298 关键因素上来，也就是半导体制造工艺。 在英特尔宣布开展IDM 2.0后，芯片设计厂商们的选择一下多了起来，英特尔、三星和台积电都能为其提供优异的工艺解决方案。尤其是英特尔近年来拼了命地追赶，宁肯下血本，也要把IFS做起来，甚至目标是做到
2024-01-23 00:19:002237 近日，三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器，这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性，有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:03282 有存储模组厂收到三星2024年第一季度将DRAM价格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND闪存定价，但预计NAND价格将继续上涨。2023年12月DRAM价格上涨2%-3%，大幅提升DRAM价格，但低于当月3D TLC NAND约10%的涨幅。
2024-01-08 16:43:54466 数据显示，首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力，并启动大规模HBM设备采购；此外，三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移，进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:22387 根据最新的存储器模组行业消息，随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升，三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格，涨幅预计将达到15%-20%。 业内分析师指出
2024-01-03 18:14:16872 近期，全球DRAM市场风云再起。两大巨头三星和SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能，这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在，最新消息表明，DRAM价格有望在2024年第一季度迎来新一轮的上涨，涨幅预计达到15%至20%。
2024-01-03 14:35:20414 部分存储模组厂已接到三星通知，要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上，且该通知并未涉及NAND闪存定价，故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%，不及3D TLC NAND约10%；
2024-01-03 10:46:21549 三等奖 。这是对华秋DFM在智能制造领域所做出的努力和成果的肯定，也是对其在推动智能制造新技术、新应用、新生态方面所做出的贡献的认可。
本届大会以 “智改数转网联、数实融合创新” 为主题，由江苏省
2023-12-15 10:36:23
三等奖 。这是对华秋DFM在智能制造领域所做出的努力和成果的肯定，也是对其在推动智能制造新技术、新应用、新生态方面所做出的贡献的认可。
本届大会以 “智改数转网联、数实融合创新” 为主题，由江苏省
2023-12-15 10:33:29
请问一下电机的星三角启动是不是降低电机的启动电流的啊，还是其他的原因
2023-12-13 08:09:25
门。尽管它们都是用于存储数据的，但在构造、功能、性能和应用方面存在很多区别。 首先，DRAM和NAND的构造方式不同。DRAM是由一个个存储单元组成的，每个存储单元由一个电容和一个开关组成。在读写数据
2023-12-08 10:32:003894 三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后将开发的技术时，管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:16324 据gartner称，人工智能芯片市场规模有望从今年的534亿美元增长到2027年的1194亿美元。但在hbm和ddr5 dram等先进存储芯片市场上，三星落后于竞争企业。
2023-11-30 09:42:18176 DRAM制造技术进入10nm世代（不到20nm世代）已经过去五年了。过去五年，DRAM技术和产品格局发生了巨大变化。因此，本文总结和更新了DRAM的产品、发展和技术趋势。
2023-11-25 14:30:15536 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
2023-11-23 18:13:02579 
以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口
2023-11-23 09:04:42177 
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情况下，DRAM——尤其是高带宽存储器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有着良好的记录，也有成熟的工艺，而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08476 
主流存储芯片海外厂商高度垄断。与逻辑芯片不同，DRAM 和 NAND Flash 等半导体存储器的核心功能为数据存储，存储晶圆的设计及制造标准化程度较高，各晶圆厂同代产品在容量、带宽、稳定性等方面，技术规格趋同。因此头部厂商要通过产能扩大规模化优势及技术持续升级迭代保持竞争力。
2023-11-21 15:00:161290 
重复性。工作原理当触针沿被测表面轻轻滑过时，由于表面有微小的峰谷使触针在滑行的同时还沿峰谷作上下运动。触针的运动情况就反映了表面轮廓的情况。中图仪器国产台阶仪厂商
2023-11-20 11:41:33
持续的器件微缩导致特征尺寸变小，工艺步骤差异变大，工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。如果晶圆测试数据不足，评估不同集成方案的工艺窗口会变得困难。为克服这一不足，我们将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口。
2023-11-16 16:55:04269 
目前国产MCU有加密功能的有哪些厂商？
2023-11-15 11:50:00
西门子电机绕组重绕后，星三角启动角型切换时跳空开，电机保养厂商说可能线圈绕组顺序换了，只要把线圈首尾端换后就能启动，西门子电机有这种现象，有谁遇到过这种情况吗？原因是什么？
2023-11-09 07:17:20
笔电DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存储器模组合约价，10 月也较9 月上涨11.5%，到每单位33 美元。智能手机DRAM合约价也开始涨价。TrendForce 预计第四季行动DRAM
2023-11-03 17:23:09958 2025 年，三星预计将推出 SF2（2nm 级）制造工艺，该工艺不仅依赖 GAA 晶体管，还将采用背面功率传输，这在晶体管密度和功率传输方面带来了巨大的好处，
2023-11-01 12:34:14222 
新芯片将由三星sf4p（第三代4纳米）工艺制作，g3将由第二代sf4工艺制作。另外，xenos 2400处理器也将使用sf4p，预计将用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分机器。
2023-10-31 14:25:36358 在2023年2月在国际学会ISSCC上，三星电子正是披露了公司研发的存储容量为24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下图左）和硅芯片（下图右）。
2023-10-29 09:46:58783 
三星电子在此次会议上表示：“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram，目前正在开发的11纳米级dram将提供业界最高密度。”另外，三星正在准备10纳米dram的新的3d构架，并计划为一个芯片提供100gb （gigabit）以上的容量。
2023-10-23 09:54:24485 的地位，并向世人展示了中国激光制造的崛起之路。一、起步阶段：追赶全球先进水平上世纪70年代，中国的激光技术刚刚起步。当时的科研人员以极高的热情投入到激光技术的研究中，
2023-10-18 10:14:58425 
，在大功率应用领域拥有显著的优势,一度被称为近乎理想的功率半导体器件。
图-14：IGBT产业链
图-15：IGBT生产流程
图-16：IGBT结构升级
图-17：IGBT制造三大难点
图-18
2023-10-16 11:00:14
GPS定位到三颗星为什么还不能实现定位？
2023-10-16 06:58:02
平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道，三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片，但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:57762 有传闻称，三星缓存DRAM将使用与hbm不同的成套方式。hbm目前水平连接到gpu，但缓存d内存垂直连接到gpu。据悉，hbm可以将多个dram垂直连接起来，提高数据处理速度，因此，现金dram仅用一个芯片就可以储存与整个hbm相同数量的数据。
2023-09-08 09:41:32399 在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示横截面位置。
2023-09-04 09:32:371168 
内存芯片在驱动ic市场和ic技术发展方面发挥了重要作用。市场上两个主要的内存产品分别是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093285 
半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:541221 
今年上半年，三星电子的旗舰产品，如半导体、智能手机和电视等，在市场份额方面普遍遭遇下滑。特别是在半导体领域的核心业务DRAM方面，尽管三星电子仍然占据全球第一的位置，但市场份额已经达到了自9年来的最低点。
2023-08-18 17:14:571534 电子发烧友网报道（文/周凯扬）对于绝大部分晶圆厂来说，都不会去妄想从先进工艺上和中芯国际、三星或英特尔这样的厂商去竞争，因为投资成本之大风险之高均能使其望而却步。但这并不代表他们只能望着成熟工艺
2023-08-09 00:15:001139 的挑战。 然而，近期出现了一些积极迹象。主要DRAM制造商，例如三星、SK海力士和美光相继宣布减产，有针对性地缓解了供应过剩的问题。这一举措使得DRAM市场出现了触底反弹的迹象，报价连续两个月保持持平，这在过去一年多以来尚属首次。 根据《
2023-08-03 15:18:57841 电动机的技术经济指标在很大程度上与其制造材料、制造工艺有关。在电动机制造厂中，同样的设计结构，同一批原材料所制成的产品，其质量往往相差甚大。没有先进的制造工艺技术，很难生产出先进的产品。今天我们来看看电机制造中的那些关键工艺。
2023-08-01 10:35:46294 
制造工艺主要包含哪些环节？连接器的制造工艺按照产品类型、产品规格、以及制造厂家的不同，在生产工艺上会有不同。一般包含有以下几个方面：金属材料的选择、材料的预处理
2023-08-01 00:25:12425 
。好了，今天就来谈谈连接器制造工艺的话题。 连接器制造工艺主要包含哪些环节？ 连接器的制造工艺按照产品类型、产品规格、以及制造厂家的不同，在生产工艺上会有不同。一般包含有以下几个方面：金属材料的选择、材料的预处理、冲
2023-07-31 16:09:44381 1. 传三星3 纳米工艺平台第三款产品投片 外媒报道，尽管受NAND和DRAM市场拖累，三星电子业绩暴跌，但该公司已开始生产其第三个3nm芯片设计，产量稳定。根据该公司二季度报告，当季三星
2023-07-31 10:56:44480 电动机的技术经济指标在很大程度上与其制造材料、制造工艺有关。在电动机制造厂中，同样的设计结构，同一批原材料所制成的产品，其质量往往相差甚大。没有先进的制造工艺技术，很难生产出先进的产品。今天我们来看看电机制造中的那些关键工艺。
2023-07-21 17:19:25694 
目前三星在4nm工艺方面的良率为75%，稍低于台积电的80%。然而，通过加强对3nm技术的发展，三星有望在未来赶超台积电。
2023-07-19 16:37:423176 不同位置钻孔加工。
现场可以看到，华秋配备有20万转6轴钻机，定位精度在50μm以内，重复精度在25μm以内；采用全数字化动态仿真分析设计手段、高精度配件和科学成熟的生产制造工艺，以及严格的质量管
2023-06-16 11:37:34
元器件，
例如电流互感器、变压器、继电器、电器开关及接线等等。
这些电器元器件都需要精心挑选以确保产品的质量和使用寿命。
三、制造组装
在材料准备完成之后，就需要进行接地电阻柜的组装了。
此阶段的重点
2023-06-08 11:04:41
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2023-06-01 10:10:41
在芯片行业持续衰退的情况下，美国芯片制造商美光科技公司九年来首次超越韩国 SK 海力士公司成为全球动态随机存取存储器 (DRAM) 市场的第二大厂商。 根据台湾市场研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550 3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法现在已广为人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工艺的 DRAM 应该能够快速量产。
2023-05-31 11:41:58358 供应XPD320B 20w协议芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 协议，广泛应用于AC-DC 适配器、车载充电器等设备的USB Type-C 端口充电解决方案，更多产品手册、应用料资请向深圳富满微代理骊微电子申请。>>
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2023-05-29 11:37:36
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2023-05-29 11:13:51
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2023-05-29 10:09:46
半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺，半导体制造设备的电源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04478 
调整为每月62万片12英寸晶圆。与去年第四季度相比下降了5.34%。
特别是在第二季度，三星在西安半导体工厂将大幅减产。就西安一厂而言，预计将减产至每月11万片，比去年第四季度的每月12.5万片减少12
2023-05-10 10:54:09
Semiconductor。 X-NAND 相信去年的闪存峰会上，除了铠侠、SK海力士、长江存储、三星等大厂所做的技术分享外，大家也都注意到了这家名为NEO Semiconductor的初创企业。这是一家专为NAND闪存和DRAM内存开发创新架构的厂商，其去年推出的X-NAND第二代技术，允许3D NAND闪存
2023-05-08 07:09:001982 
多层板制造方法有电镀通孔法以及高密度增层法两种，都是通过不同工艺的组合来实现电路板结构。 其中目前采用最多的是电镀通孔法，电镀通孔法经过超过半个世纪的发展与完善，电镀通孔法无论从设备、材料方面，还是
2023-05-06 15:17:292402 
多层板制造方法有电镀通孔法以及高密度增层法两种，都是通过不同工艺的组合来实现电路板结构。其中目前采用最多的是电镀通孔法，电镀通孔法经过超过半个世纪的发展与完善，电镀通孔法无论从设备、材料方面，还是工艺方面都已相当成熟，并已建立起坚实的产业化基础。
2023-05-04 12:52:302012 
供应XPD767BP18 支持三星pps快充协议芯片-65W和65W以内多口互联，更多产品手册、应用料资请向富满微代理骊微电子申请。>>
2023-04-26 10:22:36
一、PCB制造基本工艺及目前的制造水平
PCB设计最好不要超越目前厂家批量生产时所能达到的技术水平，否则无法加工或成本过高。
1.1层压多层板工艺
层压多层板工艺是目前广泛
2023-04-25 17:00:25
智能制造包括哪些方面 智能制造的本质是指在制造过程、全生命周期的各个环节中综合应用各类技术，取代或者延伸制造过程中人的劳动、满足制造需求。智能制造主要有以下几个构成要素。 （１）智能设计 智能制造
2023-04-24 10:56:226260 相星三角变压器，初级侧Y连接，次级侧三角形连接，如下图所示。极性标记在每个相位上都标明。绕组上的点表示在未接通的端子上同时为正的端子。 星侧的相位标记为A，B，C，三角洲侧的相位标记为a，b，c
2023-04-20 17:39:25
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：金属氧化物半导体的制造 编号：JFKJ-21-207 作者：炬丰科技 概述 CMOS制造工艺概述 CMOS制造工艺流程 设计规则 互补金属氧化物
2023-04-20 11:16:00247 
基于PCB的SMT工艺要素包括哪几个方面呢？
2023-04-14 14:42:44
、短交期的打板体验，是全球30万+客户首选的 PCB 智造平台。深耕 PCB 领域多年，华秋在多高层板制造方面已具备技术积累，经过技术革新升级，公司支持多层板的打样与批量生产，可以进一步满足客户对于
2023-04-14 11:27:20
PCB设计主要需要注意以下几方面： 1.制造工艺要求，板厂的制造能力，PCB板可制造性设计 2.电源的布局走线 3.传输线设计 4.EMC 5.时钟设计 PCB设计简单来看就是将各种
2023-04-07 17:00:48
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2023-04-07 16:41:05
如何解决PCB制造中的HDI工艺内层涨缩对位问题呢？
2023-04-06 15:45:50
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