三星否认重新设计1b DRAM
据DigiTimes报道，三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM（1b DRAM）的报道予以否认。
此前，ETNews曾有报道称，三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能问题，在2024年底决定在改进现有1b nm工艺的同时，从头设计新版1b nm DRAM。
不过，三星通过相关媒体表示相关报道不准确。尽管三星否认了重新设计，但有业内人士透露，三星的目标是提升1b DRAM的性能和良率。据了解，三星启动了名为“D1b - p”的开发项目，重点关注提高电源效率和散热性能。
此次事件凸显了存储芯片市场竞争的激烈程度，三星的DRAM业务走向仍备受业界关注。
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