SK海力士开发的HBM2E DRAM产品具有业界最高的带宽。与之前的HBM2相比,新款HBM2E拥有大约50%的带宽和100%的额外容量。 该公司透露,SK Hynix的HBM2E支持超过每秒
2019-08-13 09:28:41
6584 ,2019年12月提升为开发制造总裁。 DRAM和NAND Flash市场密不可分,SK海力士相关人士表示:SK海力士首席执
2019-12-07 00:53:00
4758 半导体产业历经过去一年多低迷期后,近日芯片价格终于出现反弹迹象,令券商看好三星电子及SK海力士(SK Hynix)两大韩国芯片业者今年获利好转。 券商分析预计,今年第一季DRAM及NAND
2020-01-05 00:15:00
4400 2020年2月,固态存储协会(JEDEC)对外发布了第三版HBM2存储标准JESD235C,随后三星和SK海力士等厂商将其命名为HBM2E。 相较于第一版(JESD235A)HBM2引脚
2021-08-23 10:03:28
2441 三星电子和SK海力士在2012年第四季度继续引领全球DRAM市场,它们两家公司在该领域的市场份额之和达到67%。
2013-02-20 18:11:02
947 为突破半导体市场的不景气,三星电子(Samsung Electronics)致力升级微细制程技术;SK海力士(SK Hynix)则准备以史上最大规模的投资计划应战。
2016-01-26 08:19:58
849 全球三大DRAM厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不约不同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员,全力防堵DRAM技术流入中国大陆。据了解,合肥长鑫开出现有华亚科三倍的高薪进行挖角,且锁定人数高达两百人,远高于紫光集团出的双倍薪,已有不少人决定投效。
2016-12-26 10:12:56
2894 
根据2016年第三季度的统计,三星电子在DRAM存储器领域已拿下半壁江山,达到惊人的50.2%,而另一家韩国大厂SK海力士则占了24.8%的市场份额。而在NAND FLASH这一块,三星电子占全球市占率的36.6%,SK海力士则占了10.4%。
2016-12-29 10:09:07
4436 
因为DRAM价格因供给短缺而以高角度上扬之赐,韩国两大存储器厂三星与SK海力士,今年半导体营业利润年增五成,来到史无前例的25兆韩圜。
2017-02-13 08:30:09
753 Gartner发布的2018全球半导体市场营收报告显示,按全年营收计算,三星、英特尔、SK海力士是当今全球三大半导体巨头,高通则排名第六。 三星电子得益于DRAM内存芯片市场的发展,继续稳固了全球
2019-01-20 11:41:40
1914 而对于来势汹汹的英特尔,三星与 SK 海力士随即表示,将推出相类似的产品以抗衡英特尔。
2019-05-06 15:03:49
7726 日前,据韩国媒体报道,三星电子和SK海力士都将在DRAM生产中导入EUV技术,以建立更高的技术壁垒。对此,美光(Micron)企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示,美光不打算跟进,目前并无采用 EUV 计划。
2020-10-09 10:34:45
2742 。 图源:SK海力士官网 SK海力士将这一进展定义为:意义非凡。 激进的三星和SK海力士 在谈论EUV DRAM是否非凡之前,我们先了解一些关联技术。从原理上说,光刻技术就是利用光化学反应原理和化学、物理刻蚀方法将掩模板上的图案传递到晶圆的工艺技术。近半个多世纪,半导
2021-07-13 06:36:58
3394 
SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:47
2155 
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)新型存储HBM随着AI训练需求的攀升显示出越来越重要的地位。从2013年SK海力士推出第一代HBM来看,HBM历经HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:24
4378 
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据市场调研机构Omdia的研究报告,随着全球需求复苏,韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入,有效结束减产。 Omdia在报告中指
2024-04-12 00:05:00
6369 
步伐。据韩媒Kinews等报导,三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资,传出将延至2019年,取而代之的是对现有产线进行补强投资,期望获利维持一定水平。同时,另一家半导体大厂
2018-10-12 14:46:09
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
研发总投资为359.21亿美元,成长6%,平均占营收比重13%。相较之下,三星获利丰厚,但研发投资却显得相对保守。SK海力士对2019年的展望SK海力士认为2019年存储器市场变动不大,由于半导体市场
2018-12-25 14:31:36
价格迅速下跌。IC Insights预测,随着更多的产能上线,供应限制开始缓解,DRAM市场增长将会降温。值得一提的是,据报道,三星和SK海力士已推迟了部分扩张计划,原因是预计客户需求将出现疲软,更有
2018-10-18 17:05:17
原装海力士三星存储芯片,香港出货,原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2
2020-02-13 14:35:59
与DDR2供给吃紧带动整体平均售价上扬。而在整体DRAM厂DRAM营收排行中(包含代工),2006年第二季仍以三星(Samsung)居首,市占率高达24.8%,其次为由英飞凌(Infineon)所独立出来
2008-05-26 14:43:30
欧电子长期全国回收品原装存储芯片:三星samsung,海力士SK hynix,现代hyniy,展讯SPREADTRUM,微芯MICROCHIP,闪迪SANDISK芯片,东芝 TOSHIBA芯片,南亚
2021-08-20 19:11:25
。韩媒分析,一旦中国决定对DRAM三巨头开罚,韩国产业将受到巨大的影响,或成中美贸易摩擦的受害者之一。2018年11月16日,中国国家市场监督管理总局反垄断局局长吴振国表示,对三星、海力士、镁光三
2018-11-22 14:49:22
大幅成长,而SK海力士、美光(Micron)则是积极回应市场的需求。目前三星以64层NAND为主力,2018年下半推进到96层,2019年初便会进展到128层。另外,英特尔(Intel)与美光也在
2018-12-24 14:28:00
,镁光,南亚,尔必达,华邦,三星samsung,海力士SK hynix,现代hyniy,飞索 Spansion芯片,展讯SPREADTRUM,爱特梅尔ATMEL,英特尔intel等系列芯片...长期专业回收手机指纹、指纹芯片、定制指纹模组!
2021-08-02 17:44:42
全球三大DRAM厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不约而同相继寄出存证信函给跳槽到大陆合肥长鑫、及为福建晋华负责研发的联电核心成员,全力防堵DRAM技术流入中国大陆,让全力发展自主DRAM研发的中国大陆踢到铁板,也让近期有意跳槽到大陆的华亚科核心技术人员,遭到空前恫吓。
2016-12-26 09:44:48
1040 
AMD则是已经在不断宣扬HBM2的优势,并且专门为其设置HBCC主控,具备更加强大内存寻址性能。AMD已经完全押宝在HBM2上了,HBM3的应用估计也在路上了。不过AMD的HBM2显存则是由韩国另一家半导体巨头SK海力士提供,即将发布的RX Vega显卡也是采用了2颗8GB HBM2显存
2017-07-19 09:52:51
1840 前不久我们曾报道,市面上目前几乎所有的HBM2显存显卡(NVIDIA Tesla P100、AMD MI25、Vega FE等)采用的都是三星的颗粒,而非SK海力士。
2017-08-05 11:24:27
2175 据悉,在今年上半年DRAM价格恐怕很难减下来,还会继续保持上涨趋势。到2018下半年是否增长具体还的看三星、sk海力士的实际增产情况。
2018-01-18 15:24:45
1011 三星今天宣布,开始生产针脚带宽2.4Gbps的HBM2显存,封装容量8GB,其中,HBM是High Bandwidth Memory高带宽存储芯片的简写。
2018-07-02 10:23:00
2585 DRAM价格飙涨带动2017年全球半导体产值冲破4000亿美元,国际半导体产业协会SEMI预估,在三星电子、SK海力士(SK Hynix)持续扩展DRAM产能下,2018年DRAM供给端产能可能再
2018-08-27 17:05:53
2149 全球DRAM价格在2017、2018年连两年大幅上扬,对DRAM买方市场形成不少采购压力,但如今在三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)及SK海力士(SK
2018-09-10 16:30:32
1724 就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后,存储器产业也将追随。也就是全球存储器龙头三星在未来1Y纳米制程的DRAM存储器芯片生产上,也在研究导入EUV技术。而除了三星之外,韩国另一家
2018-10-29 17:03:24
4026 逐渐升温,三星电子在2017年率先宣布量产第二代10纳米(1y)制程DRAM,目前传出进入第三代10纳米(1z)制程开发。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不断加速先进制
2018-11-12 18:04:02
533 中国政府2018年5月31日正式发起了对三星,SK海力士及镁光的反垄断调查,若指控成立,根据三家企业自2016年至今在中国市场的销售行为,最高将面临80亿美元罚款。
2018-11-19 14:13:45
4220 为了在低迷的环境中实现逆势增长,SK海力士未来将持续专注于高附加值产品和技术,以应对瞬息万变的市场环境。比如,扩大16Gb DDR4产品的客户应用,以增加服务器客户对高密度DRAM模块的采用。同时
2019-01-29 14:32:25
8442 
7月15日业界资讯,三星电子和SK海力士已完成针对本土氟化氢的可靠性和整合性测试,近日已投入到DRAM生产。
2019-07-17 10:03:30
3501 韩国存储器大厂SK海力士25日公布2019年第2季的获利状况,因为受到存储器价格持续低迷,以及日韩贸易摩擦等因素的冲击,净获利较2018年同期大降了88%之多,使得SK海力士不得不继三星传出要延后平泽P2存储器产线的投资之后,也宣布该公司的生产调整计划。
2019-07-26 16:56:10
3275 
虽然封装不易,但 HBM 存储器依旧会被 AMD 或者是 NVIDIA 导入。SK海力士宣布推出 HBM2E 标准存储器,而这也是接续 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49
1322 在推进DRAM的制造技术上,三星、SK海力士和美光这三大玩家从来没有停止过前进的步伐。
2019-10-24 17:09:54
1739 本月DRAM现货价格急涨,以DRAM为主力商品的三星电子、SK海力士等半导体企业有望改善营收。
2019-12-18 16:36:54
3205 日前,三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。
2020-02-05 13:49:11
4064 最近几周由于三星与LG不少DRAM工厂处于停工或者半停工状态,极大影响了市场的供需状态。相比2个月前,内存的价格几乎上涨了6成,SSD的价格也同样水涨船高。不过目前韩国另外一家半导体工厂SK海力士并未打算下调产能。
2020-03-04 16:12:14
897 最近几周由于三星与LG不少DRAM工厂处于停工或者半停工状态,极大影响了市场的供需状态。相比2个月前,内存的价格几乎上涨了6成,SSD的价格也同样水涨船高。不过目前韩国另外一家半导体工厂SK海力士并未打算下调产能。
2020-03-05 08:51:19
2548 SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度,通过1,024个I/Os(Inputs/Outputs, 输入/输出)能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部
2020-07-03 08:42:19
870 最新消息,据韩媒报道,由于美国禁令,三星电子和SK海力士将从下周二(9月15日)开始停止向华为出售芯片! 虽然三星和SK海力士是韩企,但问题在于,美方禁令要求非美国公司不能向华为出售含有美国设备或
2020-09-11 15:54:17
18654 随着特朗普政府加强对华为的制裁,三星和 SK 海力士将停止向华为出售零部件。华为真正的危机,来了! 三星、SK 海力士将断供华为 近日,根据朝鲜日报和其他韩国新闻媒体的报道,三星和 SK 海力士
2020-09-15 16:41:40
2822 目前,三星电子和SK海力士已停止对华为出货芯片产品。据报道,SK海力士大约有10%的销售额来自华为,而华为同样是三星重要的客户之一。
2020-09-23 10:20:34
2432 及资料中心对伺服器记忆体需求升温,DRAM市场可望在上半年復甦。 三星并指出,目前晶圆代工厂急于满足汽车制造商需求,很多代工厂都呈现产能满载情况,影响代工厂对DRAM及NAND生产进度,反而衝击智慧手机及平板的出货速度。 SK海力士并预期,随着资料中心伺服器及5G智慧手机增加使
2021-02-01 12:43:00
1296 韩国半导体已经在全球半导体产业链当中占据了重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年(1H20)全球十大半导体销售排名中,韩国厂商就占了两个名额,分别是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。
2020-11-19 15:53:50
10094 内存价格还在继续下降,对于三星、SK海力士等厂商来说,这也刺激了相应的出货量。 TrendForce集邦咨询公布了2020年第三季度全球DRAM内存营收情况,第三季度DRAM总产值174.6亿美元
2020-11-23 14:30:43
1837 11月23日消息,据国外媒体报道,受三星电子和SK海力士上涨拉动,韩国股市周一收盘创新高。
2020-11-23 16:26:37
2512 三星宣布新的HBM2内存集成了AI处理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力,使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:46
2591 数据显示,四季度全球DRAM销售额同比增长1.1%,达176.5亿美元。其中,三星电子市占率为42.1%,销售额环比增长3.1%至74.4亿美元。SK海力士市场份额为29.5%,销售额环比增长5.6%至52亿美元。
2021-03-12 09:45:34
2045 SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory)产品HBM31,公司不仅又一次创造历史,更进一步巩固了SK海力士在DRAM市场上的领先地位。
2022-09-08 09:28:25
2219 据业界透露,三星电子、sk海力士等存储半导体企业正在推进hbm生产线的扩张。两家公司计划到明年年底为止投资2万亿韩元以上,将目前hbm生产线的生产能力增加两倍以上。sk海力士计划在利川现有的hbm生产基地后,利用清州工厂的闲置空间。
2023-08-01 11:47:02
1508 据dram领域的调查企业trend force称,去年第四季度在dram领域,三星以45.1%的世界市场占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在nand闪存领域,三星以世界第1位占据了第4季度的世界市场占有率33.8%,sk海力士(包括solidm)以17.1%占据了第3位。
2023-08-17 09:38:58
1100 meta是SK海力士的主要顾客之一,正在购买为构建和扩张数据中心的企业用ssd (ssd)和服务器dram。据悉,对ai服务器投入大量资金的meta还要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服务器dram。
2023-08-30 10:03:33
1393 sk海力士负责市场营销的管理人员表示:“一台ai服务器至少需要500gb的hbm高带宽内存和2tb的ddr5内存。人工智能是拉动内存需求的强大力量。”sk海力士预测,到2027年,随着人工智能的发达,hbm市场将综合年均增长82%。
2023-09-12 11:32:59
1493 12月18日,传闻三星及SK海力士正筹划于来年加大芯片制造设备的投入,如三星电子预计投注27万亿韩元,SK海力士则计划注入5.3万亿韩元,增幅分别达25%与100%。
2023-12-19 09:20:35
974 数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:22
1580 尽管在2023年面临存储芯片市场下滑和价格下跌,SK海力士因应人工智能芯片需求的增长,尤其是高带宽内存(HBM)的激增,于去年12月成功超越竞争对手三星电子,跃居韩国第二大市值的位置。
2024-01-12 15:37:25
1221 三星电子和SK海力士将联合投资622万亿韩元,推进“超级集群”计划。
2024-01-23 11:35:48
1199 近日,据报道,三星电子正计划大规模扩大其HBM(高带宽内存)产能,以满足不断增长的市场需求。这一举措将进一步加剧与SK海力士的竞争。
2024-01-26 15:33:09
1210 SK 海力士副总裁 Kim Ki-Tae 对此表示,作为 HBM 行业翘楚,海力士洞察到市场对 HBM 存储的巨大需求,现已提前调整产量,以期更好地满足市场需求,保护其市场占有率。
2024-02-23 14:12:00
1306 趋势,半导体巨头三星电子和SK海力士正考虑增加工厂的半导体晶圆投入量,以加速向更先进的10纳米第四代(1a)和第五代(1b)版本的过渡。
2024-03-06 10:49:49
1263 三星必须采取一些措施来提高其HBM产量......采用MUF技术对三星来说有点不得已而为之,因为它最终遵循了SK海力士首次使用的技术。
2024-03-14 11:00:14
1518 实现HBM的关键所在为多层DRAM堆叠,市场主要采用两种键合作程: SK海力士旗下的MR-RUF与三星的TC-NCF方案。前者为反流焊接粘附DRAM,后填塑模具填充间隙;后者则为热压粘连NCF(非导电薄膜)至各DRAM层之间。
2024-03-14 16:31:21
1394 HBM3E的推出,标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破,将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53
1844 现如今,SK海力士为英伟达AI半导体提供主要HBM产品,同时自去年起,美光公司也加入了该供应阵营。据悉,相比其他竞争对手,三星电子在HBM授权上大约晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:23
1383 在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款,供应下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推进12层
2024-03-27 09:12:08
1225 三星近期在Memcon 2024行业会议中声称,计划于今年底以前实现1c nm工艺的量产。另据行业消息人士透露,SK海力士已确定在第三季度实现1c纳米DRAM内存的商业化生产。
2024-04-09 16:53:05
1425 SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议,原本预计HBM4内存要等到2026年才会问世。
2024-05-06 15:10:21
1338 SK海力士近日宣布,其高带宽内存(HBM)芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能(AI)技术的蓬勃发展,极大地推动了市场对HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39
927 HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09
978 业界传出,全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场抢货潮,导致近期DDR3价格飙涨,最高涨幅达二成,且下半年报价还会再上扬。
2024-05-14 10:31:58
877 全球知名存储芯片制造巨头三星及SK海力士预判,今年DRAM和高带宽存储器(HBM)价格将持续攀升,受益于市场对于高端芯片,尤其是人工智能相关芯片的强大需求。
2024-05-15 09:23:52
983 SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始,提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明,SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13
1484 业内评论指出,三星HBM之所以出现问题,主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8层HBM3E的生产方式与三星有所差异,导致三星产品未能顺利通过验证。
2024-05-16 17:56:20
1863 近日,三星和SK海力士宣布,将于下半年停止生产并供应DDR3内存,转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
2024-05-17 10:12:21
1563 根据行业预估,三星和SK海力士有望在今年扩展产量以应对逐步好转的半导体市场环境。然而,他们在今年一季度财政报告会上均表示,DRAM产量可能会受到制约。
2024-05-22 14:49:59
971 在DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:49
1035 值得注意的是,早年对HBM技术表现出浓厚兴趣的三星,与英伟达共同研发了HBM及HBM2系列产品,然而销售初期市场反应冷淡,导致持续亏损。
2024-05-29 15:50:00
932 瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄,显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:22
1511 在全球半导体产业风起云涌的当下,SK海力士再次展现出其前瞻性和决断力。据行业内部消息透露,该公司正积极扩大其第5代1b DRAM的生产规模,以应对当前市场对HBM(高带宽内存)及DDR5 DRAM不断增长的需求。
2024-06-17 16:30:50
1183 在半导体存储行业,三星电子和SK海力士两大韩国巨头一直以其卓越的技术和产能占据市场的重要地位。然而,近期韩媒援引业内人士的消息称,这两大巨头的通用DRAM(动态随机存取存储器)产线开工率目前维持在80%~90%的水平,显示出市场供需之间的微妙平衡。
2024-06-24 11:26:30
1244 在科技日新月异的今天,DRAM(动态随机存取存储器)作为计算机系统中的关键组件,其技术革新一直备受瞩目。近日,据业界权威消息源透露,韩国两大DRAM芯片巨头——三星和SK海力士,都将在新一代高带宽
2024-06-25 10:01:36
1486 雄心勃勃的宣言无疑给当前HBM市场的两大主要竞争对手——SK海力士和三星带来了不小的竞争压力,尤其是SK海力士,作为韩国DRAM行业的领军企业,正严阵以待,积极调整策略以应对美光的挑战。
2024-07-03 09:28:59
1061 在全球人工智能(AI)技术持续升温的背景下,韩国两大存储芯片巨头——三星电子与SK海力士正积极调整生产策略,以应对日益增长且多样化的存储需求。据韩国媒体最新报道,这两家公司正分别在其位于平泽和无锡
2024-07-08 12:54:09
1248 在半导体技术的浩瀚星空中,三星电子与SK海力士正携手点亮一颗璀璨的新星——高带宽存储器(HBM)晶圆工艺技术的重大革新。据韩媒最新报道,这两家行业巨头已正式迈入下一代HBM的技术探索之旅,其核心在于引入一种旨在防止晶圆翘曲的新技术,这一变革预示着HBM制造领域的新篇章。
2024-07-12 09:29:56
1545 SK海力士近日宣布了一项重要计划,即开发采用4F2结构(垂直栅)的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐,标志着SK海力士在DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示,随着极紫外(EUV
2024-08-14 17:06:43
1670 近期,科技界传来重要消息,三星、SK海力士及美光三大半导体巨头正全力推进高带宽内存(HBM)的产能扩张计划。据预测,至2025年,这一领域的新增产量将激增至27.6万个单位,推动年度总产量翻番至54万个单位,实现惊人的105%年增长率,标志着HBM产能的显著飞跃。
2024-08-29 16:43:25
1771 随着三星电子定于10月8日发布第三季度初步财务报告,市场焦点转向了其与SK海力士之间营业利润的预期差距如何进一步拉大。
SK海力士因在高带宽内存(HBM)领域的强劲表现,预计将迎来历史最佳
2024-10-08 15:58:35
1552 韩国交易所近日发布的数据显示,三星电子与SK海力士的市值份额差距已经缩小至近13年来的最低水平。
2024-10-28 15:44:59
1992 的领先地位,更为未来的高性能计算市场带来了全新的可能性。 SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)表示,尽管业界普遍认为16层HBM市场将从HBM4时代开始兴起,但SK海力士凭借前瞻性的技术布局
2024-11-05 15:01:20
1231 SK海力士今年计划大幅提升其高带宽内存(HBM)的DRAM产能,目标是将每月产能从去年的10万片增加至17万片,这一增幅达到了70%。此举被视为该公司对除最大客户英伟达外,其他领先人工智能(AI)芯片公司需求激增的积极回应。
2025-01-07 16:39:09
1310 增长42.5%至267.29亿美元,环比减少8.5%。 然而不可忽视的是,在2025年一季度,SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势,终结三星长达四十多年的市场统治地位,以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一。 其实从2024年SK海力士与三星在DRAM上的差距就已经开始
2025-05-06 15:50:23
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SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
1667 AMD、微软和亚马逊等。 HBM(高带宽存储器),是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品,SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。 HBM 成为
2023-07-06 09:06:31
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