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电子发烧友网>存储技术>2018年用绘图DRAM市场销量上扬 三星与SK海力士相继推出HBM2

2018年用绘图DRAM市场销量上扬 三星与SK海力士相继推出HBM2

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三星近期在Memcon 2024行业会议中声称,计划于今年底以前实现1c nm工艺的量产。另据行业消息人士透露,SK海力士已确定在第季度实现1c纳米DRAM内存的商业化生产。
2024-04-09 16:53:051425

SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025

SK海力士宣布,计划于2025下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议,原本预计HBM4内存要等到2026才会问世。
2024-05-06 15:10:211338

SK海力士明年HBM产能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高带宽内存(HBM)芯片在2025的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能(AI)技术的蓬勃发展,极大地推动了市场HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927

SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978

涨价20%!三星SK 海力士将停止供货这类芯片

业界传出,全球前二大DRAM供货商三星SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场抢货潮,导致近期DDR3价格飙涨,最高涨幅达二成,且下半年报价还会再上扬
2024-05-14 10:31:58877

三星电子与SK海力士预测存储芯片市场需求强烈,HBM产能售罄

全球知名存储芯片制造巨头三星SK海力士预判,今年DRAM和高带宽存储器(HBM)价格将持续攀升,受益于市场对于高端芯片,尤其是人工智能相关芯片的强大需求。
2024-05-15 09:23:52983

SK海力士HBM4E存储器提前一量产

SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026开始,提前一量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明,SK海力士HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注

业内评论指出,三星HBM之所以出现问题,主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8层HBM3E的生产方式与三星有所差异,导致三星产品未能顺利通过验证。
2024-05-16 17:56:201863

三星SK海力士下半年停产DDR3内存

近日,三星SK海力士宣布,将于下半年停止生产并供应DDR3内存,转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
2024-05-17 10:12:211563

三星SK海力士未恢复增产并计划限制DRAM产量

 根据行业预估,三星SK海力士有望在今年扩展产量以应对逐步好转的半导体市场环境。然而,他们在今年一季度财政报告会上均表示,DRAM产量可能会受到制约。
2024-05-22 14:49:59971

三星SK海力士DRAM和NAND产量持保守态度

DRAM和NAND芯片的生产上,三星SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035

SK海力士力挫三星,稳坐HBM行业领军地位

值得注意的是,早年对HBM技术表现出浓厚兴趣的三星,与英伟达共同研发了HBMHBM2系列产品,然而销售初期市场反应冷淡,导致持续亏损。
2024-05-29 15:50:00932

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞银集团最新报告指出,SK海力士HBM4芯片预计从2026起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄,显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士加大1b DRAM产能以满足市场需求

在全球半导体产业风起云涌的当下,SK海力士再次展现出其前瞻性和决断力。据行业内部消息透露,该公司正积极扩大其第5代1b DRAM的生产规模,以应对当前市场HBM(高带宽内存)及DDR5 DRAM不断增长的需求。
2024-06-17 16:30:501183

三星SK海力士通用DRAM产线开工率维持80%~90%

在半导体存储行业,三星电子和SK海力士两大韩国巨头一直以其卓越的技术和产能占据市场的重要地位。然而,近期韩媒援引业内人士的消息称,这两大巨头的通用DRAM(动态随机存取存储器)产线开工率目前维持在80%~90%的水平,显示出市场供需之间的微妙平衡。
2024-06-24 11:26:301244

三星海力士引领DRAM革新:新一代HBM采用混合键合技术

在科技日新月异的今天,DRAM(动态随机存取存储器)作为计算机系统中的关键组件,其技术革新一直备受瞩目。近日,据业界权威消息源透露,韩国两大DRAM芯片巨头——三星SK海力士,都将在新一代高带宽
2024-06-25 10:01:361486

美光HBM市场雄心勃勃,SK海力士加速应对挑战

雄心勃勃的宣言无疑给当前HBM市场的两大主要竞争对手——SK海力士三星带来了不小的竞争压力,尤其是SK海力士,作为韩国DRAM行业的领军企业,正严阵以待,积极调整策略以应对美光的挑战。
2024-07-03 09:28:591061

三星电子与SK海力士加大DRAMHBM产能,应对AI热潮下的存储需求

在全球人工智能(AI)技术持续升温的背景下,韩国两大存储芯片巨头——三星电子与SK海力士正积极调整生产策略,以应对日益增长且多样化的存储需求。据韩国媒体最新报道,这两家公司正分别在其位于平泽和无锡
2024-07-08 12:54:091248

三星SK海力士探索激光解键合技术

在半导体技术的浩瀚星空中,三星电子与SK海力士正携手点亮一颗璀璨的新星——高带宽存储器(HBM)晶圆工艺技术的重大革新。据韩媒最新报道,这两家行业巨头已正式迈入下一代HBM的技术探索之旅,其核心在于引入一种旨在防止晶圆翘曲的新技术,这一变革预示着HBM制造领域的新篇章。
2024-07-12 09:29:561545

SK海力士转向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一项重要计划,即开发采用4F2结构(垂直栅)的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐,标志着SK海力士DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示,随着极紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

三星SK海力士及美光正全力推进HBM产能扩张计划

近期,科技界传来重要消息,三星SK海力士及美光大半导体巨头正全力推进高带宽内存(HBM)的产能扩张计划。据预测,至2025,这一领域的新增产量将激增至27.6万个单位,推动年度总产量翻番至54万个单位,实现惊人的105%年增长率,标志着HBM产能的显著飞跃。
2024-08-29 16:43:251771

SK海力士Q3利润有望赶超三星半导体

随着三星电子定于10月8日发布第季度初步财务报告,市场焦点转向了其与SK海力士之间营业利润的预期差距如何进一步拉大。   SK海力士因在高带宽内存(HBM)领域的强劲表现,预计将迎来历史最佳
2024-10-08 15:58:351552

三星SK海力士市值份额差距缩至13最小

韩国交易所近日发布的数据显示,三星电子与SK海力士的市值份额差距已经缩小至近13来的最低水平。
2024-10-28 15:44:591992

SK海力士推出48GB 16层HBM3E产品

的领先地位,更为未来的高性能计算市场带来了全新的可能性。 SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)表示,尽管业界普遍认为16层HBM市场将从HBM4时代开始兴起,但SK海力士凭借前瞻性的技术布局
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士增产HBM DRAM,应对AI芯片市场旺盛需求

SK海力士今年计划大幅提升其高带宽内存(HBM)的DRAM产能,目标是将每月产能从去年的10万片增加至17万片,这一增幅达到了70%。此举被视为该公司对除最大客户英伟达外,其他领先人工智能(AI)芯片公司需求激增的积极回应。
2025-01-07 16:39:091310

HBM重构DRAM市场格局,2025首季DRAM市占排名

增长42.5%至267.29亿美元,环比减少8.5%。   然而不可忽视的是,在2025一季度,SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势,终结三星长达四十多年的市场统治地位,以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一。     其实从2024SK海力士三星DRAM上的差距就已经开始
2025-05-06 15:50:231221

SK海力士HBM技术的发展历史

SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

英伟达、微软、亚马逊等排队求购SK海力士HBM芯片,这些国产设备厂迎机遇

AMD、微软和亚马逊等。   HBM(高带宽存储器),是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品,SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。   HBM 成为
2023-07-06 09:06:313695

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