三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度
在DRAM和NAND芯片的生产上，三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨，这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能，进而推动了通用内存需求的短暂上升。
然而，整个通用存储芯片市场仍面临着不确定性。此外，随着HBM（高带宽内存）需求的持续旺盛，三星电子和SK海力士正积极扩产HBM，这势必会抑制通用DRAM的晶圆投片量。在此背景下，两大公司对于提高标准DRAM和NAND芯片产量的决策更显审慎。未来市场走势如何，还需进一步观察。
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