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电子发烧友网>存储技术>DRAM内存今年继续缺货、涨价:三星成主要推手

DRAM内存今年继续缺货、涨价:三星成主要推手

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2021-01-06 10:36:493260

开始供不应求!2021年DRAM内存将全面涨价

DRAM内存从2018年进入周期性下跌,经过两年多的低潮期之后,内存市场在2020年底开始止跌,部分产品甚至开始涨价内存涨价主要原因在于三星、美光、SK海力士、削减内存产能,预计从2021年内存
2021-02-05 18:18:518548

DRAM涨价现象给本土厂商哪些机遇?

厂商哪些机遇和启示? 纷纷预警!    图源:集邦咨询 众所周知,DRAM市场牢牢把握在三星、SK海力士、美光手中,集邦咨询的报告显示,2020年第季度,大存储厂商占据了全球高达94.5%的市场份额,而SK海力士和美光已相继传出了DRAM产品的供需紧张
2021-02-26 14:29:012387

三星开发出首款512GB内存扩展器

今日,作为先进内存技术的厂商,三星宣布开发出三星首款512GB内存扩展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商业化迈出了重要一步,CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。
2022-05-10 10:16:082306

三星电子DDR5 DRAM内存颗粒实现HKMG工艺大规模应用

该机构表示,目前已经在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5内存中发现了三星HKMG DDR5内存颗粒。该机构还预计HKMG将成为下一代DRAM行业的新标准。
2022-09-19 15:14:482099

深度解析三星内存处理技术(PIM)

在Hot Chips 2023上,三星展示了内存技术,内存主要成本是将数据从各种存储和内存位置传输到实际的计算引擎。
2023-10-07 11:03:372453

三星与SK海力士DRAM继续涨价

笔电DDR5 16Gb SO-DIMM 高容量存储器模组合约价,10 月也较9 月上涨11.5%,到每单位33 美元。智能手机DRAM合约价也开始涨价。TrendForce 预计第四季行动DRAM
2023-11-03 17:23:091749

三星2025年后将首家进入3D DRAM内存时代

在Memcon 2024上,三星披露了两款全新的3D DRAM内存技术——垂直通道晶体管和堆栈DRAM。垂直通道晶体管通过降低器件面积占用,实现性能提升;
2024-04-01 15:43:081209

SK海力士、三星电子年内启动1c纳米DRAM内存量产

三星近期在Memcon 2024行业会议中声称,计划于今年底以前实现1c nm工艺的量产。另据行业消息人士透露,SK海力士已确定在第季度实现1c纳米DRAM内存的商业化生产。
2024-04-09 16:53:051425

三星LPDDR5X DRAM内存创10.7Gbps速率新高

值得注意的是,此前市场上其他品牌的LPDDR5X DRAM内存最高速度仅为9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X内存采用12纳米级制程工艺,相较前代产品性能提升超过25%,容量增加30%。
2024-04-17 16:29:161383

涨价20%!三星、 SK 海力士将停止供货这类芯片

业界传出,全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场抢货潮,导致近期DDR3价格飙涨,最高涨幅达二,且下半年报价还会再上扬。
2024-05-14 10:31:58877

三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度

DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035

三星电子12nm级DRAM内存良率不足五

近日,据韩国媒体报道,三星在其1b nm(即12nm级)DRAM内存生产过程中遇到了良率不足的挑战。目前,该制程的良率仍低于业界一般目标的80%~90%,仅达到五左右。为了应对这一局面,三星已在上月成立了专门的工作组,致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408

今日看点丨曝三星计划Q3对DRAM、NAND涨价15%~20%;传苹果将大砍一半产线员工

1. 传三星计划Q3 对DRAM 、NAND 涨价15%~20% ,现已通报客户   6月26日,多家媒体报道称,三星计划于第季度把动态随机存储器(DRAM)、NAND的价格上调15%~20
2024-06-27 11:02:40754

三星积极研发LLW DRAM内存,剑指苹果下一代XR设备市场

近日,韩媒ZDNet Korea报道,三星电子正全力投入到低延迟宽I/O(LLW DRAM内存的研发中,旨在为未来苹果Vision Pro之后的下一代头戴式显示器(XR设备)订单做好充分准备。这一举措标志着三星在高端智能设备内存领域的雄心壮志,以及其对市场格局重塑的坚定决心。
2024-07-18 15:19:241453

三星确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资

据韩国媒体最新报道,三星电子已正式确认在平泽P4工厂投资建设先进的1c nm DRAM内存产线,并预计该产线将于明年6月正式投入运营。这一举措标志着三星电子在半导体技术领域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201

三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟

据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以达到结束开发工作、顺利进入量产阶段的要求。然而,实际情况并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

三星否认重新设计1b DRAM

据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星电子否认1b DRAM重新设计报道

据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,三星电子为应对其12nm级
2025-01-23 15:05:11923

看点:三星DDR4内存涨价20% 华为与优必选全面合作具身智能

给大家带来一些业界资讯: 三星DDR4内存涨价20%  存储器价格跌势结束,在2025年一季度和第二季度,价格开始企稳反弹。 据TrendForce报道称,三星公司DDR4内存开始涨价,在本月初三星
2025-05-13 15:20:111207

减产有成效,Q4三星NAND Flash要涨价10%,加速存储市场反弹

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日有消息称,三星计划在今年第四季度将NAND Flash产品的价格提高10%以上,预计最快会从10月开始涨价。与此同时,为了加速去库存以配合涨价三星今年以来就一直
2023-10-08 09:01:373853

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