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电子发烧友网>存储技术>三星DRAM间接减产9%,占全球DRAM产量4%

三星DRAM间接减产9%,占全球DRAM产量4%

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三星DRAM产量降至两年来新低 行业频现库存改善信号

但这并不是全部,报道称三星内部计划将减产持续至明年,在半导体市场重回供需平衡之前,公司将避免扩产存储芯片。Omdia预计,明年下半年三星DRAM产量将保持在60万片,较目前水平进一步减少。
2023-07-06 15:57:361181

三星电子DRAM市场份额创新低 仍是全球第一

今年上半年,三星电子的旗舰产品,如半导体、智能手机和电视等,在市场份额方面普遍遭遇下滑。特别是在半导体领域的核心业务DRAM方面,尽管三星电子仍然占据全球第一的位置,但市场份额已经达到了自9年来的最低点。
2023-08-18 17:14:572594

三星再次减产,刺激DDR4价格上涨

三星公司计划在下半年再次削减DRAM制程的产能,而今年以来这一减产主要针对DDR4。业界普遍预期,三星的目标是在今年年底之前将库存水平降至合理水平。这一减产举措可能会导致DDR4市场价格上涨,而目前
2023-09-15 17:42:081808

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

单芯片超过 100Gb,三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片

三星电子在此次会议上表示:“从2023年5月开始批量生产了12纳米级dram,目前正在开发的11纳米级dram将提供业界最高密度。”另外,三星正在准备10纳米dram的新的3d构架,并计划为一个芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片

三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后将开发的技术时,管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星与美光第一季DRAM价格涨幅15%~20%

近期,全球DRAM市场风云再起。两大巨头三星和SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能,这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在,最新消息表明,DRAM价格有望在2024年第一季度迎来新一轮的上涨,涨幅预计达到15%至20%。
2024-01-03 14:35:201372

三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星在硅谷建立3D DRAM研发实验室

三星电子,全球领先的存储芯片制造商,近日宣布在美国设立新的研究实验室,专注于开发新一代3D DRAM技术。这个实验室将隶属于总部位于美国硅谷的Device Solutions America (DSA),负责三星在美国的半导体生产。
2024-01-30 10:48:461306

全球DRAM产业量价双升,大原厂获益

三星作为行业领军者,在本季度DRAM营收达到79.5亿美元,环比增长近50%,主要受益于1αnm DDR5的出货提速,服务器DRAM出货量跃增逾60%。
2024-03-05 15:40:571207

在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?

在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?
2024-05-09 18:46:35924

三星和SK海力士未恢复增产并计划限制DRAM产量

 根据行业预估,三星和SK海力士有望在今年扩展产量以应对逐步好转的半导体市场环境。然而,他们在今年一季度财政报告会上均表示,DRAM产量可能会受到制约。
2024-05-22 14:49:59971

三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度

DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035

三星电子研发16层3D DRAM芯片及垂直堆叠单元晶体管

在今年的IEEE IMW 2024活动中,三星DRAM业务的资深副总裁Lee指出,已有多家科技巨头如三星成功制造出16层3D DRAM,其中美光更是发展至8层水平。
2024-05-22 15:02:201617

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露,竞争对手美光也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
2024-05-29 14:44:071398

三星确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资

据韩国媒体最新报道,三星电子已正式确认在平泽P4工厂投资建设先进的1c nm DRAM内存产线,并预计该产线将于明年6月正式投入运营。这一举措标志着三星电子在半导体技术领域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201

三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期

据韩媒MoneyToday报道,三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星否认重新设计1b DRAM

据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星电子否认1b DRAM重新设计报道

据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,三星电子为应对其12nm级
2025-01-23 15:05:11923

三星调整1cnm DRAM设计,力保HBM4量产

据韩国媒体报道,三星电子正面临其第六代1cnm DRAM的良品率挑战,为确保HBM4内存的顺利量产,公司决定对设计进行重大调整。
2025-02-13 16:42:511343

HBM重构DRAM市场格局,2025年首季DRAM排名

增长42.5%至267.29亿美元,环比减少8.5%。   然而不可忽视的是,在2025年一季度,SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势,终结三星长达四十多年的市场统治地位,以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一。     其实从2024年SK海力士与三星DRAM上的差距就已经开始
2025-05-06 15:50:231221

减产有成效,Q4三星NAND Flash要涨价10%,加速存储市场反弹

对NAND闪存以及DRAM减产。   在今年第一季度财报中,半导体业务暴亏4.58万亿韩元(约合249亿元人民币)后,三星改变了此前“不减产”的承诺,表示将调整存储芯片产量。经过半年多的减产等调控措施,从近期包括三星在内的多家存储大厂的动作来看,存
2023-10-08 09:01:373853

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