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电子发烧友网>存储技术>三星转产三成 标准型DRAM价回温

三星转产三成 标准型DRAM价回温

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2020-11-24 14:34:082248

三星将用DRAM厂生产CIS

DIGITIMES消息,据韩国经济引述业界消息,受5G手机、自驾车、机器人等市场快速发展影响,CIS需求跟着激增,三星传决定2021年增加CIS产量。 消息表示,三星电子将于2021年将一座DRAM
2020-12-18 18:24:312918

server DRAM合约全年涨幅有望超过四

TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处调查,自2020年第季至今,server DRAM产能比重已降至三成左右,其比重调降除为平衡产品线的供需失衡,亦为调整各产品线DRAM平均零售价(ASP)。
2021-02-25 14:49:251687

三星将中断12nm DRAM芯片开发,直接跨入11nm

近日,据韩媒报道称,三星的研发人员收到了中断1b工艺DRAM芯片开发的命令,要求直接研发1c工艺DRAM芯片,也就是跳过12nm工艺直接研发11nm工艺。 在此之前,三星也做出过类似的决定。曾经各大
2022-04-18 18:21:582244

三星首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

-三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 官方发布    2022年12月21日,三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米
2022-12-21 11:08:291205

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

三星将于明年量产LPDDR5T DRAM芯片

三星将从明年开始批量生产LPDDR5T DRAM芯片。三星电子副总裁Ha-Ryong Yoon最近在投资者论坛上介绍了公司状况和今后计划等。当投资者询问三星今后将开发的技术时,管理人员公开了有关LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580

在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?

在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?
2024-05-09 18:46:35924

三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度

DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035

三星电子12nm级DRAM内存良率不足五

近日,据韩国媒体报道,三星在其1b nm(即12nm级)DRAM内存生产过程中遇到了良率不足的挑战。目前,该制程的良率仍低于业界一般目标的80%~90%,仅达到五左右。为了应对这一局面,三星已在上月成立了专门的工作组,致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408

三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星否认重新设计1b DRAM

据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星电子否认1b DRAM重新设计报道

据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,三星电子为应对其12nm级
2025-01-23 15:05:11923

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