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电子发烧友网>存储技术>三星披露下一代HBM3E内存性能

三星披露下一代HBM3E内存性能

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2024-03-25 15:36:1194

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存

据最新消息透露,英伟达即将从今年9月开始大规模采购12层HBM3E内存,而这次供货的重任将完全由三星电子承担。这一消息无疑为业内带来了不小的震动。
2024-03-26 10:59:06146

三星电子HBM存储技术进展:12层HBM3E芯片,2TB/s带宽HBM4即将上市

据业内透露,三星HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司,有能力在2024年9月实现对英伟达的替代,这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而,三星方面不愿透露具体客户信息。
2024-03-27 09:30:09107

英伟达、微软、亚马逊等排队求购SK海力士HBM芯片,这些国产设备厂迎机遇

AMD、微软和亚马逊等。   HBM(高带宽存储器),是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3EHBM3的下一代产品,SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。   HBM 成为
2023-07-06 09:06:312165

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