三星扩大与Arm合作，优化下一代GAA片上系统IP

三星电子宣布，其与英国半导体设计公司安谋（ARM）的合作将得到加强，旨在提升其代工业务竞争力。此次合作中，三星电子意图借助世界领先的GAA（环栅场效晶体管）技术，升级自家的片上系统（SoC） IP。合作焦点在于，优化ARM在Cortex-A、Cortex-X通用CPU核心上的下一代芯片，进一步迎接其即将到来的2nm制程。然而具体细节暂未公布，例如是否将对三星在2025年推出的SF2制程或2026年推出的SF2P制程进行专门设计。

三星方面确认，此举目的在于提升无晶圆厂商使用尖端GAA工艺的可能性，并缩减新品开发周期及费用。GAA被誉为下一代半导体核心技术，使晶体管性能得以提升，被誉为代工产业“变革者”。早在2022年6月，三星已经成为全球首家应用GAA技术于3nm制程的公司，现正逐步推广第一代3纳米GAA工艺。

三星电子与ARM的合作历程长达逾十年，早在2018年7月就扩大至7纳米、5nm FinFET工艺技术。双方共同追求优秀的功耗性能比（PPA），并致力于为众多初创企业及时提供产品。展望未来，目标更是包括陆续推出适用于数据中心的2nm GAA技术，以面向AI移动计算市场的定制半导体和AI小芯片解决方案等多领域。

可以预见，此次合作能否给三星电子代工业务注入新动力，备受关注。尽管三星电子去年四季度业绩因为市场需求不振而略显低迷，但订单数却创造了年内新纪录。韩国KB证券分析师金东元表示，去年三星代工厂订单额高达160亿美元，预计将由2022年的100家客户增至2023年的120家，直到2028年达到210家，增幅超过一倍。