SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 ，2019年12月提升为开发制造总裁。 DRAM和NAND Flash市场密不可分，SK海力士相关人士表示：SK海力士首席执
2019-12-07 00:53:004758 4D NAND，基于先进的制程工艺，将无形的给其他SSD品牌厂竞争压力。 SK海力士发言人表示：SK海力士的新SSD是为寻求运行多媒体和要求苛刻的PC游戏等终端应用客户提供高性能首选解决方案。在CES
2019-12-30 15:57:394178 Western Digital和Kioxia宣布成功开发了最新一代的3D NAND闪存。他们的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式开始生产，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:007244 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 目前，我们还无法断定3D NAND是否较平面NAND更具有製造成本的优势，但三星与美光显然都决定把赌注押在3D NAND产品上。如今的问题在于，海力士（SK Hynix）与东芝（Toshiba）两大市场竞争对手能否也拿出同样具备竞争优势的产品？
2016-09-12 13:40:252173 目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产，韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的 M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 09:06:351594 苹果供应商海力士（SK Hynix）今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 在三星、东芝存储器（TMC）、西部数据、美光、SK海力士等3D技术快速发展的推动下，不仅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原厂将加快从64层3DNAND向96层
2019-07-05 09:11:117106 是超一流的。 PE8010、PE8030都配备了SK海力士自产的96层堆叠4DTLCNAND闪存颗粒，搭配自研主控，最大容量8TB，兼容U.2、U.3接口，其中PE8010面向读取密集型
2020-04-08 10:11:536532 SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。
2020-08-19 13:59:423984 根据南韩媒体 《Business Korea》 报道，南韩存储器大厂 SK 海力士旗下为积极争取未来中国境内的晶圆代工需求，在近期 SK 海力士收购英特尔的 NAND Flash 快闪存储器业务之后
2020-11-11 10:12:403651 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。各大厂商的3D闪存技术并不一样，所以堆栈
2021-02-20 10:02:323312 极紫外（EUV）光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下，以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中，以应对不断增加的工作负载。 SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础
2021-03-29 14:38:437477 电子发烧友网报道（文/黄晶晶）早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+层 3D NAND，并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
电子发烧友网综合报道，SK海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008534 DRAM产能再大，也难以满足全球庞大的市场需求。因此，应该是技术层面的原因。技术才是高科技产业的核心竞争力。3D Flash目前技术在96层，但是技术路标的能见度已至512层－3D Flash做为
2018-10-12 14:46:09
SK海力士虽然并未有扩产消息传出，但是近期相继宣布下一代（176层）NAND闪存技术取得显著进展。其中，美光最新的176层3D NAND已经在新加坡工厂量产，将在2021年推出基于该技术的新产品，SK
2022-01-26 08:35:58
。关键在于DRAM的需求比NAND紧俏。但因NAND并非寡占状态，三星必须积极投资，而SK海力士也必须力争上游。所以各厂的投资都很积极，并往3D多层化的方向进展。NAND同样必须以良率在市场上竞争，加以十分
2018-12-24 14:28:00
循环设计的电荷陷阱单元相比，铠侠首创的这种半圆形 3D 浮栅单元结构，具有更大的编程 / 擦除窗口和斜率，且单元尺寸做到了更小。而SK海力士方面，则在去年6月宣布了其关于4D NAND的进展。据相关
2020-03-19 14:04:57
2012年4月5日，中国上海 –Spansion公司（纽约证交所代码：CODE）与SK海力士公司近日宣布结成战略同盟，并针对嵌入式应用市场发布4x、3x、2x节点Spansion SLC NAND产品。基于双方合作开发
2012-04-06 09:05:391094 SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。
2016-12-27 14:15:111317 
据报道，苹果供应商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三级单元阵列的 72 层，256Gb 的 3D NAND 闪存芯片。通过堆叠，这比以前的 48 层技术多出 1.5 倍的单元，单个
2017-04-12 01:07:111359 2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到
2018-06-03 09:50:556262 随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND将在Q4扩大出货，代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:161646 首先是3D NAND的技术路线选择，SK海力士称，CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P／E次数多）
2018-08-12 10:55:154453 ，同时恐激化各家原厂展开96层3D NAND技术竞争，然而市场更多的是关心NAND Flash价格走向将如何。
2018-08-22 16:25:462599 SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043820 市场。SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数从36层起步，不过真正量产的是48层堆栈的3D NAND闪存，MLC类型的容量128Gb，TLC类型的也可以做到256Gb容量。 Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39780 SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先，NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长，而新工厂将帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士能否凭借新产品在竞争力相对弱势的NAND闪存市场站稳脚跟并争取NAND闪存市场的主导权，倍加受人关注。SK海力士在全球D-RAM市场仅次于三星电子排名第二，但在NAND闪存市场却以大约10
2018-11-09 15:49:515400 SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元（18.4亿美金）。
2018-12-03 08:52:561817 6月15日，三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND，与48层256Gb V-NAND相比，生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 继2015年Samsung推出32层堆层的3D V-NAND之后，2016年市场便很热闹，除了SK Hynix推出了36层的3D NAND V2、Micron/Intel也推出了32层的3D NAND，而Toshiba/ SanDisk甚至进一步推出了48层的产品。
2019-01-28 11:21:2712546 SK海力士今年第一季财报和当初预期相同，受存储器行情影响，营收和营益骤减，对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场，预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10％以上。
2019-04-26 17:40:414060 长江存储在 2018 年成功研发32层3D NAND芯片后，进一步规划在2019年8月开始生产新一代的64层 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash战局，对比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）进入90层3D NAND芯片生产，长江存储追赶世界大厂的步伐又大幅迈进一步。
2019-05-17 14:13:281753 SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功，并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。
2019-06-27 15:23:283820 SK海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，并开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
2019-07-25 15:08:544098 .据日经新闻报道，韩国内存大厂SK海力士今日表明，为了应对日本对韩国部分关键半导体材料的出口管制，该公司在2019年NAND型闪存产量将比2018年时减产15％。
2019-07-26 15:39:413080 由于 3D NAND 存储器市场出现了供过于求的现象，制造商们不得不减产以稳定价格。
2019-07-30 14:29:393096 7月11日，业内传出消息称，SK海力士计划收购Intel位于中国大连的Fab 68存储工厂及3D NAND业务。对此传闻，英特尔向芯智讯进行了回应。
2019-08-06 15:16:014741 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。不过，虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品，但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241455 SK海力士日前宣布推出新一代企业级SSD固态硬盘，不过并没有公布新品SSD的名称，有限的信息为支持NVMe协议，采用72层堆栈的3D TLC闪存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可达8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 根据消息报道，韩国全球半导体制造商SK海力士将在2020年国际消费电子展（CES）上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固态硬盘，采用SK海力士的128层4D NAND闪存。
2019-12-30 15:27:124487 在最近举办的CES 2020展会上，SK海力士展出了两款新的高端SSD，分别是Gold P31、Platinum P31，最大特点采用了SK海力士自家的4D TLC NAND闪存。
2020-01-13 11:45:553583 2 月 13 日讯，SK 海力士宣布，已经与 Xperi Corp 旗下子公司 Invensas 签订新的专利与技术授权协议，获得了后者 DBI Ultra2.5D/3D 互连技术的授权。
2020-02-15 16:39:071283 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:194475 存储芯片大厂SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，TLC颗粒，容量达512Gb（64GB）。 据，SK海力士透露，该闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术
2020-12-14 15:55:321786 据路透社当地时间19日报道援引知情人士称，英特尔正准备将NAND芯片业务，以近100亿美元的价格，出售给SK海力士。若交易达成，将使得SK海力士超越日本Kioxia，成为NAND内存市场的全球第二大厂商，并进一步缩小与行业领头羊三星之间的差距。
2020-10-20 14:10:142309 SK海力士于今(20)日宣布将以90亿美元收购Intel的NAND内存与储存事业，以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易，超过三星
2020-10-21 17:26:322248 据国外媒体报道，SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务！ SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息，SK海力士在官网上表示，两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:152718 近日闪存芯片行业又现巨震，英特尔将自己的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 前不久，Intel突然宣布以90亿美元（约601亿）的价格将旗下的NAND闪存业务出售给了SK海力士，业内哗然。
2020-11-05 09:37:321877 据报道，第三季度财报优于市场预期的SK海力士计划在五年内将其NAND销售额增加两倍以上。SK海力士并再次强调，决心通过从英特尔手中收购NAND业务，在NAND市场占据领先地位。
2020-11-05 12:17:422079 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:572623 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 据了解，SK海力士半导体有限公司是全球第二大内存制造商，公司主要生产以D-RAM和NAND为主的半导体产品，自1983年建立以来，公司不断发展创新，在2015年全球500强排名中,SK集团排名第57位，同时在2015世界半导体行业中排名第3位
2020-12-07 09:16:163194 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术。 4D闪存是SK
2020-12-07 13:49:272200 继美光后，SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:092510 根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:233708 据报道，SK hynix日前发布了其最新一代的3D NAND。据介绍，新产品具有176层电荷charge trap单元。在美光宣布他们的176L NAND开始以Crucial品牌产品发货之后，SK hynix是第二家达到这一层数的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 层3D NAND；长江存储于今年4月份宣布推出128层堆栈的3D NAND闪存。转眼来到2020年末，美光和SK海力士相继发布了176层3D NAND。这也是唯二进入176层的存储厂商。不得不说，存储之战没有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 去年底Intel宣布将旗下的NAND闪存业务以600亿元的价格卖给了SK海力士公司，但是傲腾硬盘业务没卖，基于3D Xpoint技术的傲腾是Intel的王牌。
2021-02-04 10:27:272085 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。
2021-02-20 10:40:582714 新一代3D NAND技术已迎来新的战局，继美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D NAND之后，铠侠和西部数据也正式宣布推出162层3D NAND技术，三星也称将在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特尔大力推广144层3D NAND，硝烟已四起。
2021-02-24 11:22:072770 近日，SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂，该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分，将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238层NAND闪存新产品。
2022-08-04 15:53:4915867 美光已经在完成 232 层 NAND 的订单，而且不甘示弱，SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND。或许更重要的是，芯片制造商私下表示，他们将利用行业学习为目前正在开发的 3D-IC 堆叠 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 据知名半导体和微电子情报提供商TechInsights报道，长江存储的232层3D NAND闪存X3-9070已经实现量产，领先于三星、美光、SK海力士等厂商，这也是__中国品牌在半导体领域首次领先于国际竞争者。__
2022-12-05 17:07:381876 4月26日新闻，DigiTimes援引韩国媒体报道称，SK海力士正在推迟其位于中国大连的第二个3D NAND工厂的完工。据悉，这一决议是为了应对市场需求萎缩以及美国限制向中国出口先进晶圆厂工具。 但
2023-05-05 15:22:002870 
sk海力士表示：“以238段nand闪存为基础，开发了智能手机和pc用客户端ssd （client ssd）解决方案产品，并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品，在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:532449 SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:471993 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 去年，铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置，其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持，铠侠提出借助其实施的日本产 3D NAND 晶圆厂，提供额外产能供 SK 海力士扩大 3D NAND 存储器产能。
2024-02-18 16:06:59980 来源：集成电路前沿，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 3月25日消息，据报道，由于SK海力士部分工程出现问题，英伟达所需的12层HBM3E内存，将由三星独家供货，SK海力士出局！ 据了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK 海力士正在与东京电子（TEL）展开紧密合作，通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来的NAND闪存生产导入新技术。在当前，增加堆叠层数已经成为提高3D NAND闪存颗粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:241034 今日，SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破，他们成功研发出了面向端侧（On-Device）AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。这款产品的推出，标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
2024-05-09 11:00:301175 ）提交了一份关于3D DRAM（三维动态随机存取存储器）的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士在3D DRAM领域取得的显著进展，更向世界展示了其在这一未来存储技术上的坚定决心与卓越实力。
2024-06-24 15:35:291746 在全球半导体技术的激烈竞争中，SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日，在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果，其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473 在半导体行业日益激烈的竞争中，SK海力士再次展现其前瞻布局与技术创新的决心。近日，有消息称SK海力士正与全球知名的封装测试外包服务（OSAT）大厂Amkor就硅中介层（Si Interposer
2024-07-18 09:42:511223 韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新，据韩媒最新报道，该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作，并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士在NAND闪存领域再次迈出坚实步伐，引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:111743 自豪地宣布，SK 海力士当前市场上的旗舰产品——8层HBM3E，已稳坐行业领导地位，而更进一步的是，公司即将在本月底迈入一个新的里程碑，正式启动12层HBM3E的量产。这一举措不仅巩固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生产的新阶段，批量生产业界领先的12层HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士在内存技术上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录，为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半导体巨头SK海力士震撼宣布了一项业界瞩目的技术里程碑，该公司已成功在全球范围内率先实现12层HBM3E芯片的规模化生产，此举不仅将HBM存储器的最大容量推升至史无前例的36GB新高度，更进一步巩固了SK海力士在AI应用存储器市场的领军地位。
2024-09-26 16:30:311987 SK海力士近日宣布了一项重大突破，公司已成功在全球范围内率先实现12层堆叠HBM3E的量产，这一里程碑式的成就标志着其在高端存储技术领域的持续领先地位。这款新品不仅将HBM产品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI应用所需的速度、容量及稳定性等方面均达到了全球顶尖水平。
2024-09-27 16:49:171176 和卓越的研发能力，已经提前开发出48GB 16层HBM3E产品。这一举措不仅展现了SK海力士的技术实力，更凸显了其对市场趋
2024-11-05 15:01:201231 限的产能转向更高端的产品线，如人工智能用存储器及先进DRAM产品。 SK海力士的这一决策可能与其重点发展高端存储技术研发和生产有关。近日，该公司对外展示了全球首款48GB 16层HBM3E产品，该产品在容量和层数上均达到了业界最高水平。这一成果不仅彰显了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日举行的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出，标志着SK海力士在高端存储技术领域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 坚实基础。 SK海力士的这一举措，无疑将在全球半导体市场中掀起波澜。16Hi HBM3E内存作为业界领先的技术产品，其量产将有望推动整个半导体存储行业的发展和进步。通过加速量产准备工作，SK海力士不仅展现了其在技术创新方面的实力，也彰显了其对于市场需求变化
2024-12-26 14:46:241050 产品价格。 继美光和三星宣布减产计划后，全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉，SK海力士计划将上半年NAND Flash存储器的产量削减10%。这一决定无疑将对市场产生深远影响。 根据机构先前发布的报告，SK海力士在NAND Flash存储器领
2025-01-20 14:43:551096 SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）”，不仅在DRAM领域持续创新，在NAND闪存（NAND Flash，以下简称NAND
2025-07-10 11:37:591509 2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。 3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”，包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源，而比拼的就是堆叠层数。 3D NAND 为何如此重要？ 随着数字化信息的爆炸性增长，对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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