SK海力士与Invensas签订新的技术协议 冲击16层堆叠内存

2 月 13 日讯，SK 海力士宣布，已经与 Xperi Corp 旗下子公司 Invensas 签订新的专利与技术授权协议，获得了后者 DBI Ultra2.5D/3D 互连技术的授权。

据了解，DBI Ultra 是一种专利的裸片 - 晶圆(die-wafer)混合键合互连技术，使用化学键合来连接不同的互联层，无需铜柱和底层填充，不会增加高度，从而大大降低整体堆叠高度，释放空间，可将 8 层堆叠翻番到 16 层堆叠，获得更大容量，每平方毫米的面积里可以容纳 10 万个到 100 万个互连开孔，相比每平方毫米最多 625 个互连开孔的传统铜柱互连技术，可大大提高传输带宽。

DBIUltra 使用化学键合来连接不同的互联层，也不需要铜柱和底层填充，因此不会增加高度，从而大大降低整体堆叠高度，释放空间，可将 8 层堆叠翻番到 16 层堆叠，获得更大容量。

虽然它要使用新的工艺流程，但是良品率更高，也不需要高温，而高温正是影响良品率的关键因素。

和其他下一代互连技术类似，DBI Ultra 也灵活支持 2.5D、3D 整合封装，还能集成不同尺寸、不同工艺制程的 IP 模块，因此不但可用来制造 DRAM、3DS、HBM 等内存芯片，也可用于高集成度的 CPU、GPU、ASIC、FPGA、SoC。

比如 3D 堆栈内存方案，可以是 4 层的 DRAM，可以是 4/8/12/16 层的 HBM2/HBM3 并在底部整合逻辑电路。

比如 3D 集成方案，可以上方是 4-16 层堆叠 HBM、下方是 CPU/GPU/FPGA/SoC 等逻辑单元。

比如 2.5D 集成方案，可以在基板上一边是 4-16 层堆叠 HBM 并通过逻辑电路接入基板，另一边则是 CPU/GPU/FPGA/SoC 等逻辑单元直接以 DBI Ultra 互连的方式接入基板。