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电子发烧友网>存储技术>为满足NAND Flash市场增加的需求 SK海力士宣布将建新存储器晶圆厂

为满足NAND Flash市场增加的需求 SK海力士宣布将建新存储器晶圆厂

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2020-11-05 12:17:421538

SK海力士已签署协议收购英特尔的NAND内存和存储业务

SK海力士在声明中称,已签署协议收购英特尔的NAND内存和存储业务。此次收购包括英特尔的固态硬盘、Nand闪存和晶片业务,以及位于大连的工厂。但将以两次付款的形式进行,最终交易要到2025年3月份才会完成。
2020-11-11 14:53:021881

SK海力士发布176层TLC 4D NAND闪存

的应用市场SK 海力士还计划开发基于 176 层 4D NAND的 1Tb 密度的闪存,从而持续增强其在NAND闪存业务的竞争力。 IT之家曾报道,11月初,美
2020-12-07 16:16:232416

SK海力士将首次使用EUV光刻机生产芯片

存储芯片厂商SK海力士今天宣布,其公司位于韩国首尔南部利川市的M16新厂已经竣工,SK海力士将首次使用极紫外辐射(EUV)光刻机在生产存储芯片。SK海力士经过两年的时间,花费了3.5万亿韩元
2021-02-02 15:00:152112

SK海力士收购Intel闪存业务通过欧盟审批

去年10月份,Intel宣布将旗下的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给SK海力士。这笔交易在3月份通过了美国审批,日前通过了欧盟的审批,中国的审批会是未来的关键之一。   上周末欧盟
2021-05-27 09:23:571847

SK海力士入股泰科天润 SiC晶圆成各大厂必争之地

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日,有消息称SK海力士无锡投资公司参与了SiC晶圆厂泰科天润的D轮融资,成功入股泰科天润。SK集团本身具备SiC晶圆厂,但这是SK海力士在中国第一次投资SiC相关项目。
2021-11-15 09:03:311895

SK海力士完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段

SK海力士今日宣布,已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。
2021-12-30 10:09:13726

SK海力士将在大连新建NAND闪存工厂,并继续加强在中国的投资

近日,SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂,该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分,将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:533107

SK海力士研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存

SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会(Flash Memory Summit 2022)上首次亮相了238层NAND闪存新产品。
2022-08-04 15:53:4915363

SK海力士将向英伟达系统供应HBM3

SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory)产品HBM31,公司不仅又一次创造历史,更进一步巩固了SK海力士在DRAM市场上的领先地位。
2022-09-08 09:28:251175

SK海力士将投入753.81亿元建设M15X存储工厂

SK海力士将在清州市新建NAND M17产线,以提高NAND产品产能。SK海力士原计划在明年年初开始建设,最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30327

SK海力士季度亏损创纪录 sk海力士2022年财报难看

被压制,消费电子市场更是暴雷不断,SK 海力士的大部分利润来自于销售内存芯片。对于亏损SK海力士称第四季度亏损主要原因是电脑和智能手机的需求低迷导致存储芯片需求减少;叠加芯片价格大幅下滑导致。 内存芯片行业面临着严重供需失衡,而鉴
2023-02-01 16:52:122647

突发!SK海力士或出售大连工厂

4月26日新闻,DigiTimes援引韩国媒体报道称,SK海力士正在推迟其位于中国大连的第二个3D NAND工厂的完工。据悉,这一决议是为了应对市场需求萎缩以及美国限制向中国出口先进晶圆厂工具
2023-05-05 15:22:001644

三星、SK海力士在华晶圆厂将获美国延长“豁免期”; 美制芯片将比台制芯片贵30%?台积电回应

(联合盟友)限制中国获得尖端半导体的关键。 在4月底,韩国媒体报道称,SK海力士正在推迟其在中国大连的第二座3D NAND Flash工厂的完工。在最坏的情况下,SK海力士可能会决定卖掉大楼而不是继续安装昂贵的设备。不过,最新的消息显示
2023-05-11 20:16:37632

SK海力士发布全球首款321层NAND

SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存,成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品,并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:47704

三星、SK海力士存储器库存破表 牵动南亚科、华邦、群联等后市

据dram领域的调查企业trend force称,去年第四季度在dram领域,三星以45.1%的世界市场占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在nand闪存领域,三星以世界第1位占据了第4季度的世界市场占有率33.8%,sk海力士(包括solidm)以17.1%占据了第3位。
2023-08-17 09:38:58292

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

SK海力士正扩充韩国晶圆级封装部门人才

随着ai产业的增长,hbm需求剧增,sk海力士不得不增加人力和生产。hbm存储器是将多个dram芯片垂直堆叠起来,因此封装技术的防热性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:55356

SK海力士三季度亏损97亿元,SK海力士确认反对西数与铠侠合并

SK海力士称,由于高性能半导体存储器产品的市场需求增加,公司业绩开始持续改善。尤其是面向人工智能的存储器产品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等,销售表现良好。因此与上一季度相比,营业收入增长了24%,营业亏损减少了38%。
2023-10-31 17:02:28413

全球移动市场的指路灯——SK海力士背照式(BSI)技术分享

全球移动市场的指路灯——SK海力士背照式(BSI)技术分享
2023-11-23 09:06:46228

澜起科技荣获SK海力士“最佳供应商奖”

  近日,澜起科技荣获全球知名存储器厂商SK海力士颁发的“最佳供应商奖”。此前,澜起科技曾于2020年12月荣获SK海力士“质量管理优异奖”。   作为SK海力士多年的合作伙伴,澜起科技一直致力于
2023-12-04 09:02:37471

SK海力士加大高带宽内存生产投入

SK海力士近日宣布,将进一步扩大高带宽内存生产设施的投资,以满足高性能AI产品市场的不断增长需求
2024-01-29 16:54:44428

铠侠向SK海力士提议在日产非易失性存储器,推动合作达成

去年,铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置,其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持,铠侠提出借助其实施的日本产 3D NAND 晶圆厂,提供额外产能供 SK 海力士扩大 3D NAND 存储器产能。
2024-02-18 16:06:59115

SK海力士将于3月量产HBM3E存储器

在全球存储半导体市场的激烈竞争中,SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器(HBM3E)的开发工作,并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品,并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
2024-02-21 11:14:08612

SK海力士宣布HBM内存生产配额全部售罄

SK 海力士副总裁 Kim Ki-Tae 对此表示,作为 HBM 行业翘楚,海力士洞察到市场对 HBM 存储的巨大需求,现已提前调整产量,以期更好地满足市场需求,保护其市场占有率。
2024-02-23 14:12:00247

SK海力士扩大对芯片投资

SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM(高带宽存储器)日益增长的需求,为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出,公司正在韩国投入超过10亿美元,以扩大和改进其芯片封装技术。
2024-03-08 10:53:44333

SK海力士成功量产超高性能AI存储器HBM3E

HBM3E的推出,标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破,将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274

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