Western Digital和Kioxia宣布BiCS5 112层3D NAND

Western Digital和Kioxia宣布成功开发了最新一代的3D NAND闪存。他们的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式开始生产，但要到今年下半年才能增加到“有意义的商业量”。计划用于这一代的其他部件包括1Tbit TLC和1.33 Tbit QLC管芯。

BiCS5设计使用112层，而BiCS4使用96层。BiCS5是来自WDC / Kioxia的第二代，将使用字符串堆栈进行构建，并且可能被构造为两个堆栈，每个堆栈约56个活动层。尽管与上一代产品相比，112层仅增加了约16％，但两家公司仍声称密度增加了40％（按每晶圆位的数量，将112L 512Gb TLC与96L 256Gb TLC进行了比较）。允许缩小水平尺寸的设计。据说存储器阵列本身的密度大约高20％。内存接口速度已提高了50％，应该达到1.2GT / s，与大多数96L竞争对手相同。

BiCS5零件将于本季度开始提供样品。随着下半年产量的增加，使用BICS5的SSD和其他产品最早可能会在2020年底左右投放市场。Western Digital先前曾表示，他们打算让BiCS5过渡所需的CapEx低于64L到96L过渡，从而扭转了世代更新价格不断上涨的趋势。这意味着向112L的迁移可能会比上一次过渡还要慢，而且96L BiCS4将在相当长的一段时间内成为其产量的主要部分。