比特位的技术），实现了具有极大存储容量的硅芯片。 目前，最先进的3D NAND闪存可在单个硅片上容纳高达1Tbit或1.33Tbit的数据。 譬如，英特尔（Intel）和美光科技（Micron）的开发联盟和三星电子各自将制造技术与64层堆栈和QLC（四层单元）技术相结合，该技
2019-08-10 00:01:00
8135 。 继96层QLC之后，将于2020年作为Arbordale + DC推出144层QLC 图1：NAND闪存随着SLC，MLC，TLC，QLC发展 3D NAND是当前SSD中常用的闪存技术。换句话说
2019-10-04 01:41:005916 SK海力士本周宣布，他们已经开始基于其128层3D NAND闪存采样产品，该产品不久将开始出现在最终用户设备中。一年前，他们推出了96层第5代3D NAND，但低价促使他们削减了产量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 2020年下半年制造48层的3D NAND存储。然后，该公司计划在2021年开始出货96层3D NAND，并在2022年开始出货192层3D NAND。目前，该公司用于制造NAND的最先进技术是其19纳米
2019-12-14 09:51:295966 有意义的商业量。计划用于这一代的其他部件包括1Tbit TLC和1.33 Tbit QLC管芯。 BiCS5设计使用112层，而BiCS4使用96层。BiCS5是来自WDC / Kioxia的第二代
2020-02-13 01:00:007244 三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前，我们还无法断定3D NAND是否较平面NAND更具有製造成本的优势，但三星与美光显然都决定把赌注押在3D NAND产品上。如今的问题在于，海力士（SK Hynix）与东芝（Toshiba）两大市场竞争对手能否也拿出同样具备竞争优势的产品？
2016-09-12 13:40:252173 目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 据外媒报道，东芝今天宣布正式出货BiCS FLASH 3D闪存，采用64层堆叠，单晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相对于上一代48层256Gb，容量密度提升了65%，这样封装闪存芯片的最高容量将达到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 六大NAND Flash颗粒制造商之一的东芝也宣布了自家96层3D NAND产品的新消息：他们正式推出了旗下首款使用96层3D NAND闪存的固态硬盘产品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 日本东芝记忆体与合作伙伴西部数据为全新的半导体设施Fab 6 (6号晶圆厂)与记忆体研发中心举行开幕仪式；东芝记忆体总裁Yasuo Naruke无惧芯片价格下跌疑虑，表示将于9月量产96层3D NAND快闪芯片。
2018-09-20 09:25:425627 尽管2018年下半闪存企业过得并不经如意。但我们有理由相信，不止三星、东芝/西部数据（WD），美光、SK海力士等闪存企业在技术上的竞争将越向趋于激烈。通过上述对三星和东芝/西部数据(WD）3D
2019-03-21 01:55:008407 ChinaFlashMarket认为2019年SSD发展有三大趋势，第一：96层技术进场；第二：消费类SSD容量从240GB/256GB起跳；第三：各家SSD品牌厂将主打PCIe SSD，并成
2019-02-21 10:03:184962 在三星、东芝存储器（TMC）、西部数据、美光、SK海力士等3D技术快速发展的推动下，不仅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原厂将加快从64层3DNAND向96层
2019-07-05 09:11:117106 美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-03 09:24:154889 11月10日消息，美光宣布已开始批量生产全球首个176层3DNANDFlash。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3DNAND闪存。 美光、Intel合作时，走
2020-11-10 17:16:523977 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。这款176层NAND产品采用美光第五代3D NAND技术和第二代替换栅极架构。
2020-11-13 09:40:163599 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。各大厂商的3D闪存技术并不一样，所以堆栈
2021-02-20 10:02:323312 电子发烧友网报道（文/黄晶晶）早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+层 3D NAND，并从TLC到QLC得以广泛应用于消费电子、工业、数据中心等领域。来到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
导读：2018年Q4全球智能音箱出货量暴增95%！阿里中国第一。 近日，市场调研公司Strategy Analytics公布了2018年第四季度全球智能音箱市场统计报告。报告显示，去年第四季度
2019-02-25 09:27:15
请教大家一个问题： Altium designer 的3D封装在机械层是有线的，我的板子在机械层也画了线来切掉一部分。那么在PCB的生产加工中，3D封装位于机械层的线是否会影响加工效果。请实际操作过的回答下，非常感谢。如下图：
2016-07-22 14:05:18
EVO Plus、东芝XG6/BG4、美光1300等。金士顿是东芝的OEM客户，消费级旗舰KC2000系列SSD的上市，意味着东芝开始给客户大量出货96层3D NAND，浦科特也将在Q3季度推出96层3D
2022-02-06 15:39:12
采用BiCS4技术的96层3D NAND已经出货给零售商，早在6月底时我们已经了解到西部数据的BiCS 4 NAND不仅会有TLC类型，而且会有QLC。使用BiCS 4技术的TLC NAND芯片和采用
2022-02-03 11:41:35
娱乐等，未来AI实时应用、分析、移动性，对存储要求低延迟、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。为了满足不断增长的需求，西部数据在2017年发布第四代96层3D NAND，Fab工厂每天可生产
2018-09-20 17:57:05
的96层3D闪存使用的是新一代BiCS4技术，QLC类型的核心容量高达1．33Tb，比业界标准水平提升了33％，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2．66TB。 国内崛起撬动全球
2021-07-13 06:38:27
年的手机出货量增长依然会继续但整体趋于放缓。业内人士表示，智能手机门槛虽低，但竞争激烈，要做起来绝非易事。而这些错过了4G普及期的互联网手机品牌还能坚持多久仍是一个未知数。实际上，在2016年，就有
2017-06-01 13:39:15
技术已经完全克服，而64层的产品在总产量中的比重也将持续提高，借以取得更好的竞争优势。排名第二的东芝也与技术合作伙伴威腾(WD)合作名为「BiCS4」的96层3D NAND技术，这是东芝的战略武器。此外
2018-12-24 14:28:00
衍生了一些新的技术，来助力其闪存产品向3D方向发展。其中，就包括了三星的V-NAND、东芝的BiCS技术3D NAND、英特尔的3D XPoint等。三星在3D NAND闪存上首先选择了CTF电荷撷取
2020-03-19 14:04:57
数据显示09年全球WiMAX产品出货量同比增147%
北京时间3月11日消息，据国外媒体报道，市场研究公司Maravedis的数据显示，去年全球WiMAX产品出货量同比增加了147%，这是4G无
2010-03-12 09:56:22990 现在，西数全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，其使用的是新一代BiCS 4技术（下半年出样，2018年开始量产），除了TLC类型外，其还会支持QLC，这个意义是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 技术的基础上， 该公司运用其深厚的重直整合能力，开发出X4 3D NAND技术，包括硅晶圆加工、装置工程（在每个存储节点上提供16个不同的资料等级）、和系统专门技术（用于整体闪存管理）。
2017-07-26 16:07:111246 东芝在SSD技术上已经是领先各大厂商，东芝对于64层堆叠设计的3D TLC闪存真是爱的太深，产品布局之神速令人惊叹。现在又将64层堆叠设计的3D TLC闪存带到了企业及产品上，得益于这种高容量堆叠
2017-08-08 15:56:272744 2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 长江存储研发的这颗 3D NAND 芯片是 32 层技术，对比三星电子、美光、东芝、SK 海力士主流的 64 层和 72 层技术，还有一段距离，而这些国际大厂在 2018 年即将大步跨入 96 层 3D NAND 技术，驱动芯片的密度提升、成本再下降。
2017-12-11 14:29:513786 储器是新产品，普及还要一段时间，目前 3D TLC 快闪存储器如何发展，依然是关键。24 日，东芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固态硬盘，是旗下 96 层堆栈 3D TLC 快闪存储器首发，读取
2018-07-26 18:01:002759 （Toshiba）等业者都将进一步推出96层QLC颗粒。 为了因应即将量产的新一代NAND Flash规格特性，控制器业者群联已备妥对应的解决方案。
2018-06-11 09:16:004985 而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到
2018-06-03 09:50:556262 无论是3D堆叠还是QLC的推出，这些情况均说明了随着3D NAND技术走向实用化，国际厂商正在加快推进技术进步。3D NAND相对2D NAND来说，是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术
2018-06-20 17:17:495087 在Dell EMC World 2017大会上，东芝美国电子元件公司TAEC展示了采用64层BiCS 3D堆叠技术的SSD产品，归属于XG3系列，也就是OCZ RD400的OEM版。
2018-07-30 16:25:352131 7月20日，东芝/西部数据宣布成功开发采用96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），单Die容量最高可达1.33Tb，预计将在2018下半年开始批量出货，并优先用于SanDisk品牌下销售的消费级闪存产品。
2018-08-08 15:10:011063 
NAND Flash价格在经历了2016年和2017年暴涨之后，2018上半年市场行情回归理性，在原厂扩大64层3D NAND产出下，NAND Flash基本已回到2016年的价格水平。随着各家
2018-08-11 09:35:003365 
，同时恐激化各家原厂展开96层3D NAND技术竞争，然而市场更多的是关心NAND Flash价格走向将如何。
2018-08-22 16:25:462599 3D NAND通过设备中堆叠的层数来量化。随着更多层的添加，位密度增加。今天，3D NAND供应商正在推出64层设备，尽管他们现在正在推进下一代技术，它拥有96层。分析师表示，到2019年中期，供应商正在竞相开发和发布下一代128层产品。
2018-08-23 16:59:4812625 随着64层/72层3D NAND产出的增加，以及原厂QLC和96层3D技术快速发展，NAND Flash在经历2年涨价后，2018年市场行情从缺货转向供应过剩，再加上成本下滑，以及供需双方博弈刺激下，预计2018年全球SSD出货量将超过1.9亿台，甚至有望冲刺2亿台。
2018-08-31 16:15:002745 SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略，来巩固其市场主导地位。
2018-09-07 16:59:043820 在2D纳米工艺时代，NAND Flash架构经历了从SLC向TLC的过渡，控制芯片技术的发展起到非常重要的作用。随着原厂3D NAND技术的不断成熟，2018年各家原厂纷纷向96层3D NAND
2018-09-13 15:29:4016534 32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。四大NAND豪门的3D NAND闪存及特色在主要的NAND厂商中，三星最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星
2018-10-08 15:52:39780 传说中的64层3D NAND的故事，延续了1年时间。这次巧合的机会体验到东芝TR200 SSD 240G。而且是东芝自主研发的3D闪存技术。是东芝首款64层 3D NAND SSD。
2018-10-09 16:26:0011015 东芝(Toshiba)和Western Digital(WD)领先业界，宣布抢在存储龙头三星电子之前，研发出96层3DNANDflash存储。韩国方面质疑此一新闻的真实性，指称东芝可能为了出售存储部门，蓄意放出消息、操弄媒体。
2018-11-05 16:47:201761 布支持96层TLC的3D NAND闪存颗粒，最高容量可达到4TB，其性能也代表了行业的标杆，在1TB容量下连续读写性能达到：560MB/s，528MB/s；随机读写性能达到：396MB/s，315MB/s，跑分超过900分。
2018-11-19 17:22:318411 Flash bit出货量增加，从而抵消了Q3市场价格下滑的影响。据各家公布的财报数据显示，三星Q3净利润13.15兆韩元，同比增长17.5%。美光Q4净利润43.25亿美元，同比增长82.6%。SK海力士Q3净利润4.69兆韩元，同比增长54%。英特尔Q3净利润63.98亿美元，同比增长42%。
2018-11-19 18:56:435301 NAND Flash产业在传统的Floating Gate架构面临瓶颈后，正式转进3D NAND Flash时代，目前三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 推出64层/72层3D NAND，预计从下半年开始将陆续进入量产阶段，届时3D NAND产能将大幅增加。
2018-12-10 10:00:571562 近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用东芝64层BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三种容量选择。
2019-02-18 15:33:374328 Strategy Analytics最新发布的研究报告指出，智能音箱是2018年最热门的消费电子产品。2018年Q4，全球智能音箱出货量增长了95％，达到3850万台。 这超过了2017年的总出货量
2019-02-20 14:19:35834 
市场研究机构Strategy Analytics最新发布的研究报告指出，智能音箱是2018年最热门的消费电子产品。2018年Q4，全球智能音箱出货量增长了95％，达到3850万台。这超过了2017年的总出货量，并使2018年的总出货量达到8620万台，创下了全球智能音箱最高出货量纪录。
2019-02-23 11:03:00986 
CONTEXT预测，在3D打印机的四个主要类别中，工业机在2018年的机器出货量增长最强劲。工业级3D打印机出货量预计将同比增长27%。据统计，工业机前三季度增长率已达19%，虽然第一季度至第三季度的出货量出现了一位数的下降，但专业和设计部门预计今年整体将实现单位数的正增长。
2019-02-25 08:40:201994 
出来，根据中国闪存市场统计，2018年全球SSD出货量已突破2亿台大关，今年随著NAND Flash价格持续走跌，预估总出货量可望超过2．5亿台，其中，96层3D NAND将被大量应用在SSD，PCIe SSD亦将成为市场新主流。
2019-03-02 10:08:543726 
不过目前各家国际大厂减产多半仍针对旧制程的64层NAND，而新一代96层的研发投入并未缩手，并预计2020年下半各家大厂将先后进入128层等级的制程，长江存储力图超车追赶，预计在量产64层NAND后，将直接跳过96层，2020年直接逼近128层堆栈3D NAND，缩短与国际大厂的技术差距。
2019-05-15 16:26:363708 
SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功，并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。
2019-06-27 15:23:283820 SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，并开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品。
2019-07-25 15:08:544098 来自中国闪存市场的统计显示，2018年全球SSD的出货量达到2.05亿块，比2017年增长31%，预计2019年总出货量有望超过2.5亿台。三星、SK海力士、英特尔及美光、东芝及WD等国际巨头，正在投入96层高容量3D NAND出货。
2019-09-22 11:46:501794 随着数据量的迅速增大，主流存储技术也在迅速向前推进中。3D NAND闪存从2014年的24层，到2016年的48层，到2017年的64层，再到2018年的96层，以及明年的1XX层，技术更新速度越来越快。
2019-09-26 17:26:111141 英特尔透露,2019年第四季度将会推出96层的3D NAND闪存产品,并且还率先在业内展示了用于数据中心级固态盘的144层QLC(四级单元)NAND,预计将于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 西部数据在本周宣布他们已经开始出货首批使用3D QLC的产品了，并且这些首批产品都面向零售渠道，比如说各种存储卡和USB存储设备，另外还有外置SSD这种。而且他们将使用高密度的QLC颗粒制造高容量的SSD，甚至可以与传统HDD相竞争。
2019-11-04 15:47:303077 根据AnandTech的报道，在亮相两个月后，英特尔SSD 665p今天正式推出。据介绍，665p是660p的继承者，新款的设计改动很小，最主要的是从英特尔的64层3D QLC NAND转换到更新的96层3D QLC NAND。
2019-11-26 16:02:064684 第三季度全球NAND闪存市场明显复苏，三星、铠侠（原东芝存储）、美光等主要存储厂商的出货量均有较大幅度增长。在此情况下，各大厂商之间加紧了竞争卡位，以期在新一轮市场竞争中占据有利位置。三星、美光、SK海力士均发布了128层3D NAND闪存芯片，将NAND闪存的堆叠之争推进到了新的层级。
2019-12-04 15:46:203216 至于原因，东芝认为3D XPoint成本太高，在容量/价格比上难以匹敌3D NAND 技术，现在市面上96层堆叠的闪存已经大量涌现，可以在容量上轻松碾压3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 前几天西数、铠侠(原东芝存储)各自宣布了新一代BiCS5技术的3D闪存，堆栈层数也从目前的96层提升到了112层，IO接口速度提升40%，同时QLC型闪存核心容量可达1.33Tb，目前是世界最高水平的。
2020-02-04 15:23:071081 
西数公司今天正式宣布了新一代闪存技术BiCS5，这是西数与铠侠（原来的东芝存储）联合开发的，在原有96层堆栈BiCS4基础上做到了112层堆栈。
2020-02-06 15:13:363554 算上APU，AMD上一季度（2019年Q4）GPU的出货量超越了NVIDIA。
2020-02-28 09:13:321099 
美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-02 11:26:522011 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 今日（4月13日），长江存储重磅宣布，其128层QLC 3D闪存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商场SSD等终端产品上通过验证。
2020-04-13 09:23:091347 2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-04-13 14:41:523480 长江储存在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片产品研发成功，型号为X2-6070，并且目前该芯片已经在多家控制器厂商的SSD等终端储存产品上通过验证。
2020-04-19 10:14:063603 长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2－6070研发成功，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-04 10:39:003612 4月28日消息，金士顿刚刚推出了 KC2500 系列 M.2 2280 NVMe 固态硬盘新品，采用了支持 PCIe Gen3 x4 通道的慧荣（SMI）2262EB 主控 + 96 层 3D
2020-04-29 14:27:014742 长江存储科技有限责任公司宣布，128层QLC 3D NAND闪存研发成功，这标志着国产存储厂商向世界最先进技术水准又迈进了一步。
2020-05-07 14:59:225527 长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功。同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），用以满足不同应用场景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 据国外媒体报道，专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储，将提高NAND闪存芯片的出货量。
2020-09-22 17:11:493038 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:572623 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 层3D NAND；长江存储于今年4月份宣布推出128层堆栈的3D NAND闪存。转眼来到2020年末，美光和SK海力士相继发布了176层3D NAND。这也是唯二进入176层的存储厂商。不得不说，存储之战没有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 从96层NAND闪存芯片开始，海力士一直在推动4D技术的发展。本文介绍的176层NAND芯片，已经发展到第三代。从制造上来说，其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。
2020-12-15 17:55:343836 12 月 16 日消息 根据英特尔官方的消息，在今天的 2020 英特尔内存存储日活动上，英特尔正式发布了英特尔固态盘 670p，采用了英特尔下一代 144 层 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:223066 1月28日，IDC发布2020年Q4季度全球手机出货量榜单，全球手机市场大变天，TOP5的厂商排名出现巨大变化。
2021-02-01 15:10:334331 
在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。 各大厂商的3D闪存技术并不一样，所以堆栈
2021-02-19 18:03:412917 在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。
2021-02-20 10:40:582714 新一代3D NAND技术已迎来新的战局，继美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D NAND之后，铠侠和西部数据也正式宣布推出162层3D NAND技术，三星也称将在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特尔大力推广144层3D NAND，硝烟已四起。
2021-02-24 11:22:072770 内存和存储解决方案领先供应商Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司，纳斯达克代码：MU)宣布已批量出货全球首款 176层QLC(四层单元)NAND固态硬盘(SSD)。美
2022-01-27 19:04:242707 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，2021年硬盘出货量及出货容量分别增长4%和61%，总出货量达到5,468万个单位，容量达187.24EB。近线、企业级效能型硬盘、内置式硬盘
2022-02-16 13:39:121890 在3D NAND技术赛跑中，三星长期处于领先地位，截至目前，其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:153354 
美光已经在完成 232 层 NAND 的订单，而且不甘示弱，SK 海力士宣布将于明年上半年开始量产 238 层 512Gb 三层单元 (TLC) 4D NAND。或许更重要的是，芯片制造商私下表示，他们将利用行业学习为目前正在开发的 3D-IC 堆叠 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142 三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299 美光科技近期宣布，其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着美光在NAND技术领域再次取得了显著进步，巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。
2024-04-29 10:36:341553 摘要:2024年Q3锐捷WLAN产品出货量排名第一!锐捷多形态Wi-Fi 7产品重磅出击! 近日, IT市场研究和咨询公司IDC发布《IDC中国企业级WLAN市场跟踪报告,2024年Q3》。报告显示
2024-12-30 22:10:43808 在CITE 2020上，紫光集团带来了大量产品，其中包括长江存储的128层QLC三维闪存和新华三半导体高端路由器芯片EasyCore等。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 电子发烧友网报道（文/黄山明）近日，铠侠再次宣布，将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠，而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示，将在
2024-06-29 00:03:008061
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