韩国三星电子于25日宣布,已经成功出货100 万个极紫外光刻技术(EUV)生产的业界首款10nm级DDR4 DRAM 模组,将为高端PC、移动设备、企业服务器和数据中心应用等提供更先进EUV制程技术产品,开启新里程碑。
据韩国消息报道,三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Lee Jung-bae 指出,随着以EUV技术所生产的新型DRAM量产,展示三星对提供革命性的DRAM解决方案以支援全球IT客户需求的承诺。另外,这项重大进展也说明三星将如何透过即时开发先进制程技术来生产高端存储器市场的下一代产品,继续为全球IT创新贡献心力。
报道表示,三星是首家在DRAM生产采用EUV技术的存储器供应商,用以克服DRAM发展上的挑战。而因为EUV技术的采用,减少了多重影像制作中的重复步骤,因此进一步提高了影像制作的准确性,也增加了产品的性能与产量,也使得生产时间缩短。
目前,三星的EUV技术将从其第4代10nm级的DRAM生产中开始全面部署。而三星也预计自2021年开始量产第4代10 nm级的DDR5 和LPDDR5。而在这样的制程下,将使12寸晶圆的生产效率提升1倍。
而且随着2021年DDR5和LPDDR5市场的扩展,三星也将进一步加强与IT客户及半导体供应商优化标准规格合作,加速整个存储器市场开始向DDR5 和LPDDR 等规格产品发展。

另外,为了满足对新一代DRAM市场不断增长的需求,三星也将在2020下半年开始在韩国平泽工业区内建立第二条存储器产线。
责任编辑:gt
-
DRAM
+关注
关注
41文章
2403浏览量
189634 -
三星电子
+关注
关注
34文章
15897浏览量
183238 -
存储器
+关注
关注
39文章
7758浏览量
172278
发布评论请先 登录
大突破!三星产出10nm以下DRAM
Momenta R7强化学习世界模型实现量产首发
基于三星Exynos Modem的广和通5G模组Fx550正式全球量产
三星电子创新显示技术和产品亮相CES 2026
三星DDR5低调突破:原生速率突破7200Mbps
小鹏汽车与芯联集成联合开发 国内首个混合碳化硅产品实现量产
安波福ADAS解决方案在国内领先主机厂实现量产
三星电容在电源滤波中的噪声问题及其解决方案
三星将EUV技术应用于新型DRAM产品中,并实现量产
评论