七彩虹发布 iGame VULCAN DDR4 内存，全面升级三星 B-die 颗粒
今日，七彩虹宣布 iGame 内存全面升级，正式发布了 iGame VULCAN DDR4 内存。
iGame VULCAN DDR4 延续了 VULCAN 显卡纹理设计。值得一提的是，经过网友命名投票后，这款内存的中文名称最终定为“古德白”。
七彩虹表示，借由显卡方面与三星的密切合作，其可以直接找三星采购精选颗粒。这款 iGame 内存采用了三星 B-die 颗粒，且在每一个原件与 PCB 的接触点都采用了超量镀银金属，增加高频稳定性。
IT之家了解到，本次共发布了两个型号，分别为 iGame Vulcan DDR4 8G 3600*2（套条） CL16 与 iGame Vulcan DDR4 8G 4266*2（套条）CL18 两款，价格分别为 1099 元和 1299 元，预计 12 月底上线购买。
责任编辑：PSY
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15891浏览量
182876 -
内存
+关注
关注
9文章
3173浏览量
76118 -
七彩虹
+关注
关注
0文章
105浏览量
12482
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
DDR4价格疯涨！现货市场狂飙！
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）前段时间，三星、SK海力士、美光等DRAM大厂已计划陆续退出部分DDR4市场，将产能转向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引发DDR4供应链波动，同时在
【工程师必看】DDR缺货涨价？5步教你验证新内存颗粒“抗不抗造”！
前言：2025年，存储市场持续“高烧”——-国际大厂停产DDR3/4，减产LPDDR4/4X，涨价50%只是起步-国产料号月更、周更，同一料号不同D
三星正式启动DDR4模组停产倒计时，PC厂商加速转向DDR5，供应链掀抢货潮
三星近期已向全球 OEM 客户发出正式函件，明确旗下 DDR4 模组将于 2025 年底进入产品寿命结束（EOL）阶段，最后订购日期定于 6 月上旬，最后出货日期则为 12 月 10 日。此次停产
芯盛智能携手中国移动发布全国产DDR4内存产品
10月10日，以“碳硅共生 合创AI+时代”为主题的2025中国移动全球合作伙伴大会上，芯盛智能科技（湖南）有限公司携手中国移动通信集团终端有限公司联合发布基于1Xnm工艺制程的全国产DDR4内存产品，这一成果彰显了数字基建自
TPS65295 DDR4内存电源解决方案技术文档总结
TPS65295器件以最低的总成本和最小的空间为 DDR4 内存系统提供完整的电源解决方案。它符合 DDR4 上电和断电序列要求的 JEDEC 标准。该TPS65295集成了两个同步降压转换器
涨价！部分DDR4与DDR5价差已达一倍！
（2GX8）内存在6月2日的报价为5.171美元，当时比DDR5低约8%。然而，最新报价显示DDR4已上涨至8.633美元，不到一个月时间内涨幅高达67%，且已经超过DDR5的价格的4
看点：三星DDR4内存涨价20% 华为与优必选全面合作具身智能
给大家带来一些业界资讯： 三星DDR4内存涨价20% 存储器价格跌势结束，在2025年一季度和第二季度，价格开始企稳反弹。 据TrendForce报道称，三星公司
DDR4涨价20%，DDR5上调5%！
最新消息，三星电子本月初与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致。DDR4 DRAM价格平均上涨两位数百分比；DDR5价格上涨个位数百分比。据称 DDR4 上调 20%，
三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折，将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士，更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4
发表于 04-18 10:52
DDR4或年内停产，三大厂商引发内存市场变局
电子发烧友网综合报道，日前，日媒报道由于DRAM内存芯片价格持续下滑，全球三大原厂三星、SK海力士和美光计划在2025年停产DDR4内存芯片
发表于 02-21 00:10
•2668次阅读
三大内存原厂或将于2025年停产DDR3/DDR4
据报道，业内人士透露，全球三大DRAM内存制造商——三星电子、SK海力士和美光，有望在2025年内正式停产已有多年历史的DDR3和DDR4两
三星否认重新设计1b DRAM
据DigiTimes报道，三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM（1b DRAM）的报道予以否认。 此前，ETNews曾有报道称，三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临
三星重启1b nm DRAM设计，应对良率与性能挑战
近日，据韩媒最新报道，三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时，已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状，三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上，
工商网监
评论