电子发烧友App

硬声App

扫码添加小助手

加入工程师交流群

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>新品快讯>三星电子率先量产32GB DDR3内存模组

三星电子率先量产32GB DDR3内存模组

收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐
热点推荐

三星DDR5低调突破:原生速率突破7200Mbps

电子发烧友网综合报道 2025年末,存储行业超级周期热潮下,一则技术动态引发产业链广泛关注——三星半导体官网更新DRAM产品目录,低调上架多款处于“样品”阶段的DDR5内存颗粒新品。其中
2026-01-02 05:53:004512

三星电子相关业务负责人一行到访谷东智能参观交流

12月23日,三星电子相关业务负责人一行到访谷东智能,围绕增强现实(AR)近眼显示核心光学技术及整机解决方案展开深入交流。来访团队包括三星电子CSS 部门长Richard Hwang、LEDoS中国负责人 Hang Wang等。
2025-12-29 15:44:34132

爆!三星退出SATA SSD业务!

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)2025年12月14日,知名硬件爆料人Tom(YouTube频道Moore's Law Is Dead)爆料称,三星计划在2026年初预计CES展会后,宣布逐步退出
2025-12-16 09:40:355385

三星电子正式发布Galaxy Z TriFold

2025年12月2日,三星电子正式发布Galaxy Z TriFold,进一步巩固了三星在移动AI时代中针对形态创新的行业优势。
2025-12-03 17:46:221329

震惊:他们家有现货。EMMC, DDR, NAND FLASH

20000 H56G42AS2DX014NGDDR6 16Gb 227K H56C8H24AIR-S2C GDDR6 8Gb 800K A3T1GF40CBF-GM21+ DDR3 1Gb 1KK
2025-11-27 15:58:19

使用AXI4接口IP核进行DDR读写测试

本章的实验任务是在 PL 端自定义一个 AXI4 接口的 IP 核,通过 AXI_HP 接口对 PS 端 DDR3 进行读写测试,读写的内存大小是 4K 字节。
2025-11-24 09:19:423467

HummingBird EV Kit - DDR3 引脚不匹配是怎么回事?

下面是HummingBird EV Kit给的版图,其中DDR3_D0对应的应该是板子上的FPGA的C2引脚: 不过我在配置MIG的时候,通过读入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引脚
2025-11-06 07:57:09

DDR3 SDRAM参考设计手册

电子发烧友网站提供《DDR3 SDRAM参考设计手册.pdf》资料免费下载
2025-11-05 17:04:014

DDR5 暂停报价只是开始,PCB 行业的 “芯片依赖症” 正在爆发​

三星、美光暂停 DDR5 合约报价引发的存储芯片荒,正通过 AI 服务器需求链,悄然传导至 PCB 行业。这场关联的核心,并非简单的 “芯片涨价带动 PCB 涨价”,而是 AI 服务器对存储芯片
2025-11-05 10:29:56561

利用蜂鸟E203搭建SoC【4】——DDR200T内存扩展

由于FPGA内部存储资源有限,很多时候不能满足需求,因此可以利用DDR对系统进行存储扩展。由于DDR3内部控制十分复杂,因此可以基于AXI总线,利用Vivado提供的MIG IP对DDR3进行控制
2025-10-29 07:16:34

【工程师必看】DDR缺货涨价?5步教你验证新内存颗粒“抗不抗造”!

前言:2025年,存储市场持续“高烧”——-国际大厂停产DDR3/4,减产LPDDR4/4X,涨价50%只是起步-国产料号月更、周更,同一料号不同Die,颗粒参数“开盲盒”-更大的坑是:对于嵌入式
2025-10-24 11:59:51918

基于FPGA的DDR控制器设计

DDR控制协议 DDR3读写控制器主要用于生成片外存储器DDR3 SDRAM进行读写操作所需要的时序,继而实现对片外存储器的读写访问。由摄像头采集得到的图像数据通常数据量较大,使用片内存储资源
2025-10-21 14:30:16

基于DDR200T开发板的e203进行DDR3扩展

由于e203内部DTCM空间较小,所以本队针对DDR200T开发板进行针对e203的DDR3存储器扩展。 论坛中所给出的e203扩展DDR的方法大致分为两种,一种是直接将DDR存储器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40

DDR200T中的DDR3的使用配置

蜂鸟DDR200T中DDR3的ip配置案列,提供DDR3引脚配置。具体参数可更具项目实际更改。 这里选用的axi接口 在赛灵思的IP配置中没有MT41K28M6JT-125K内存的信息,因此选用
2025-10-21 11:19:08

FPGA搭建DDR控制模块

DDR3读写控制器主要用于生成片外存储器DDR3 SDRAM进行读写操作所需要的时序,继而实现对片外存储器的读写访问。由摄像头采集得到的图像数据通常数据量较大,使用片内存储资源难以实现大量图像数据
2025-10-21 10:40:28

用FPGA实现DDR控制模块介绍

DDR3读写控制器主要用于生成片外存储器DDR3 SDRAM进行读写操作所需要的时序,继而实现对片外存储器的读写访问。由摄像头采集得到的图像数据通常数据量较大,使用片内存储资源难以实现大量图像数据
2025-10-21 08:43:39

三星正式启动DDR4模组停产倒计时,PC厂商加速转向DDR5,供应链掀抢货潮

三星近期已向全球 OEM 客户发出正式函件,明确旗下 DDR4 模组将于 2025 年底进入产品寿命结束(EOL)阶段,最后订购日期定于 6 月上旬,最后出货日期则为 12 月 10 日。此次停产
2025-10-14 17:11:371033

回收DDR内存芯片 收购DDR全新拆机带板

回收DDR2,回收DDR3,收购DDR2,收购DDR3 DDR4 DDR5长期现金高价回收DDR,回收三星DDR,回收海力士DDR,回收南亚DDR,回收尔必达DDR,回收美光DDR,回收DDR
2025-10-09 14:15:34

全球首款2nm芯片被曝准备量产 三星Exynos 2600

据外媒韩国媒体 ETNews 在9 月 2 日发文报道称全球首款2nm芯片被曝准备量产三星公司已确认 Exynos 2600 将成为全球首款采用 2nm 工艺的移动 SoC 芯片,目前该芯片完成
2025-09-04 17:52:152149

紫光国芯车规级DDR3/LPDDR4X低功耗高可靠,赋能汽车电子国产化

凭借与紫光国芯的紧密合作,贞光科技能够为客户提供DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列车规级存储产品。在产品覆盖、技术支持和供应保障等方面的综合优势,使贞光科技成为车载电子领域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423

三星 HBM4 通过英伟达认证,量产在即

电子发烧友网综合报道,据报道,有业内人士透露,三星在上个月向英伟达提供了HBM4样品,目前已经通过了初步的质量测试,将于本月底进入预生产阶段。如果能通过英伟达最后的验证步骤,最早可能在11月或12月
2025-08-23 00:28:007162

英特尔可变显存技术让32GB内存笔记本流畅运行Qwen 30B大模型

英特尔® 酷睿™ Ultra 200H处理器和32GB内存的AI PC上,英特尔可变显存技术(Intel Variable VRAM Technology)可以将VRAM分配比例从57%提升到87%1
2025-08-14 15:39:451226

三星最新消息:三星将在美国工厂为苹果生产芯片 三星和海力士不会被征收100%关税

给大家带来三星的最新消息: 三星将在美国工厂为苹果生产芯片 据外媒报道,三星电子公司将在美国德克萨斯州奥斯汀的芯片代工厂生产苹果公司的下一代芯片。而苹果公司在新闻稿中也印证了这个一消息,在新闻稿中
2025-08-07 16:24:081288

三星S26拿到全球2nm芯片首发权 三星获特斯拉千亿芯片代工大单

Performance Body-bias)方案的验证。Exynos 2600是全球首款2nm手机芯片。 如果三星Exynos 2600芯片测试进展顺利,三星将立即启动量产三星GalaxyS26系列手机将首发
2025-07-31 19:47:071591

AD设计DDR3时等长设计技巧

本文紧接着前一个文档《AD设计DDR3时等长设计技巧-数据线等长 》。本文着重讲解DDR地址线、控制信号线等长设计,因为地址线、控制信号线有分支,SOC有可能带有2片DDR或者更多,我们叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512

AD设计DDR3时等长设计技巧

的讲解数据线等长设计。      在另一个文件《AD设计DDR3时等长设计技巧-地址线T型等长》中着重讲解使用AD设计DDR地址线走线T型走线等长处理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124

突破堆叠瓶颈:三星电子拟于16层HBM导入混合键合技术

成为了全球存储芯片巨头们角逐的焦点。三星电子作为行业的领军企业,一直致力于推动 HBM 技术的革新。近日有消息传出,三星电子准备从 16 层 HBM 开始引入混合键合技术,这一举措无疑将在存储芯片领域掀起新的波澜。 编辑 ​ 编辑 ​ 技术背景:HBM 发展的必然趋
2025-07-24 17:31:16630

英伟达认证推迟,但三星HBM3E有了新进展

电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,三星电子近期已完成与博通就12层HBM3E产品的质量测试,正就量产供应展开磋商。当前协商的供应量按容量计算约为10亿Gb级别左右,量产时间预计最早从今年下半年延续至
2025-07-12 00:16:003465

【RK3568+PG2L50H开发板实验例程】FPGA部分 | DDR3 读写实验例程

​ 本原创文章由深圳市小眼睛科技有限公司创作,版权归本公司所有,如需转载,需授权并注明出处(www.meyesemi.com) 1.实验简介 实验目的: 完成 DDR3 的读写测试。 实验环境
2025-07-10 10:46:48

看点:三星电子Q2利润预计重挫39% 动纪元宣布完成近5亿元A轮融资

)这意味着三星电子预计其第二季度营业利润暴跌39%。这也是三星六个季度以来的最低业绩水平,同时,这也意味着三星业绩连续第四个季度下滑。 业界分析师认为销售限制持续存在,而且三星尚未开始向英伟达供应其12层堆叠HBM3E芯片是主要因素。而竞争对
2025-07-07 14:55:29587

购买三星车规电容(MLCC),为什么选择代理商贞光科技?

作为三星MLCC授权代理商,我们贞光科技深耕汽车电子领域多年,见证了新能源汽车市场的爆发式增长。车规级MLCC需求激增,选择专业可靠的代理商变得至关重要。三星车规MLCC——贞光科技核心代理产品技术
2025-07-01 15:53:42738

涨价!部分DDR4与DDR5价差已达一倍!

电子发烧友网综合报道,TrendForce报告显示,6月初,DDR4和DDR5芯片在现货市场上的价格已基本持平,有些DDR4芯片的价格甚至高于DDR5芯片,呈现“价格倒挂”现象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004538

DDR内存市场现状和未来发展

DDR内存占据主导地位。全球DDR内存市场正经历一场前所未有的价格风暴。由于原厂加速退出DDR3/DDR4市场,转向DDR5和HBM(高带宽内存)生产,DDR3DDR4市场呈现供不应求、供需失衡、涨势延续的局面。未来,DDR5渗透率将呈现快速提升,市场份额增长的趋势。
2025-06-25 11:21:152009

贞光科技:紫光国芯车规DDR3在智能驾驶与ADAS中的应用

随着汽车产业向智能化、网联化加速转型,高级驾驶辅助系统(ADAS)和智能驾驶技术已成为现代汽车不可或缺的核心组件。紫光国芯作为国内领先的存储器芯片制造商,其车规级DDR3存储产品在智能驾驶和ADAS
2025-06-05 16:50:171220

AI PC内存升级,这颗DDR5 PMIC一马当先

PC处理器对DDR5的支持,DDR5内存将更快渗透普及。相较于DDR4,所有电压由主板供给,DDR5中内存模组搭载PMIC,PMIC是实现高效供电的关键,能够为先进的计算应用提供突破性的性能表现。Rambus最近推出面向下一代AI PC内存模块的完整客户端芯片组,包含两款用于客户端计算的全新电源
2025-05-29 09:11:208127

华强北TF卡回收 内存卡回收

深圳帝欧电子求购内存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡,旧卡,拆机卡都有收,价高同行回收三星内存TF卡、金士顿TF卡、闪迪TF卡、东芝TF卡
2025-05-21 17:48:25

回收三星S21指纹排线 适用于三星系列指纹模组

深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收三星指纹排线,专业求购指纹排线。 回收三星S系列指纹排线,回收指纹模组,回收三星
2025-05-19 10:05:30

雷卯TVS和fuse助力DDR5 R-DIMM模组满足JEDEC新静电要求

DDR(Double Data Rate,双倍数据速率)是一种广泛应用于计算机和电子设备的高性能内存技术,DDR的主要应用于计算机系统,移动设备,嵌入式系临时存储和高速传输数据。因此,DDR是现代
2025-05-14 21:48:49622

看点:三星DDR4内存涨价20% 华为与优必选全面合作具身智能

给大家带来一些业界资讯: 三星DDR4内存涨价20%  存储器价格跌势结束,在2025年一季度和第二季度,价格开始企稳反弹。 据TrendForce报道称,三星公司DDR4内存开始涨价,在本月初三星
2025-05-13 15:20:111204

DDR4涨价20%,DDR5上调5%!

最新消息,三星电子本月初与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致。DDR4 DRAM价格平均上涨两位数百分比;DDR5价格上涨个位数百分比。据称 DDR4 上调 20%,DDR5 上调约 5
2025-05-13 01:09:006843

在Vivado调用MIG产生DDR3的问题解析

下面是调用的DDR3模块的,模块的倒数第二行是,模块的时钟输入,时钟源来自PLL产生的系统时钟的倍频。
2025-05-03 10:21:001339

三星电子Q1营业利润小幅增长 但人工智能芯片同比下降达到42%

受一些智能终端消费者和企业客户因为担忧美国关税而提前采购三星智能手机和通用芯片的影响,三星电子Q1营业利润小幅增长;三星电子在2025年第一季度营业利润达到6.7万亿韩元,同比增长1.5%,高于
2025-04-30 15:34:33637

TPS51116 完整的DDRDDR2、DDR3DDR3L、LPDDR3DDR4 电源解决方案同步降压控制器数据手册

TPS51116为 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3DDR4 内存系统提供完整的电源。它将同步降压控制器与 3A 灌电流/拉
2025-04-29 16:38:021031

DDR模块的PCB设计要点

在高速PCB设计中,DDR模块是绝对绕不过去的一关。无论你用的是DDRDDR2还是DDR3,只要设计不规范,后果就是——信号反射、时序混乱、系统频繁死机。
2025-04-29 13:51:032491

TPS59116 完整的 DDRDDR2 和 DDR3 存储器电源解决方案,用于嵌入式计算的同步降压控制器数据手册

TPS59116 为 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 内存提供完整的电源 系统。它将同步降压控制器与 3A 灌电流/拉电流跟踪线性稳压器和缓冲低噪声基准集成在一起
2025-04-28 13:54:45814

TPS51916 DDR2/3/3L/4 内存电源解决方案同步降压控制器数据手册

TPS51916 器件以最低的总成本和最小的空间为 DDR2、DDR3DDR3L 和 DDR4 内存系统提供完整的电源。它集成了同步降压稳压控制器 (VDDQ),具有 2A 灌电流和 2A 源跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF)。
2025-04-28 10:58:44657

TPS51116-EP 增强型产品 DDR1、DDR2、DDR3 切换器和 LDO数据手册

TPS51116为 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 内存系统。它将同步降压控制器与 1A 灌电流/拉电流集成在一起 跟踪线性稳压器和缓
2025-04-27 13:35:32741

TPS51216-EP 增强型产品 完整的 DDR2、DDR3DDR3L 内存电源解决方案 同步降压控制器数据手册

TPS51216-EP 以最低的总成本和最小的空间为 DDR2、DDR3DDR3L 内存系统提供完整的电源。它将同步降压稳压控制器 (VDDQ) 与 2A 灌/拉跟踪 LDO (VTT) 和缓
2025-04-26 11:12:30681

TPS51200-EP 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器数据手册

只需要最小输出 电容为 20 μF。TPS51200-EP 支持遥感功能和所有功率要求 用于 DDRDDR2、DDR3、低功耗 DDR3DDR4 VTT 总线终端。
2025-04-26 10:26:351335

今日看点丨美国宣布:征收高达3403%关税!;传三星停产DDR4

1. 传ASML 取消与三星合作的半导体研究设施,转而寻求替代方案   2023年末,三星与ASML签署了一项价值1万亿韩元的协议,双方将在韩国京畿道东滩投资建设半导体芯片研究设施,并在那里共同努力
2025-04-22 11:06:001488

三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率

三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53

国产存储替代新势力:紫光国芯推出DDR3与RDIMM高性能解决方案

在全球科技竞争加剧、国产替代加速推进的背景下,紫光国芯凭借其在DDR3与RDIMM等高端内存芯片领域的技术积累,不断实现突破,推动国产存储芯片向高端市场迈进。作为其核心代理商,贞光科技在市场推广
2025-04-16 16:39:301342

三星辟谣晶圆厂暂停中国业务

对于网络谣言三星晶圆代工暂停所有中国业务,三星下场辟谣。三星半导体在官方公众号发文辟谣称““三星晶圆代工暂停与中国部分公司新项目合作”的说法属误传,三星仍在正常开展与这些公司的合作。 而且有媒体报道称瑞芯微公司等合作客户也表示与三星的相关工作在正常推进。
2025-04-10 18:55:33770

DDR3 SDRAM配置教程

DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第代产品,相较于DDR2,DDR3有更高的运行性能与更低的电压。
2025-04-10 09:42:533930

千亿美元打水漂,传三星取消1.4nm晶圆代工工艺

电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测,三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm(FS1.4)晶圆代工工艺。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-23 11:17:401827

千亿美元打水漂,传三星取消1.4nm晶圆代工工艺​

电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测,三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm(FS1.4)晶圆代工工艺。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:002462

灿芯半导体推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP

灿芯半导体(上海)股份有限公司(灿芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平台的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。该IP具备广泛的协议兼容性,支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984

初次使用XC7A35T-FGG484做设计,用的是25MHZ有源晶振,有源晶振3.3V供电,DDR3的供电1.35V,现在接上晶振后,DDR3的供电变成1.8V

初次使用XC7A35T-FGG484做设计,用的是25MHZ有源晶振,有源晶振3.3V供电,DDR3的供电1.35V,现在接上晶振后,DDR3的供电变成1.8V 求助怎么解决。
2025-03-21 14:25:05

三星贴片电容封装与体积大小对照详解

在现代电子制造业中,贴片电容作为电子元件的重要组成部分,其封装形式与体积大小对于电路板的布局、性能及生产效率具有重要影响。三星作为全球知名的电子元器件供应商,其贴片电容产品系列丰富,封装多样,满足了
2025-03-20 15:44:591928

三星量产第四代4nm芯片

据外媒曝料称三星量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来,每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm工艺节点(SF4X)进行大规模生产。第四代4nm工艺
2025-03-12 16:07:1713207

三星电子成功研发量子耐性安全芯片S3SSE2A 应对未来网络安全挑战

近日,三星电子系统LSI事业部宣布成功研发出一款名为S3SSE2A的安全芯片,以应对不断发展的量子电脑技术所带来的网络安全威胁。这款芯片不仅已完成样品出货准备,更在行业内率先采用了量子耐性口令
2025-03-05 13:56:54996

DDR内存控制器的架构解析

DDR内存控制器是一个高度集成的组件,支持多种DDR内存类型(DDR2、DDR3DDR3L、LPDDR2),并通过精心设计的架构来优化内存访问效率。
2025-03-05 13:47:403573

三星电容的耐压与容量,如何满足不同电路需求?

三星电容的耐压与容量是满足不同电路需求的关键因素。以下是对三星电容耐压与容量的详细分析,以及如何根据电路需求进行选择的方法: 一、三星电容的耐压值识别与选择 1、耐压值的概念 :电容长期可靠地工作
2025-03-03 15:12:57975

DDR4或年内停产,大厂商引发内存市场变局

电子发烧友网综合报道,日前,日媒报道由于DRAM内存芯片价格持续下滑,全球大原厂三星、SK海力士和美光计划在2025年停产DDR4内存芯片。   数据显示,2025年1月,DDR4 8Gb颗粒
2025-02-21 00:10:002803

英伟达开发新型内存模组SOCAMM,或年底量产

据韩媒近日报道,英伟达已在内部成功研发出一种新型内存模组,命名为SOCAMM。这一创新成果不仅标志着英伟达在内存技术领域的又一次突破,也预示着其在商业化应用上的新进展。 据报道,英伟达目前正与全球
2025-02-19 11:41:411278

内存原厂或将于2025年停产DDR3/DDR4

据报道,业内人士透露,全球大DRAM内存制造商——三星电子、SK海力士和美光,有望在2025年内正式停产已有多年历史的DDR3DDR4两代内存。 随着技术的不断进步和消费级平台的更新换代
2025-02-19 11:11:513460

英伟达力推SOCAMM内存量产:可插拔、带宽比肩HBM

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日有消息称,英伟达正在与三星、SK海力士等存储巨头合作,推动自家SOCAMM内存标准的商业化落地。SOCAMM即Space-Optimized CAMM空间优化内存
2025-02-19 09:06:553213

三星与英伟达高层会晤,商讨HBM3E供应

近期,三星电子设备解决方案(DS)部门负责人兼副董事长全永铉(Jun Young-hyun)与英伟达公司CEO黄仁勋,在加利福尼亚州桑尼维尔的英伟达总部举行了一次重要会议。此次会议聚焦于三星电子改进
2025-02-18 11:00:38978

HMCG88AEBRA内存

HMCG88AEBRA和M321R4GA3BB6-CQK是两款高性能的32GB DDR5 4800 EC8 RDIMM内存条,专为需要高可靠性和高性能的应用而设计。这些内存条采用288-Pin
2025-02-14 07:02:20

三星调整1cnm DRAM设计,力保HBM4量产

据韩国媒体报道,三星电子正面临其第六代1cnm DRAM的良品率挑战,为确保HBM4内存的顺利量产,公司决定对设计进行重大调整。
2025-02-13 16:42:511336

MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM内存模块

;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM内存模块,专为满足现代计算需求而设计。该产品以其高带宽和低功耗的特性,广泛应用于个人电脑、服务器和嵌入式系统中,成为市场上备
2025-02-10 20:10:39

8GB DDR4 ECC UDIMM

如需了解价格货期等具体信息,欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言,留言会被吞,收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 产品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47

16GB DDR4 ECC UDIMM

如需了解价格货期等具体信息,欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言,留言会被吞,收不到留言。 16GB DDR4 ECC UDIMM 产品概述 16GB DDR4 ECC
2025-02-10 20:05:15

三星中国公司高层调整,李大成接任新帅

个新的领导阶段。 李大成在接任三星中国公司高层职务前,曾担任三星电子中国台湾地区总经理,拥有丰富的市场运营和管理经验。2024年12月,李大成被正式任命为三星电子大中华区总裁,开始肩负起领导三星在中国市场发展的重任。
2025-02-10 13:48:431209

M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 内存模块

M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 内存模块,具有 16GB 的容量,专为满足现代移动计算需求而设计。这款内存条采用了 Samsung 的先进技术,适用于各种
2025-02-10 07:49:16

M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 内存模块

 M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 内存模块,具有 8GB 的容量,专为满足现代移动计算需求而设计。这款内存条采用了最新的 DDR5 技术,具有
2025-02-10 07:47:57

M323R1GB4BB0-CQK

高性能的 DDR5 SDRAM 内存模块,具有 8GB 的容量,工作频率为 PC4800。这款内存条由三星(Samsung)生产,专为满足现代计算需求而设计,适用
2025-02-10 07:44:13

威刚工控发布DDR5 6400高性能内存

产品均内置了先进的时钟驱动器(CKD)芯片,确保了数据传输的高速与稳定。同时,为了满足不同用户的需求,威刚提供了8GB、16GB32GB种存储容量选项,用户可以根据自己的实际需求进行选择。 在
2025-02-08 10:20:131039

三星电子将供应改良版HBM3E芯片

三星电子在近期举行的业绩电话会议中,透露了其高带宽内存(HBM)的最新发展动态。据悉,该公司的第五代HBM3E产品已在2024年第季度实现大规模生产和销售,并在第四季度成功向多家GPU厂商及数据中心供货。与上一代HBM3相比,HBM3E的销售额实现了显著增长。
2025-02-06 17:59:001106

三星登顶全球最大半导体厂商 或得益于内存价格大幅回升

根据市场研究机构Gartner的统计数据显示,在2024年全球半导体行业营收达到6260亿美元,同比增长18.1%。分厂商来看的话,三星登顶全球最大半导体厂商。 排名第一的是三星;得益于内存价格大幅
2025-02-05 16:49:551828

三星电子第四季度净利润超预期

近日,三星电子发布了其2024年第四季度的财务报告。数据显示,该季度三星电子的销售额达到了75.79万亿韩元,表现强劲。同时,其净利润也达到了7.58万亿韩元,这一数字超出了市场此前的预估
2025-02-05 14:56:10811

三星电子与谷歌合作研发AR眼镜

近日,三星电子在美国加州圣何塞成功举办了年度“Galaxy Unpacked”发布会,会上不仅推出了备受瞩目的新旗舰“Galaxy S25”系列手机,还展示了与谷歌联合开发的Project Moohan头显设备。
2025-01-24 14:23:431394

创见推出DDR5 6400 CUDIMM内存

创见(Transcend)近日宣布面向消费领域推出DDR5 6400 CUDIMM内存条,为硬件市场注入新活力。 该系列最先面世的型号为16GB容量单条模组,专为游戏玩家、内容创作者、计算机DIY
2025-01-24 11:16:181754

三星电子与谷歌联手研发AR眼镜

近日,三星电子在美国加州圣何塞成功举办了其一年一度的“Galaxy Unpacked”发布会。会上,三星电子不仅推出了备受期待的新旗舰“Galaxy S25”系列手机,还展示了与谷歌共同研发
2025-01-24 10:22:431240

三星电子否认1b DRAM重新设计报道

据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,三星电子为应对其12nm级
2025-01-23 15:05:11921

三星2025年晶圆代工投资减半

工厂和华城S3工厂。尽管投资规模有所缩减,但三星在这两大工厂的项目推进上并未止步。 平泽P2工厂方面,三星计划将部分3nm生产线转换到更为先进的2nm工艺,以进一步提升其半导体制造技术的竞争力。这一举措显示出三星在高端工艺领域的坚定布局和持续
2025-01-23 11:32:151081

三星否认重新设计1b DRAM

据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360

三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟

据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以达到结束开发工作、顺利进入量产阶段的要求。然而,实际情况并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001

三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期

(High Bandwidth Memory 4)内存规划方面产生影响。 原本,三星电子计划在2024年12月前将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,这是结束开发工作并进入量产阶段所必需的水平
2025-01-22 14:27:241107

三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:071408

德明利DDR5内存助力AI PC时代存储性能与市场增长

侧应用落地高率、大容量、低延迟与高带德明利最新推出针对AIPC的DDR5SO-DIMM和U-DIMM内存模组系列产品,单条内存容量高达48GB,理论带宽32GB/
2025-01-21 16:34:412426

台积电拒绝为三星代工Exynos芯片

近日,有关三星考虑委托台积电量产其Exynos芯片的消息引起了广泛关注。据悉,这一消息最初由知名博主Jukanlosreve于2024年11月13日在X平台上发布。该博主在推文中透露,三星正在寻求
2025-01-17 14:15:52887

三星2025年二季度将量产折叠手机

近日,韩媒The Elec发布了一篇博文,披露了三星在智能手机领域的一项新动向。据该报道,三星计划在2025年第2季度正式量产其首款折叠手机,这一创新产品预计将在市场上引发广泛关注。 报道进一步
2025-01-15 15:42:501274

三星电子削减NAND闪存产量

近日,三星电子已做出决定,将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前,全球NAND闪存市场面临供过于求的局面,预计今年NAND闪存
2025-01-14 14:21:24866

三星美国得州半导体厂获47.4亿美元激励

亿元人民币)的激励资金。 该工厂预计将于2026年全面投入大规模芯片生产,主要生产2纳米和3纳米工艺的先进芯片。三星方面表示,他们计划在2026年初引入所有必要的生产设备,并在年底前正式启动量产,以期在这一关键领域与全球领先的芯片制造
2025-01-14 13:55:41931

三星发布Vision AI等多项创新

近日,三星在美国举办的2025 年国际消费电子展(CES 2025)“First Look”活动上,发布了三星Vision AI,旨在为用户的日常生活带来个性化的 AI屏幕体验。
2025-01-14 11:47:561234

米尔国产FPGA SoC芯选择,安路飞龙DR1M90核心板重磅发布

复杂的实时嵌入式系统应用,支持多种内存接口和丰富的外设端口,满足多样化场景需求。 通过硬核NPU,JPU,MIPI 来支持边缘智能应用,为FPGA市场注入新的活力。SOM模组标配1GB DDR3
2025-01-10 14:32:38

三星电子第四季度财报公布:营业利润低于预期

近日,三星电子于1月8日正式发布了其202X年第四季度的财报数据。根据财报显示,该季度三星电子的营业利润为6.50万亿韩元,这一数字明显低于市场此前的预估值8.96万亿韩元。 同时,三星电子
2025-01-09 10:40:28914

三星贴片电容选型指南:买家必看!

电子元器件领域,三星贴片电容以其出色的性能和广泛的应用赢得了广泛认可。选择适合的三星贴片电容不仅关乎电子设备的性能和稳定性,还直接影响到产品的可靠性和成本。为了帮助买家更好地进行选型,本文将详细
2025-01-08 14:26:59806

已全部加载完成