电子发烧友网综合报道 2025年末,存储行业超级周期热潮下,一则技术动态引发产业链广泛关注——三星半导体官网更新DRAM产品目录,低调上架多款处于“样品”阶段的DDR5内存颗粒新品。其中
2026-01-02 05:53:00
4512 12月23日,三星电子相关业务负责人一行到访谷东智能,围绕增强现实(AR)近眼显示核心光学技术及整机解决方案展开深入交流。来访团队包括三星电子CSS 部门长Richard Hwang、LEDoS中国负责人 Hang Wang等。
2025-12-29 15:44:34
132 电子发烧友网报道(文/黄晶晶)2025年12月14日,知名硬件爆料人Tom(YouTube频道Moore's Law Is Dead)爆料称,三星计划在2026年初预计CES展会后,宣布逐步退出
2025-12-16 09:40:35
5385 
2025年12月2日,三星电子正式发布Galaxy Z TriFold,进一步巩固了三星在移动AI时代中针对形态创新的行业优势。
2025-12-03 17:46:22
1329 20000
H56G42AS2DX014NGDDR6 16Gb 227K
H56C8H24AIR-S2C GDDR6 8Gb 800K
A3T1GF40CBF-GM21+ DDR3 1Gb 1KK
2025-11-27 15:58:19
本章的实验任务是在 PL 端自定义一个 AXI4 接口的 IP 核,通过 AXI_HP 接口对 PS 端 DDR3 进行读写测试,读写的内存大小是 4K 字节。
2025-11-24 09:19:42
3467 
下面是HummingBird EV Kit给的版图,其中DDR3_D0对应的应该是板子上的FPGA的C2引脚:
不过我在配置MIG的时候,通过读入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引脚
2025-11-06 07:57:09
电子发烧友网站提供《DDR3 SDRAM参考设计手册.pdf》资料免费下载
2025-11-05 17:04:01
4 三星、美光暂停 DDR5 合约报价引发的存储芯片荒,正通过 AI 服务器需求链,悄然传导至 PCB 行业。这场关联的核心,并非简单的 “芯片涨价带动 PCB 涨价”,而是 AI 服务器对存储芯片
2025-11-05 10:29:56
561 由于FPGA内部存储资源有限,很多时候不能满足需求,因此可以利用DDR对系统进行存储扩展。由于DDR3内部控制十分复杂,因此可以基于AXI总线,利用Vivado提供的MIG IP对DDR3进行控制
2025-10-29 07:16:34
前言:2025年,存储市场持续“高烧”——-国际大厂停产DDR3/4,减产LPDDR4/4X,涨价50%只是起步-国产料号月更、周更,同一料号不同Die,颗粒参数“开盲盒”-更大的坑是:对于嵌入式
2025-10-24 11:59:51
918 
DDR控制协议
DDR3读写控制器主要用于生成片外存储器DDR3 SDRAM进行读写操作所需要的时序,继而实现对片外存储器的读写访问。由摄像头采集得到的图像数据通常数据量较大,使用片内存储资源
2025-10-21 14:30:16
由于e203内部DTCM空间较小,所以本队针对DDR200T开发板进行针对e203的DDR3存储器扩展。
论坛中所给出的e203扩展DDR的方法大致分为两种,一种是直接将DDR存储器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鸟DDR200T中DDR3的ip配置案列,提供DDR3引脚配置。具体参数可更具项目实际更改。
这里选用的axi接口
在赛灵思的IP配置中没有MT41K28M6JT-125K内存的信息,因此选用
2025-10-21 11:19:08
DDR3读写控制器主要用于生成片外存储器DDR3 SDRAM进行读写操作所需要的时序,继而实现对片外存储器的读写访问。由摄像头采集得到的图像数据通常数据量较大,使用片内存储资源难以实现大量图像数据
2025-10-21 10:40:28
DDR3读写控制器主要用于生成片外存储器DDR3 SDRAM进行读写操作所需要的时序,继而实现对片外存储器的读写访问。由摄像头采集得到的图像数据通常数据量较大,使用片内存储资源难以实现大量图像数据
2025-10-21 08:43:39
三星近期已向全球 OEM 客户发出正式函件,明确旗下 DDR4 模组将于 2025 年底进入产品寿命结束(EOL)阶段,最后订购日期定于 6 月上旬,最后出货日期则为 12 月 10 日。此次停产
2025-10-14 17:11:37
1033 回收DDR2,回收DDR3,收购DDR2,收购DDR3 DDR4 DDR5长期现金高价回收DDR,回收三星DDR,回收海力士DDR,回收南亚DDR,回收尔必达DDR,回收美光DDR,回收DDR
2025-10-09 14:15:34
据外媒韩国媒体 ETNews 在9 月 2 日发文报道称全球首款2nm芯片被曝准备量产;三星公司已确认 Exynos 2600 将成为全球首款采用 2nm 工艺的移动 SoC 芯片,目前该芯片完成
2025-09-04 17:52:15
2149 凭借与紫光国芯的紧密合作,贞光科技能够为客户提供DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列车规级存储产品。在产品覆盖、技术支持和供应保障等方面的综合优势,使贞光科技成为车载电子领域可靠且高效
2025-08-26 16:12:15
1423 
电子发烧友网综合报道,据报道,有业内人士透露,三星在上个月向英伟达提供了HBM4样品,目前已经通过了初步的质量测试,将于本月底进入预生产阶段。如果能通过英伟达最后的验证步骤,最早可能在11月或12月
2025-08-23 00:28:00
7162 英特尔® 酷睿™ Ultra 200H处理器和32GB内存的AI PC上,英特尔可变显存技术(Intel Variable VRAM Technology)可以将VRAM分配比例从57%提升到87%1
2025-08-14 15:39:45
1226 给大家带来三星的最新消息: 三星将在美国工厂为苹果生产芯片 据外媒报道,三星电子公司将在美国德克萨斯州奥斯汀的芯片代工厂生产苹果公司的下一代芯片。而苹果公司在新闻稿中也印证了这个一消息,在新闻稿中
2025-08-07 16:24:08
1288 Performance Body-bias)方案的验证。Exynos 2600是全球首款2nm手机芯片。 如果三星Exynos 2600芯片测试进展顺利,三星将立即启动量产,三星GalaxyS26系列手机将首发
2025-07-31 19:47:07
1591 本文紧接着前一个文档《AD设计DDR3时等长设计技巧-数据线等长 》。本文着重讲解DDR地址线、控制信号线等长设计,因为地址线、控制信号线有分支,SOC有可能带有2片DDR或者更多,我们叫做T型分支
2025-07-29 16:14:51
2 的讲解数据线等长设计。 在另一个文件《AD设计DDR3时等长设计技巧-地址线T型等长》中着重讲解使用AD设计DDR地址线走线T型走线等长处理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:12
4 成为了全球存储芯片巨头们角逐的焦点。三星电子作为行业的领军企业,一直致力于推动 HBM 技术的革新。近日有消息传出,三星电子准备从 16 层 HBM 开始引入混合键合技术,这一举措无疑将在存储芯片领域掀起新的波澜。 编辑 编辑 技术背景:HBM 发展的必然趋
2025-07-24 17:31:16
630 
电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,三星电子近期已完成与博通就12层HBM3E产品的质量测试,正就量产供应展开磋商。当前协商的供应量按容量计算约为10亿Gb级别左右,量产时间预计最早从今年下半年延续至
2025-07-12 00:16:00
3465 本原创文章由深圳市小眼睛科技有限公司创作,版权归本公司所有,如需转载,需授权并注明出处(www.meyesemi.com)
1.实验简介
实验目的:
完成 DDR3 的读写测试。
实验环境
2025-07-10 10:46:48
)这意味着三星电子预计其第二季度营业利润暴跌39%。这也是三星六个季度以来的最低业绩水平,同时,这也意味着三星业绩连续第四个季度下滑。 业界分析师认为销售限制持续存在,而且三星尚未开始向英伟达供应其12层堆叠HBM3E芯片是主要因素。而竞争对
2025-07-07 14:55:29
587 作为三星MLCC授权代理商,我们贞光科技深耕汽车电子领域多年,见证了新能源汽车市场的爆发式增长。车规级MLCC需求激增,选择专业可靠的代理商变得至关重要。三星车规MLCC——贞光科技核心代理产品技术
2025-07-01 15:53:42
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电子发烧友网综合报道,TrendForce报告显示,6月初,DDR4和DDR5芯片在现货市场上的价格已基本持平,有些DDR4芯片的价格甚至高于DDR5芯片,呈现“价格倒挂”现象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:00
4538 DDR内存占据主导地位。全球DDR内存市场正经历一场前所未有的价格风暴。由于原厂加速退出DDR3/DDR4市场,转向DDR5和HBM(高带宽内存)生产,DDR3和DDR4市场呈现供不应求、供需失衡、涨势延续的局面。未来,DDR5渗透率将呈现快速提升,市场份额增长的趋势。
2025-06-25 11:21:15
2009 
随着汽车产业向智能化、网联化加速转型,高级驾驶辅助系统(ADAS)和智能驾驶技术已成为现代汽车不可或缺的核心组件。紫光国芯作为国内领先的存储器芯片制造商,其车规级DDR3存储产品在智能驾驶和ADAS
2025-06-05 16:50:17
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PC处理器对DDR5的支持,DDR5内存将更快渗透普及。相较于DDR4,所有电压由主板供给,DDR5中内存模组搭载PMIC,PMIC是实现高效供电的关键,能够为先进的计算应用提供突破性的性能表现。Rambus最近推出面向下一代AI PC内存模块的完整客户端芯片组,包含两款用于客户端计算的全新电源
2025-05-29 09:11:20
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深圳帝欧电子求购内存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡,旧卡,拆机卡都有收,价高同行回收三星内存TF卡、金士顿TF卡、闪迪TF卡、东芝TF卡
2025-05-21 17:48:25
深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收三星指纹排线,专业求购指纹排线。
回收三星S系列指纹排线,回收指纹模组,回收三星
2025-05-19 10:05:30
DDR(Double Data Rate,双倍数据速率)是一种广泛应用于计算机和电子设备的高性能内存技术,DDR的主要应用于计算机系统,移动设备,嵌入式系临时存储和高速传输数据。因此,DDR是现代
2025-05-14 21:48:49
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给大家带来一些业界资讯: 三星DDR4内存涨价20% 存储器价格跌势结束,在2025年一季度和第二季度,价格开始企稳反弹。 据TrendForce报道称,三星公司DDR4内存开始涨价,在本月初三星
2025-05-13 15:20:11
1204 最新消息,三星电子本月初与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致。DDR4 DRAM价格平均上涨两位数百分比;DDR5价格上涨个位数百分比。据称 DDR4 上调 20%,DDR5 上调约 5
2025-05-13 01:09:00
6843 下面是调用的DDR3模块的,模块的倒数第二行是,模块的时钟输入,时钟源来自PLL产生的系统时钟的倍频。
2025-05-03 10:21:00
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受一些智能终端消费者和企业客户因为担忧美国关税而提前采购三星智能手机和通用芯片的影响,三星电子Q1营业利润小幅增长;三星电子在2025年第一季度营业利润达到6.7万亿韩元,同比增长1.5%,高于
2025-04-30 15:34:33
637 TPS51116为 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统提供完整的电源。它将同步降压控制器与 3A 灌电流/拉
2025-04-29 16:38:02
1031 
在高速PCB设计中,DDR模块是绝对绕不过去的一关。无论你用的是DDR、DDR2还是DDR3,只要设计不规范,后果就是——信号反射、时序混乱、系统频繁死机。
2025-04-29 13:51:03
2491 
TPS59116 为 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 内存提供完整的电源 系统。它将同步降压控制器与 3A 灌电流/拉电流跟踪线性稳压器和缓冲低噪声基准集成在一起
2025-04-28 13:54:45
814 
TPS51916 器件以最低的总成本和最小的空间为 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 内存系统提供完整的电源。它集成了同步降压稳压控制器 (VDDQ),具有 2A 灌电流和 2A 源跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF)。
2025-04-28 10:58:44
657 
TPS51116为 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 内存系统。它将同步降压控制器与 1A 灌电流/拉电流集成在一起 跟踪线性稳压器和缓
2025-04-27 13:35:32
741 
TPS51216-EP 以最低的总成本和最小的空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 内存系统提供完整的电源。它将同步降压稳压控制器 (VDDQ) 与 2A 灌/拉跟踪 LDO (VTT) 和缓
2025-04-26 11:12:30
681 
只需要最小输出 电容为 20 μF。TPS51200-EP 支持遥感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端。
2025-04-26 10:26:35
1335 
1. 传ASML 取消与三星合作的半导体研究设施,转而寻求替代方案 2023年末,三星与ASML签署了一项价值1万亿韩元的协议,双方将在韩国京畿道东滩投资建设半导体芯片研究设施,并在那里共同努力
2025-04-22 11:06:00
1488
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
在全球科技竞争加剧、国产替代加速推进的背景下,紫光国芯凭借其在DDR3与RDIMM等高端内存芯片领域的技术积累,不断实现突破,推动国产存储芯片向高端市场迈进。作为其核心代理商,贞光科技在市场推广
2025-04-16 16:39:30
1342 
对于网络谣言三星晶圆代工暂停所有中国业务,三星下场辟谣。三星半导体在官方公众号发文辟谣称““三星晶圆代工暂停与中国部分公司新项目合作”的说法属误传,三星仍在正常开展与这些公司的合作。 而且有媒体报道称瑞芯微公司等合作客户也表示与三星的相关工作在正常推进。
2025-04-10 18:55:33
770 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代产品,相较于DDR2,DDR3有更高的运行性能与更低的电压。
2025-04-10 09:42:53
3930 
电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测,三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm(FS1.4)晶圆代工工艺。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-23 11:17:40
1827 电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测,三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm(FS1.4)晶圆代工工艺。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:00
2462 灿芯半导体(上海)股份有限公司(灿芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平台的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。该IP具备广泛的协议兼容性,支持DDR3
2025-03-21 16:20:03
984 初次使用XC7A35T-FGG484做设计,用的是25MHZ有源晶振,有源晶振3.3V供电,DDR3的供电1.35V,现在接上晶振后,DDR3的供电变成1.8V
求助怎么解决。
2025-03-21 14:25:05
在现代电子制造业中,贴片电容作为电子元件的重要组成部分,其封装形式与体积大小对于电路板的布局、性能及生产效率具有重要影响。三星作为全球知名的电子元器件供应商,其贴片电容产品系列丰富,封装多样,满足了
2025-03-20 15:44:59
1928 
据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来,每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm工艺节点(SF4X)进行大规模生产。第四代4nm工艺
2025-03-12 16:07:17
13207 近日,三星电子系统LSI事业部宣布成功研发出一款名为S3SSE2A的安全芯片,以应对不断发展的量子电脑技术所带来的网络安全威胁。这款芯片不仅已完成样品出货准备,更在行业内率先采用了量子耐性口令
2025-03-05 13:56:54
996 
DDR内存控制器是一个高度集成的组件,支持多种DDR内存类型(DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2),并通过精心设计的架构来优化内存访问效率。
2025-03-05 13:47:40
3573 
三星电容的耐压与容量是满足不同电路需求的关键因素。以下是对三星电容耐压与容量的详细分析,以及如何根据电路需求进行选择的方法: 一、三星电容的耐压值识别与选择 1、耐压值的概念 :电容长期可靠地工作
2025-03-03 15:12:57
975 
电子发烧友网综合报道,日前,日媒报道由于DRAM内存芯片价格持续下滑,全球三大原厂三星、SK海力士和美光计划在2025年停产DDR4内存芯片。 数据显示,2025年1月,DDR4 8Gb颗粒
2025-02-21 00:10:00
2803 据韩媒近日报道,英伟达已在内部成功研发出一种新型内存模组,命名为SOCAMM。这一创新成果不仅标志着英伟达在内存技术领域的又一次突破,也预示着其在商业化应用上的新进展。 据报道,英伟达目前正与全球三
2025-02-19 11:41:41
1278 据报道,业内人士透露,全球三大DRAM内存制造商——三星电子、SK海力士和美光,有望在2025年内正式停产已有多年历史的DDR3和DDR4两代内存。 随着技术的不断进步和消费级平台的更新换代
2025-02-19 11:11:51
3460 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)近日有消息称,英伟达正在与三星、SK海力士等存储巨头合作,推动自家SOCAMM内存标准的商业化落地。SOCAMM即Space-Optimized CAMM空间优化内存
2025-02-19 09:06:55
3213 
近期,三星电子设备解决方案(DS)部门负责人兼副董事长全永铉(Jun Young-hyun)与英伟达公司CEO黄仁勋,在加利福尼亚州桑尼维尔的英伟达总部举行了一次重要会议。此次会议聚焦于三星电子改进
2025-02-18 11:00:38
978 HMCG88AEBRA和M321R4GA3BB6-CQK是两款高性能的32GB DDR5 4800 EC8 RDIMM内存条,专为需要高可靠性和高性能的应用而设计。这些内存条采用288-Pin
2025-02-14 07:02:20
据韩国媒体报道,三星电子正面临其第六代1cnm DRAM的良品率挑战,为确保HBM4内存的顺利量产,公司决定对设计进行重大调整。
2025-02-13 16:42:51
1336 ;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM内存模块,专为满足现代计算需求而设计。该产品以其高带宽和低功耗的特性,广泛应用于个人电脑、服务器和嵌入式系统中,成为市场上备
2025-02-10 20:10:39
如需了解价格货期等具体信息,欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言,留言会被吞,收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 产品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
如需了解价格货期等具体信息,欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言,留言会被吞,收不到留言。 16GB DDR4 ECC UDIMM 产品概述 16GB DDR4 ECC
2025-02-10 20:05:15
个新的领导阶段。 李大成在接任三星中国公司高层职务前,曾担任三星电子中国台湾地区总经理,拥有丰富的市场运营和管理经验。2024年12月,李大成被正式任命为三星电子大中华区总裁,开始肩负起领导三星在中国市场发展的重任。
2025-02-10 13:48:43
1209 M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 内存模块,具有 16GB 的容量,专为满足现代移动计算需求而设计。这款内存条采用了 Samsung 的先进技术,适用于各种
2025-02-10 07:49:16
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 内存模块,具有 8GB 的容量,专为满足现代移动计算需求而设计。这款内存条采用了最新的 DDR5 技术,具有
2025-02-10 07:47:57
高性能的 DDR5 SDRAM 内存模块,具有 8GB 的容量,工作频率为 PC4800。这款内存条由三星(Samsung)生产,专为满足现代计算需求而设计,适用
2025-02-10 07:44:13
产品均内置了先进的时钟驱动器(CKD)芯片,确保了数据传输的高速与稳定。同时,为了满足不同用户的需求,威刚提供了8GB、16GB与32GB三种存储容量选项,用户可以根据自己的实际需求进行选择。 在
2025-02-08 10:20:13
1039 三星电子在近期举行的业绩电话会议中,透露了其高带宽内存(HBM)的最新发展动态。据悉,该公司的第五代HBM3E产品已在2024年第三季度实现大规模生产和销售,并在第四季度成功向多家GPU厂商及数据中心供货。与上一代HBM3相比,HBM3E的销售额实现了显著增长。
2025-02-06 17:59:00
1106 根据市场研究机构Gartner的统计数据显示,在2024年全球半导体行业营收达到6260亿美元,同比增长18.1%。分厂商来看的话,三星登顶全球最大半导体厂商。 排名第一的是三星;得益于内存价格大幅
2025-02-05 16:49:55
1828 
近日,三星电子发布了其2024年第四季度的财务报告。数据显示,该季度三星电子的销售额达到了75.79万亿韩元,表现强劲。同时,其净利润也达到了7.58万亿韩元,这一数字超出了市场此前的预估
2025-02-05 14:56:10
811 近日,三星电子在美国加州圣何塞成功举办了年度“Galaxy Unpacked”发布会,会上不仅推出了备受瞩目的新旗舰“Galaxy S25”系列手机,还展示了与谷歌联合开发的Project Moohan头显设备。
2025-01-24 14:23:43
1394 创见(Transcend)近日宣布面向消费领域推出DDR5 6400 CUDIMM内存条,为硬件市场注入新活力。 该系列最先面世的型号为16GB容量单条模组,专为游戏玩家、内容创作者、计算机DIY
2025-01-24 11:16:18
1754 近日,三星电子在美国加州圣何塞成功举办了其一年一度的“Galaxy Unpacked”发布会。会上,三星电子不仅推出了备受期待的新旗舰“Galaxy S25”系列手机,还展示了与谷歌共同研发
2025-01-24 10:22:43
1240 据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,三星电子为应对其12nm级
2025-01-23 15:05:11
921 工厂和华城S3工厂。尽管投资规模有所缩减,但三星在这两大工厂的项目推进上并未止步。 平泽P2工厂方面,三星计划将部分3nm生产线转换到更为先进的2nm工艺,以进一步提升其半导体制造技术的竞争力。这一举措显示出三星在高端工艺领域的坚定布局和持续
2025-01-23 11:32:15
1081 据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
2025-01-23 10:04:15
1360 据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以达到结束开发工作、顺利进入量产阶段的要求。然而,实际情况并未如愿。
2025-01-22 15:54:19
1001 (High Bandwidth Memory 4)内存规划方面产生影响。 原本,三星电子计划在2024年12月前将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,这是结束开发工作并进入量产阶段所必需的水平
2025-01-22 14:27:24
1107 近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:07
1408 侧应用落地高率、大容量、低延迟与高带德明利最新推出针对AIPC的DDR5SO-DIMM和U-DIMM内存模组系列产品,单条内存容量高达48GB,理论带宽32GB/
2025-01-21 16:34:41
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近日,有关三星考虑委托台积电量产其Exynos芯片的消息引起了广泛关注。据悉,这一消息最初由知名博主Jukanlosreve于2024年11月13日在X平台上发布。该博主在推文中透露,三星正在寻求
2025-01-17 14:15:52
887 近日,韩媒The Elec发布了一篇博文,披露了三星在智能手机领域的一项新动向。据该报道,三星计划在2025年第2季度正式量产其首款三折叠手机,这一创新产品预计将在市场上引发广泛关注。 报道进一步
2025-01-15 15:42:50
1274 近日,三星电子已做出决定,将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前,全球NAND闪存市场面临供过于求的局面,预计今年NAND闪存
2025-01-14 14:21:24
866 亿元人民币)的激励资金。 该工厂预计将于2026年全面投入大规模芯片生产,主要生产2纳米和3纳米工艺的先进芯片。三星方面表示,他们计划在2026年初引入所有必要的生产设备,并在年底前正式启动量产,以期在这一关键领域与全球领先的芯片制造
2025-01-14 13:55:41
931 近日,三星在美国举办的2025 年国际消费电子展(CES 2025)“First Look”活动上,发布了三星Vision AI,旨在为用户的日常生活带来个性化的 AI屏幕体验。
2025-01-14 11:47:56
1234 复杂的实时嵌入式系统应用,支持多种内存接口和丰富的外设端口,满足多样化场景需求。
通过硬核NPU,JPU,MIPI 来支持边缘智能应用,为FPGA市场注入新的活力。SOM模组标配1GB DDR3
2025-01-10 14:32:38
近日,三星电子于1月8日正式发布了其202X年第四季度的财报数据。根据财报显示,该季度三星电子的营业利润为6.50万亿韩元,这一数字明显低于市场此前的预估值8.96万亿韩元。 同时,三星电子在
2025-01-09 10:40:28
914 在电子元器件领域,三星贴片电容以其出色的性能和广泛的应用赢得了广泛认可。选择适合的三星贴片电容不仅关乎电子设备的性能和稳定性,还直接影响到产品的可靠性和成本。为了帮助买家更好地进行选型,本文将详细
2025-01-08 14:26:59
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