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电子发烧友网>制造/封装>今日看点丨华为 Mate 70 系列被曝整机已量;SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E

今日看点丨华为 Mate 70 系列被曝整机已量;SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E

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SK海力士将向英伟达系统供应HBM3

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疯抢!HBM成为AI新瓶颈!

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SK海力士发布全球首款321NAND!

SK海力士宣布将首次展示全球首款321NAND闪存,成为业界首家开发出300以上NAND闪存的公司。他们展示了3211Tb TLC 4D NAND闪存的样品,并介绍了开发进展情况。
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SK海力士开发出全球最高规格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批生产hbm3的经验为基础,成功开发出了世界最高性能的扩展版hbm3e。“将以业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度为基础,从明年上半年开始批量生产hbm3e,巩固在针对ai的存储器市场上的独一无二的地位。”
2023-08-21 09:21:491808

SK海力士开发出全球最高规格HBM3E,向英伟达提供样品

该公司表示,HBM3EHBM3的扩展版本)的成功开发得益于其作为业界唯一的HBM3大规模供应商的经验。凭借作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平,SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E,巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。
2023-08-22 16:24:411676

SK海力士全球最高性能HBM3E内存

HBM3E内存(也可以说是显存)主要面向AI应用,是HBM3规范的扩展,它有着当前最好的性能,而且在容量、散热及用户友好性上全面针对AI优化。
2023-08-22 16:28:071669

SK海力士成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E

与此同时,SK海力士技术团队在该产品上采用了Advanced MR-MUF*最新技术,其散热性能与上一代相比提高10%。HBM3E还具备了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客户在基于HBM3组成的系统中,无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。
2023-08-23 15:13:131515

香农芯创:与华为没有业务往来,与SK海力士合作关系正常

sk海力士最近就华为mate 60 pro可能使用sk海力士存储芯片的半导体解体疑惑表示,美国政府对华为采取限制措施后,没有与华为进行交易,目前正在展开调查。
2023-09-14 09:28:012826

SK海力士官宣终止与华为的合作

近期,有关韩国SK海力士华为提供关键芯片的消息引起了广泛关注。据某拆解视频显示,华为最新款手机Mate60 Pro的存储芯片上显示着“SK海力士”标识,但未能获取到有关存储芯片核心信息的详细资料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工艺目前还没有定论。
2023-09-18 16:58:033084

1.1TB HBM3e内存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜无缘中国

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英伟达大量订购HBM3E内存,抢占市场先机

英伟达(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司订购大量HBM3E内存,为其AI领域的下一代产品做准备。也预示着内存市场将新一轮竞争。
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SK海力士在CES 2024展示未来AI基础设施关键技术

尤其值得关注的是,HBM3E系目前最具顶级性能的存储器,由SK海力士于去年8月成功研发。公司预计自今明两年起实现此类产品的大量生产,并向广泛的AI科技企业供应。
2024-01-03 09:36:311126

传三星/SK海力士开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580

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值得一提的是,半导体产品的研发周期通常共九个阶段,而 SK 海力士已经成功走过了各个环节,正在进行最后的产量提升阶段。这代表着现有的HBM3E产能均可满足从此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:451152

SK海力士推出全球首款HBM3E高带宽存储器,领先三星

在严格的9个开发阶段后,当前流程全部完成,步入最终的产能提升阶段。此次项目完结正是达产升能的标志,这预示着自今往后产出的所有HBM3E即刻具备向英伟达交付的条件。SK海力士计划3月获取英伟达对终品质量的认可,同步启动大规模生产及交货。
2024-02-21 10:17:051429

SK海力士将于3量产HBM3E存储器

全球存储半导体市场的激烈竞争中,SK海力士正式结束了第五代高带宽存储器器(HBM3E)的开发工作,并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品,并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
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【机器视觉】欢创播报 | 华为Mate70系列筹备工作开展

1 华为Mate70系列筹备工作开展 2月19日,数码博主爆料称,华为Mate70系列的筹备工作已经开展一段时间了,相比Mate 60系列华为Mate 70系列备货提升40%~50%,预计
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SK海力士宣布HBM内存生产配额全部售罄

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SK海力士预计3量产HBM3E,供货英伟达

近日,全球存储解决方案领导者SK海力士宣布,他们已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的开发,并且已经通过了英伟达
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HBM市场火爆!美光与SK海力士今年供货告罄

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2024-02-27 10:36:251877

三星电子成功发布其首款12堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
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三星发布首款12堆叠HBM3E DRAM

近日,三星电子宣布,已成功发布其首款12堆叠的高带宽内存(HBM3E)产品——HBM3E 12H,再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解,HBM3E 12H不仅是三星迄今为止容量最大的HBM产品,其性能也实现了质的飞跃。
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美光开始量产行业领先的 HBM3E 解决方案,加速人工智能发展

HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存,并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一
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2024 年 3 月 4 日全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布开始量产HBM3E 高带宽
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2024-03-19 09:57:442225

SK海力士HBM3E正式量产,巩固AI存储领域的领先地位

SK海力士作为HBM3E的首发玩家,预计这款最新产品的大批量投产及其作为业内首家供应HBM3制造商所累积的经验,将进一步强化公司在AI存储器市场的领导者地位。
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SK海力士成功量产超高性能AI存储器HBM3E

HBM3E的推出,标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破,将现有DRAM技术推向了新的高度。
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英伟达寻求从三星采购HBM芯片

英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系,计划从后者采购高带宽存储(HBM)芯片。HBM作为人工智能(AI)芯片的核心组件,其重要性不言而喻。与此同时,三星正努力追赶业内领头羊SK海力士,后者率先实现下一代HBM3E芯片的大规模量产
2024-03-25 11:42:041287

NVIDIA预定购三星独家供应的大量12HBM3E内存

据悉,HBM3E 12H内存具备高达1280GB/s的宽带速率以及36GB的超大存储容量,较8堆叠HBM3 8H,分别提升了50%以上的带宽及容量。
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三星独家供货英伟达12HBM3E内存

据最新消息透露,英伟达即将从今年9月开始大规模采购12HBM3E内存,而这次供货的重任将完全由三星电子承担。这一消息无疑为业内带来了不小的震动。
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刚刚!SK海力士出局!

在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8堆叠,容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款,供应下一代HBM3ESK海力士和三星都在推进12
2024-03-27 09:12:081225

三星电子HBM存储技术进展:12HBM3E芯片,2TB/s带宽HBM4即将上市

据业内透露,三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司,有能力在2024年9月实现对英伟达的替代,这意味着它将成为英伟达12HBM3E的垄断供应商。然而,三星方面不愿透露具体客户信息。
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三星重磅发布全新1236GB HBM3e DRAM

12HBM3e将每个堆栈可用的总带宽提高到惊人的1,280GB/s,这比单个堆栈上RTX 4090可用的全部带宽还要高。
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HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代 HBM 产品)开始,该公司将转用台积电的先进逻辑工艺。
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SK海力士和台积电签署谅解备忘录 目标2026年投产HBM4

HBM 中扮演非常重要的角色。 包括 HBM3E(第五代 HBM 产品)在内,SK 海力士旗下 HBM 产品的基础裸片此前均采用自家工艺
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SK海力士将采用台积电7nm制程生产HBM4内存基片

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2024-04-23 16:41:191392

SK海力士12Hi HBM3E于Q3完成,下半年内存或供应不足

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SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年

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2024-05-07 09:48:39927

SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 HBM4 提升 1.4 倍。
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SK海力士提前一年量产HBM4E第七代高带宽存储器

据业内人士预计,HBM4E堆叠层数将增加到16~20,而SK海力士原本计划在2026年量产16HBM4产品。此外,该公司还暗示,有可能从HBM4开始采用“混合键合”技术以实现更高的堆叠层数。
2024-05-15 09:45:351030

SK海力士HBM4E存储器提前一年量产

SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始,提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明,SK海力士HBM技术领域的研发速度正在加快。
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三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注

业内评论指出,三星HBM之所以出现问题,主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8HBM3E的生产方式与三星有所差异,导致三星产品未能顺利通过验证。
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SK海力士与台积电携手量产下一代HBM

近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEOL),确保基础芯片的质量与性能。而SK海力士则负责晶圆测试和HBM堆叠工作,确保产品的最终品质与可靠性。
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SK海力士HBM3E内存良率已达80%

早在今年3月份,韩国媒体DealSite报道中指出,全球HBM存储器的平均良率约为65%。据此来看,SK海力士在近期对HBM3E存储器的生产工艺进行了显著提升。
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SK海力士HBM3E量产时间缩短50%,达到大约80%范围的目标良率

据报道,SK海力士宣布第五代高带宽存储(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
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中国AI芯片和HBM市场的未来

 然而,全球HBM产能几乎SK海力士、三星和美光垄断,其中SK海力士占据AI GPU市场80%份额,是Nvidia HBM3内存独家供应商,且已于今年3月启动HBM3E量产
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美光HBM3E解决方案,高带宽内存助力AI未来发展

美光近期发布的内存和存储产品组合创新备受瞩目,这些成就加速了 AI 的发展。美光 8 堆叠12 堆叠 HBM3E 解决方案提供业界前沿性能,功耗比竞品1低 30%。
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SK海力士HBM技术再创新高,将集成更多功能

SK海力士正全力开发HBM4E存储设备,意欲打造集计算、缓存和网络存储于一身的新型HBM产品,进而提升性能与数据传输速率。
2024-05-29 16:41:271061

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞银集团最新报告指出,SK海力士HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能全部售罄,显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士扩大1b nm DRAM产能以应对HBM3E需求

据韩国媒体报道,为了应对市场对高性能HBM3E(高带宽内存第三代增强版)内存的激增需求,全球知名半导体制造商SK海力士已决定大幅增加其1b nm制程DRAM内存产能。这一战略决策旨在确保公司能够稳定供应高质量内存产品,同时进一步巩固其在全球半导体市场的领先地位。
2024-06-18 16:25:571084

英伟达巨资预订HBM3E,力拼上半年算力市场

全球AI芯片领域的激烈竞争中,英伟达以其卓越的技术实力和市场影响力,始终保持着领先地位。最近,这家AI芯片大厂再次展现出了其独特的战略眼光和强大的资金实力,以确保其新品GH200和H200能够顺利出货,不惜以高达13亿美元的预算,向美光和SK海力士预订了部分高带宽存储HBM3e的产能。
2024-06-22 16:46:581465

SK海力士堆叠3D DRAM生产良率达到56.1%

)提交了一份关于3D DRAM(三维动态随机存取存储器)的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士3D DRAM领域取得的显著进展,更向世界展示了其在这一未来存储技术上的坚定决心与卓越实力。
2024-06-24 15:35:291745

SK海力士5堆叠3D DRAM制造良率已达56.1%

全球半导体技术的激烈竞争中,SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日,在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果,其中5堆叠3D DRAM良品率高达56.1%,这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473

SK海力士加速布局HBM市场,产能扩增应对爆发式增长

的一次公开场合中明确指出,随着ChatGPT等AI应用的兴起,HBM市场需求呈现出爆炸性增长态势,预计其复合年增长率(CAGR)将高达70%。这一预测不仅彰显了SK海力士HBM市场前景的坚定信心,也预示着半导体行业即将迎来一场深刻的变革。
2024-07-08 11:54:491125

SK海力士与Amkor携手推进硅中介合作,强化HBM市场竞争力

在半导体行业日益激烈的竞争中,SK海力士再次展现其前瞻布局与技术创新的决心。近日,有消息称SK海力士正与全球知名的封装测试外包服务(OSAT)大厂Amkor就硅中介(Si Interposer
2024-07-18 09:42:511223

今日看点苹果 iPhone 16 Pro / Max 支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先进芯片今年量产

1. 三星:HBM3e 先进芯片今年量产,营收贡献将增长至60%   三星电子公司计划今年开始量产其第五代高带宽存储器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其对营收的贡献。三星电子表示,该公司预计其
2024-08-01 11:08:111375

SK海力士加速NAND研发,400+闪存量产在即

韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新,据韩媒最新报道,该公司计划于2025年末全面完成400+堆叠NAND闪存的量产准备工作,并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士在NAND闪存领域再次迈出坚实步伐,引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:111743

标普上调SK海力士评级至BBB,看好其HBM领域主导地位

近日,国际知名评级机构标准普尔全球评级(S&P Global Ratings)宣布了一项重要决策,将SK海力士的长期发行人信用及发行评级从BBB-提升至BBB,并维持稳定的评级展望。此次上调评级,主要基于SK海力士在高性能内存(HBM)领域的显著“主导地位”以及全球内存市场的积极复苏趋势。
2024-08-08 09:48:321042

SK海力士率先展示UFS 4.1通用闪存

在最近的FMS 2024峰会上,SK 海力士凭借其创新实力,率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品,再次引领存储技术的前沿。此次展示不仅彰显了SK 海力士在存储技术领域的领先地位,也为未来的移动设备性能提升奠定了坚实基础。
2024-08-10 16:52:083027

三星HBM3E内存挑战英伟达订单,SK海力士霸主地位受撼动

进入八月,市场传言四起,韩国存储芯片巨头三星电子(简称“三星”)的8HBM3E内存(新一代高带宽内存产品)顺利通过英伟达严格测试。然而,三星迅速澄清,表示这一报道与事实相去甚远,强调目前质量测试
2024-08-23 15:02:561635

SK海力士9月底将量产12HBM3E高性能内存

自豪地宣布,SK 海力士当前市场上的旗舰产品——8HBM3E稳坐行业领导地位,而更进一步的是,公司即将在本月底迈入一个新的里程碑,正式启动12HBM3E量产。这一举措不仅巩固了SK 海力士
2024-09-05 16:31:361644

美光12堆叠HBM3E 36GB内存启动交付

美光科技近期宣布,其“生产可用”的12堆叠HBM3E 36GB内存已成功启动交付,标志着AI计算领域的一大飞跃。这款先进内存正陆续送达主要行业合作伙伴手中,以全面融入并验证其在整个AI生态系统中的效能。
2024-09-09 17:42:371553

SK海力士开始先进人工智能芯片生产

SK海力士宣布,公司正式踏入人工智能芯片生产的新阶段,批量生产业界领先的12HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士在内存技术上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录,为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:41876

SK海力士引领未来:全球首发12HBM3E芯片,重塑AI存储技术格局

今日,半导体巨头SK海力士震撼宣布了一项业界瞩目的技术里程碑,该公司已成功在全球范围内率先实现12HBM3E芯片的规模化生产,此举不仅将HBM存储器的最大容量推升至史无前例的36GB新高度,更进一步巩固了SK海力士在AI应用存储器市场的领军地位。
2024-09-26 16:30:311984

SK海力士12堆叠HBM3E率先量产

SK海力士近日宣布了一项重大突破,公司已成功在全球范围内率先实现12堆叠HBM3E量产,这一里程碑式的成就标志着其在高端存储技术领域的持续领先地位。这款新品不仅将HBM产品的容量提升至前所未有的36GB,更是在AI应用所需的速度、容量及稳定性等方面均达到了全球顶尖水平。
2024-09-27 16:49:171176

英伟达向SK海力士提出提前供应HBM4芯片要求

近日,韩国SK集团会长透露了一项重要信息,即英伟达公司的首席执行官黄仁勋已向SK海力士提出了一项特殊的要求。黄仁勋希望SK海力士能够提前六个月供应其下一代高带宽内存芯片,这款芯片命名为HBM
2024-11-05 10:52:481202

SK海力士推出48GB 16HBM3E产品

近日在一次科技展览上,SK海力士惊艳亮相,展出了全球首款48GB 16HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)产品。这一突破性产品不仅展示了SK海力士在高端存储技术领域
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士调整生产策略,聚焦高端存储技术

限的产能转向更高端的产品线,如人工智能用存储器及先进DRAM产品。 SK海力士的这一决策可能与其重点发展高端存储技术研发和生产有关。近日,该公司对外展示了全球首款48GB 16HBM3E产品,该产品在容量和层数上均达到了业界最高水平。这一成果不仅彰显了SK海力士
2024-11-07 11:37:181276

SK海力士展出全球首款16HBM3E芯片

在近日举行的SK AI峰会上,韩国存储巨头SK海力士全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16HBM3E产品。这一产品的推出,标志着SK海力士在高端存储技术领域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189

SK海力士发布HBM3e 16hi产品

在近日举办的SK AI Summit 2024活动中,SK hynix(SK海力士)透露了一项令人瞩目的新产品计划。据悉,该公司正在积极开发HBM3e 16hi产品,这款产品的每颗HBM芯片容量高达48GB,将为用户带来前所未有的存储体验。
2024-11-14 18:20:201364

SK海力士赢得博通 HBM 订单,预计明年 1b DRAM 产能将扩大到 16~17 万片

    12 月 20 日消息,据 TheElec 报道,韩国存储芯片巨头 SK 海力士赢得了一份向博通供应 HBM 芯片的大单,但具体额度未知。   消息人士称,博通计划从 SK 海力士采购
2024-12-21 15:16:46915

SK海力士加速16Hi HBM3E内存量产准备

近日,SK海力士正全力加速其全球首创的16堆叠(16Hi)HBM3E内存的量产准备工作。这一创新产品的全面生产测试已经正式启动,为明年初的样品出样乃至2025年上半年的大规模量产与供应奠定了
2024-12-26 14:46:241050

SK海力士增产HBM DRAM,应对AI芯片市场旺盛需求

SK海力士今年计划大幅提升其高带宽内存(HBM)的DRAM产能,目标是将每月产能从去年的10万片增加至17万片,这一增幅达到了70%。此举视为该公司对除最大客户英伟达外,其他领先人工智能(AI)芯片公司需求激增的积极回应。
2025-01-07 16:39:091308

SK海力士HBM技术的发展历史

SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

英伟达、微软、亚马逊等排队求购SK海力士HBM芯片,这些国产设备厂迎机遇

电子发烧友网报道(文/李弯弯)据报道,继英伟达之后,全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。半导体行业知情人士称,各大科技巨头都已经在向SK海力士请求获取HBM3E样本,包括
2023-07-06 09:06:313695

HBM格局生变!传三星HBM3量产供货英伟达,国内厂商积极布局

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据韩媒sedaily 的最新报道,三星华城17号产线开始量产并向英伟达供应HBM3内存。同时,美光已经为英伟达供应HBM3E。至此,高端HBM内存的供应由SK海力士
2024-07-23 00:04:005533

HBM3E量产后,第六代HBM4要来了!

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)眼下各家存储芯片厂商的HBM3E陆续量产HBM4正在紧锣密鼓地研发,从规格标准到工艺制程、封装技术等都有所进展,原本SK海力士计划2026年量产HBM4,不过最近
2024-07-28 00:58:136874

风景独好?12HBM3E量产,16HBM3E在研,产业链涌动

海力士宣布公司开始量产12H HBM3E芯片,实现了现有HBM产品中最大的36GB容量。该产品堆叠123GB DRAM芯片,实现与现有的8产品相同的厚度,同时容量提升50%。运行速度提高至
2024-10-06 01:03:005489

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