SK海力士HBM3E内存提前两个月大规模生产，专用于英伟达AI芯片

近日获悉，SK海力士已完成HBM3E产品的研发任务，并依据NVIDIA的量测结果顺利通过性能评估。据悉，公司将于3月份全面启动HBM3E第五代高带宽内存产品的大规模生产，而且预计在下个月向NVIDIA发货首批货物。

值得一提的是，半导体产品的研发周期通常共九个阶段，而 SK 海力士已经成功走过了各个环节，正在进行最后的产量提升阶段。这代表着现有的HBM3E产能均可满足从此刻起NVIDIA的需求。

除了SK海力士以外，业界竞争者如三星电子与美光也和NVIDIA有合作，但他们预计要等到3月份才能开展最终的质检和认证工作。这表明SK海力士比原定时间表早了至少两个月完成HBM3E的开发。

相关信息显示，这部分HBM3E将会被用于英伟达新一代AI芯片B100的核心组件上。英伟达计划于今年第二季度末或第三季度初发布这款芯片。据了解，Blackwell（美国科学院院士David Blackwell）的名字源于对这位黑人科学巨匠的致敬。Blackwell也是美国首位黑人科学院士、加州大学伯克利分校首任黑人终身教授，因病于2010年去世，享年91岁。

在此之前，NVIDIA凭借最高超过90%的市占率掌握了人工智能GPU市场的主导权；考虑到存储领域方面，SK海力士在全球HBM市场占有超越一半的份额，甚至独占了128GB DDR5这种大容量DRAM产品市场。