SK海力士开发的HBM2E DRAM产品具有业界最高的带宽。与之前的HBM2相比，新款HBM2E拥有大约50％的带宽和100％的额外容量。 该公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超过每秒
2019-08-13 09:28:41
6584 2020年2月，固态存储协会(JEDEC)对外发布了第三版HBM2存储标准JESD235C，随后三星和SK海力士等厂商将其命名为HBM2E。 相较于第一版（JESD235A）HBM2引脚
2021-08-23 10:03:282441 据海外媒体报道，存储器价格超夯，今年至今韩厂SK 海力士 （SK Hynix ）已经飙升35%，部分外资相当乐观，预言还有20%上行空间。三星将增产？
2016-10-15 22:21:291002 根据南韩媒体 《Business Korea》 报道，南韩存储器大厂 SK 海力士旗下为积极争取未来中国境内的晶圆代工需求，在近期 SK 海力士收购英特尔的 NAND Flash 快闪存储器业务之后
2020-11-11 10:12:403651 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）新型存储HBM随着AI训练需求的攀升显示出越来越重要的地位。从2013年SK海力士推出第一代HBM来看，HBM历经HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）日前，韩媒报道SK海力士副总裁Kang Wook-sung透露，SK海力士HBM2E正用于Waymo自动驾驶汽车，并强调SK海力士是Waymo自动驾驶汽车这项先进内存
2024-08-23 00:10:007956 电子发烧友网报道（文 / 吴子鹏）近日，SK 海力士宣布全球率先完成第六代高带宽存储器（HBM4）的开发，并同步进入量产阶段，成为首家向英伟达等核心客户交付 HBM4 的存储厂商。 据悉，SK
2025-09-17 09:29:085968 全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion（NASDAQ：SPSN）与专注于为互联网数据中心提供节能、可拓展系统解决方案的创新者 Virident 宣布共同开发和推出新一代存储解决方案。专为
2019-07-23 07:01:13
存储器业经历大多头的牛市之后，是否即将回档，各方争辩不休。韩厂SK海力士加快脚步增产高频宽存储器（HBM），期盼能以技术拉开和对手的差距，维持高毛利。
2018-07-11 09:44:001125 全球弥漫挖矿商机，各大显示卡厂全力抢攻显示卡市场，用于高端显卡存储器的 GDDR 市场也跟着水涨船高，成为各家存储器大厂的兵家必争之地。日前两家韩系存储器大厂三星及 SK 海力士分别推出最新规格
2018-06-14 10:36:001707 
SK海力士(SK Hynix Inc.)7月27日宣布将在公司总部(韩国京畿道利川市)兴建新的半导体制造工厂、以满足不断增长的存储器芯片需求。
2018-08-13 10:34:226810 SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先，NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长，而新工厂将帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元（18.4亿美金）。
2018-12-03 08:52:561817 韩国存储器大厂SK海力士25日公布2019年第2季的获利状况，因为受到存储器价格持续低迷，以及日韩贸易摩擦等因素的冲击，净获利较2018年同期大降了88%之多，使得SK海力士不得不继三星传出要延后平泽P2存储器产线的投资之后，也宣布该公司的生产调整计划。
2019-07-26 16:56:103275 
目前，两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划。其中，三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外，SK
2019-08-15 09:05:123089 全球第一的非存储器半导体企业英特尔在韩国推出新一代存储器半导体，外界解读，英特尔选在存储器半导体强国发表新产品，是在向全球前两大存储器半导体企业三星电子、SK海力士宣战。
2019-09-27 17:20:141177 SK 海力士公司宣布，其已成功开发出 1Znm 16GB DDR4 动态随机存储器（DRAM），创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。
2019-11-19 11:08:21941 日前，三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。
2020-02-05 13:49:114064 三星近日发布了代号为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片，HBM2E单颗最大容量为16GB，由8颗16Gb的DRAM颗粒堆迭而成，单个封装可实现16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645 最近，JEDEC固态存储协会正式公布了HBM技术第三版存储标准HBM2E，针脚带宽、总容量继续大幅提升。对于一些大企业，集成这些技术可以说不费吹灰之力，但不是谁都有这个实力。
2020-03-08 19:43:564565 相比GDDR显存，HBM技术的显存在带宽、性能及能效上遥遥领先，前不久JEDEC又推出了HBM2e规范，三星抢先推出容量可达96GB的HBM2e显存。
2020-03-27 09:11:319503 据韩国先驱报报道，SK 海力士周一表示，该公司去年的非存储器半导体销售额增长了1.5倍，而内存产品的销售额则同比下降33%。
2020-03-31 15:16:523157 韩国存储器大厂SK海力士在2020年的CES上曾经展出过64GB的DDR5-4800存储器，其频宽和容量均比现在的DDR4高出不少，因此备受业界的期待。如今，SK海力士正式宣布，将在年底前量产并提
2020-04-07 14:34:271210 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:194475 SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1，024个I/Os（Inputs/Outputs， 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部
2020-07-03 08:42:19870 7月2日消息，据外媒报道，SK 海力士宣布，其已能够大规模批量生产新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。
2020-07-03 14:48:333275 几个月前，SK Hynix成为第二家发布基于HBM2E标准的存储的公司，就此加入存储市场竞争行列。现在，公司宣布它们改进的高速高密度存储已投入量产，能提供高达3.6Gbps/pin的传输速率及高达
2020-09-10 14:39:012830 据国外媒体报道，SK海力士宣布出资600亿收购英特尔NAND闪存及存储业务！ SK海力士已在官网宣布了他们将收购英特尔NAND闪存及存储业务的消息，SK海力士在官网上表示，两家公司已经签署了相关
2020-10-23 11:05:152718 近日，SK海力士宣布将在中国大连新建闪存工厂，该工厂属于SK海力士的非易失性存储器制造项目的一部分，将被用于生产非易失性存储器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收购Intel闪存业务
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器（HBM， High Bandwidth Memory）产品HBM31，公司不仅又一次创造历史，更进一步巩固了SK海力士在DRAM市场上的领先地位。
2022-09-08 09:28:252219 据韩媒报道，自今年年初以来，三星电子和SK海力士的高带宽存储器（HBM）订单激增。尽管HBM具有优异的性能，但其应用比一般DRAM少。这是因为HBM的平均售价（ASP）至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:446124 
据业界透露，三星电子、sk海力士等存储半导体企业正在推进hbm生产线的扩张。两家公司计划到明年年底为止投资2万亿韩元以上，将目前hbm生产线的生产能力增加两倍以上。sk海力士计划在利川现有的hbm生产基地后，利用清州工厂的闲置空间。
2023-08-01 11:47:021508 sk海力士表示：“以唯一批量生产hbm3的经验为基础，成功开发出了世界最高性能的扩展版hbm3e。“将以业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度为基础，从明年上半年开始批量生产hbm3e，巩固在针对ai的存储器市场上的独一无二的地位。”
2023-08-21 09:21:491808 该公司表示，HBM3E（HBM3的扩展版本）的成功开发得益于其作为业界唯一的HBM3大规模供应商的经验。凭借作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平，SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E，巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。
2023-08-22 16:24:411676 随着ai产业的增长，hbm需求剧增，sk海力士不得不增加人力和生产。hbm存储器是将多个dram芯片垂直堆叠起来，因此封装技术的防热性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:551039 SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元（76.2亿美元），超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似，约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战，观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌，SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:051540 尤其值得关注的是，HBM3E系目前最具顶级性能的存储器，由SK海力士于去年8月成功研发。公司预计自今明两年起实现此类产品的大量生产，并向广泛的AI科技企业供应。
2024-01-03 09:36:311126 2024年1月3日，SK海力士宣布，公司将参加于1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的世界最大规模电子、IT展会“国际消费电子产品展览会（CES 2024）”，届时展示未来AI基础设施中最为关键的超高性能存储器技术实力。
2024-01-04 17:12:151445 据可靠消息来源透露，英伟达与SK海力士已开始就2025年第一季度的高带宽存储器（HBM）供应量进行协调。这一合作的背后，是双方对未来技术趋势的共同预见和市场需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497 韩国存储芯片巨头SK海力士计划在美国印第安纳州投资兴建一座先进封装工厂，专注于生产高带宽内存（HBM）芯片。这一举措旨在与英伟达（NVIDIA）的AI GPU进行深度整合，共同推动美国本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946 去年，铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置，其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持，铠侠提出借助其实施的日本产 3D NAND 晶圆厂，提供额外产能供 SK 海力士扩大 3D NAND 存储器产能。
2024-02-18 16:06:59980 在严格的9个开发阶段后，当前流程全部完成，步入最终的产能提升阶段。此次项目完结正是达产升能的标志，这预示着自今往后产出的所有HBM3E即刻具备向英伟达交付的条件。SK海力士计划3月获取英伟达对终品质量的认可，同步启动大规模生产及交货。
2024-02-21 10:17:051429 在全球存储半导体市场的激烈竞争中，SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器（HBM3E）的开发工作，并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品，并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
2024-02-21 11:14:081739 SK 海力士副总裁 Kim Ki-Tae 对此表示，作为 HBM 行业翘楚，海力士洞察到市场对 HBM 存储的巨大需求，现已提前调整产量，以期更好地满足市场需求，保护其市场占有率。
2024-02-23 14:12:001306 近日，全球存储解决方案领导者SK海力士宣布，他们已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的开发，并且已经通过了英伟达
2024-02-25 11:22:211656 SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM（高带宽存储器）日益增长的需求，为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出，公司正在韩国投入超过10亿美元，以扩大和改进其芯片封装技术。
2024-03-08 10:53:441798 同日，SK海力士宣布启动 HBM3E 内存的量产工作，并在本月下旬开始供货。自去年宣布研发仅过了七个月。据称，该公司成为全球首家量产出货HBM3E 的厂商，每秒钟能处理高达 1.18TB 的数据。此项数据处理能力足以支持在一小时内处理多达约 33，800 部全高清电影。
2024-03-19 09:57:442225 SK海力士作为HBM3E的首发玩家，预计这款最新产品的大批量投产及其作为业内首家供应HBM3制造商所累积的经验，将进一步强化公司在AI存储器市场的领导者地位。
2024-03-19 15:18:211675 HBM3E的推出，标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破，将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 来源：集成电路前沿，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 3月25日消息，据报道，由于SK海力士部分工程出现问题，英伟达所需的12层HBM3E内存，将由三星独家供货，SK海力士出局！ 据了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士表示，凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位，以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础，该公司有信心持续引领HBM技术创新。通过整合IC设计厂、晶圆代工厂及存储器厂的技术资源，SK海力士将进一步提升存储器产品性能，实现新的突破。
2024-04-19 09:28:041153 自 HBM3E（第五代 HBM 产品）起，SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产；然而，从 HMB4（第六代 HBM 产品）开始，该公司将转用台积电的先进逻辑工艺。
2024-04-19 10:32:071374 HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座，兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议，首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392 SK海力士宣布，计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品，而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议，原本预计HBM4内存要等到2026年才会问世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高带宽内存（HBM）芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能（AI）技术的蓬勃发展，极大地推动了市场对HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 今日，SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破，他们成功研发出了面向端侧（On-Device）AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。这款产品的推出，标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
2024-05-09 11:00:301175 HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市场需求，SK海力士将提速研发进程，预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978 全球知名存储芯片制造巨头三星及SK海力士预判，今年DRAM和高带宽存储器（HBM）价格将持续攀升，受益于市场对于高端芯片，尤其是人工智能相关芯片的强大需求。
2024-05-15 09:23:52983 据业内人士预计，HBM4E的堆叠层数将增加到16~20层，而SK海力士原本计划在2026年量产16层的HBM4产品。此外，该公司还暗示，有可能从HBM4开始采用“混合键合”技术以实现更高的堆叠层数。
2024-05-15 09:45:351030 SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上，由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始，提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明，SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，SK海力士与台积电宣布达成合作，计划量产下一代HBM（高带宽内存）。在这项合作中，台积电将主导基础芯片的前端工艺（FEOL）和后续布线工艺（BEOL），确保基础芯片的质量与性能。而SK海力士则负责晶圆测试和HBM的堆叠工作，确保产品的最终品质与可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 早在今年3月份，韩国媒体DealSite报道中指出，全球HBM存储器的平均良率约为65%。据此来看，SK海力士在近期对HBM3E存储器的生产工艺进行了显著提升。
2024-05-23 10:22:301079 据报道，SK海力士宣布第五代高带宽存储（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 SK海力士正全力开发HBM4E存储设备，意欲打造集计算、缓存和网络存储于一身的新型HBM产品，进而提升性能与数据传输速率。
2024-05-29 16:41:271061 瑞银集团最新报告指出，SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起，每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存（HBM）市场的领军企业，SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄，显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:221511 韩国SK海力士公司周四透露，该公司正在重新调整明年的高容量存储器（HBM）芯片供应计划。这一调整源于客户为抓住人工智能（AI）热潮而提前发布产品计划的趋势。
2024-06-03 09:35:46944 雄心勃勃的宣言无疑给当前HBM市场的两大主要竞争对手——SK海力士和三星带来了不小的竞争压力，尤其是SK海力士，作为韩国DRAM行业的领军企业，正严阵以待，积极调整策略以应对美光的挑战。
2024-07-03 09:28:591061 在全球半导体产业与人工智能（AI）技术日新月异的今天，SK海力士以其前瞻性的战略眼光和雄厚的资金实力，再次成为业界的焦点。据最新报道，SK海力士计划在2028年前投资高达103兆韩元（约合748亿美元），用于存储器芯片的生产与研发，这一举措无疑是对半导体产业未来前景的坚定押注。
2024-07-04 10:00:511084 在全球人工智能（AI）技术持续升温的背景下，韩国两大存储芯片巨头——三星电子与SK海力士正积极调整生产策略，以应对日益增长且多样化的存储需求。据韩国媒体最新报道，这两家公司正分别在其位于平泽和无锡
2024-07-08 12:54:091248 在半导体存储技术的快速发展浪潮中，SK海力士，作为全球领先的内存芯片制造商，正积极探索前沿技术，以推动高带宽内存（HBM）的进一步演进。据最新业界消息，SK海力士正着手评估将无助焊剂键合工艺引入其下一代HBM4产品的生产中，这一举措标志着公司在追求更高性能、更小尺寸内存解决方案上的又一次大胆尝试。
2024-07-17 15:17:471889 在半导体技术日新月异的今天，SK海力士再次引领行业潮流，宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力士在高性能存储解决方案领域的持续深耕，也预示着HBM内存技术即将迈入一个全新的发展阶段。
2024-07-18 09:47:531328 SK海力士即将在8月6日至8日于美国圣克拉拉举办的全球半导体存储器峰会FMS 2024上大放异彩，向全球业界展示其在存储器技术领域的最新进展与对人工智能（AI）未来的深邃洞察。此次参展，SK海力士不仅将全面呈现其存储器产品的技术革新，更将焦点对准了下一代AI存储器技术的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110 韩国存储芯片巨头SK海力士近日发布了其截至2024年6月30日的2024财年第二季度财务报告，这份报告展现出了公司在复杂市场环境下的强劲韧性与增长潜力。尽管全球股市，尤其是美股科技板块遭遇剧烈波动，导致SK海力士的股价应声下跌8.87%，但其财务表现却创下了多项历史新高，成为行业关注的焦点。
2024-08-05 11:25:151313 近日，国际知名评级机构标准普尔全球评级（S&P Global Ratings）宣布了一项重要决策，将SK海力士的长期发行人信用及发行评级从BBB-提升至BBB，并维持稳定的评级展望。此次上调评级，主要基于SK海力士在高性能内存（HBM）领域的显著“主导地位”以及全球内存市场的积极复苏趋势。
2024-08-08 09:48:321042 据最新消息，SK海力士正携手Waymo，为其标志性的自动驾驶汽车项目“谷歌汽车”提供前沿的第三代高带宽存储器（HBM2E）技术。这一合作预示着随着自动驾驶技术的日益普及，HBM不仅将在人工智能（AI）服务器领域大放异彩，更将逐渐渗透至汽车芯片市场，成为未来五年的热门选择。
2024-08-15 14:54:392040 全球半导体巨头SK海力士近日宣布了一项重大人才招募计划，旨在通过下半年的大规模新员工及资深行业人才招聘活动，进一步强化其在高带宽存储器（HBM）领域的领导地位，并积极拥抱人工智能（AI）半导体市场的迅猛增长浪潮。
2024-09-03 16:08:091785 自豪地宣布，SK 海力士当前市场上的旗舰产品——8层HBM3E，已稳坐行业领导地位，而更进一步的是，公司即将在本月底迈入一个新的里程碑，正式启动12层HBM3E的量产。这一举措不仅巩固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 韩国首尔，2024年9月23日讯 —— SK海力士今日宣布了一项重大技术突破，其自主研发的异构存储器软件开发套件（Heterogeneous Memory S/W Development Kit
2024-09-23 14:23:441328 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生产的新阶段，批量生产业界领先的12层HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士在内存技术上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录，为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半导体巨头SK海力士震撼宣布了一项业界瞩目的技术里程碑，该公司已成功在全球范围内率先实现12层HBM3E芯片的规模化生产，此举不仅将HBM存储器的最大容量推升至史无前例的36GB新高度，更进一步巩固了SK海力士在AI应用存储器市场的领军地位。
2024-09-26 16:30:311987 SK海力士近日宣布了一项重大突破，公司已成功在全球范围内率先实现12层堆叠HBM3E的量产，这一里程碑式的成就标志着其在高端存储技术领域的持续领先地位。这款新品不仅将HBM产品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI应用所需的速度、容量及稳定性等方面均达到了全球顶尖水平。
2024-09-27 16:49:171176 在9月25日（当地时间）于美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的一场半导体行业盛会上，SK海力士发布的一项关于其高带宽内存（HBM）的惊人数据——“TAT 8.8:1”引起了广泛关注。这一数据揭示了SK海力士在HBM生产效率上的巨大优势。
2024-10-08 16:19:321679 韩华精密机械公司正式宣告，已成功向SK海力士提供了高带宽存储器（HBM）生产中的核心设备——TC键合测试设备。
针对10月16日部分媒体所报道的“韩华精密机械与SK海力士的HBM TC键
2024-10-18 15:51:081445 韩国大型财团SK集团的董事长崔泰源在周一的采访中透露，英伟达的首席执行官黄仁勋已向SK集团旗下的存储芯片制造巨头SK海力士提出要求，希望其能提前六个月推出下一代高带宽存储产品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707 4。 HBM4作为高带宽内存的最新一代产品，具有出色的数据传输速度和存储能力，对于提升计算机系统的整体性能具有重要意义。因此，英伟达作为全球领先的图形处理器(GPU)制造商，对于HBM4的需求自然不言而喻。 对于SK海力士而言，黄仁勋的这一要求无
2024-11-05 10:52:481202 日，英伟达（NVIDIA）的主要高带宽存储器（HBM）供应商南韩SK集团会长崔泰源透露，英伟达执行长黄仁勋已要求SK海力士提前六个月交付用于英伟达下一代AI芯片平台Rubin的HBM4存储芯片。这一消息意味着英伟达下一代AI芯片平台的问世时间将提前半年。
2024-11-05 14:22:092108 近日在一次科技展览上，SK海力士惊艳亮相，展出了全球首款48GB 16层HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)产品。这一突破性产品不仅展示了SK海力士在高端存储技术领域
2024-11-05 15:01:201231 限的产能转向更高端的产品线，如人工智能用存储器及先进DRAM产品。 SK海力士的这一决策可能与其重点发展高端存储技术研发和生产有关。近日，该公司对外展示了全球首款48GB 16层HBM3E产品，该产品在容量和层数上均达到了业界最高水平。这一成果不仅彰显了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日举行的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出，标志着SK海力士在高端存储技术领域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日举办的SK AI Summit 2024活动中，SK hynix（SK海力士）透露了一项令人瞩目的新产品计划。据悉，该公司正在积极开发HBM3e 16hi产品，这款产品的每颗HBM芯片容量高达48GB，将为用户带来前所未有的存储体验。
2024-11-14 18:20:201364 坚实基础。 SK海力士的这一举措，无疑将在全球半导体市场中掀起波澜。16Hi HBM3E内存作为业界领先的技术产品，其量产将有望推动整个半导体存储行业的发展和进步。通过加速量产准备工作，SK海力士不仅展现了其在技术创新方面的实力，也彰显了其对于市场需求变化
2024-12-26 14:46:241050 产品价格。 继美光和三星宣布减产计划后，全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉，SK海力士计划将上半年NAND Flash存储器的产量削减10%。这一决定无疑将对市场产生深远影响。 根据机构先前发布的报告，SK海力士在NAND Flash存储器领
2025-01-20 14:43:551096 3 月 6 日消息，综合韩联社、ZDNet Korea、MK 等多家韩媒报道，SK 海力士今日在内部宣布将关闭其 CIS（CMOS 图像传感器）部门， 该团队的员工将转岗至 AI 存储器领域 。SK
2025-03-06 18:26:161080 随着人工智能技术的迅猛发展，作为其核心支撑技术的高带宽存储器（以下简称HBM）实现了显著的增长，为SK海力士在去年实创下历史最佳业绩做出了不可或缺的重要贡献。业内普遍认为，SK海力士的成长不仅体现在销售额的大幅提升上，更彰显了其在引领AI时代技术变革方面所发挥的重要作用。
2025-04-18 09:25:59993 近年来，SK海力士屡获创新成果，这些成就皆得益于“一个团队”协作精神（One Team Spirit）”。无论是创下历史最佳业绩、开发出全球领先产品，还是跃升成为全球顶级面向AI的存储器供应商，这些
2025-05-23 13:54:361015 SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面，HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM，还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位，这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 在人工智能（AI）技术迅猛发展的当下，数据处理与存储能力成为制约其进一步飞跃的关键因素。2025 年 9 月 12 日，韩国半导体巨头 SK 海力士宣布，已成功完成面向 AI 的超高性能存储器新产品
2025-09-16 17:31:141381 AMD、微软和亚马逊等。 HBM（高带宽存储器），是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品，SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。 HBM 成为
2023-07-06 09:06:313695 
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