5月6日,据韩国媒体The Elec与首尔经济新闻报道,SK海力士在“AI时代,SK海力士蓝图和战略”发布会上透露,其HBM4内存的量产日期已经提前至2025年。
SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议,原本预计HBM4内存要等到2026年才会问世。
HBM4的提前量产反映了AI领域对于高性能内存的强烈需求,随着AI处理器性能的提升,对内存带宽的要求也越来越高。
The Elec预测,SK海力士将在HBM4内存中采用1cnm制程的DRAM芯片,相较之下,现有的HBM3E产品则是基于1bnm制程;此外,基础裸片部分可能会采用台积电7nm系列工艺。
SK海力士还在发布会上提到,基于MR-MUF键合技术的12层堆叠HBM3E内存将于本月开始样品生产,并于第三季度实现量产,而未来的16层堆叠产品也将采用MR-RUF键合技术。
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