SK海力士开发的HBM2E DRAM产品具有业界最高的带宽。与之前的HBM2相比，新款HBM2E拥有大约50％的带宽和100％的额外容量。 该公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超过每秒
2019-08-13 09:28:41
6584 据韩媒报道，SK海力士将在2020年进行一系列的人事调动和业务重组，其中会将DRAM和NAND Flash两大开发部门整合在一起，实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004758 2020年2月，固态存储协会(JEDEC)对外发布了第三版HBM2存储标准JESD235C，随后三星和SK海力士等厂商将其命名为HBM2E。 相较于第一版（JESD235A）HBM2引脚
2021-08-23 10:03:282441 讨论购买存储芯片的事宜。知情人士透露，SK海力士已经完成了符合博世要求的规格的存储芯片的开发。 与消费类设备中使用的DRAM相比，汽车中使用的DRAM需要保证更高的可靠性和更宽的激活温度范围。SK海力士开发的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:017589 4月16日消息 据悉，SK海力士正在与德国汽车巨头博世公司（Bosch）洽谈为其提供汽车存储芯片的事宜。 据称，SK海力士已完成了符合博世要求规格的内存芯片的开发。与消费类设备中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 。 图源：SK海力士官网 SK海力士将这一进展定义为：意义非凡。 激进的三星和SK海力士 在谈论EUV DRAM是否非凡之前，我们先了解一些关联技术。从原理上说，光刻技术就是利用光化学反应原理和化学、物理刻蚀方法将掩模板上的图案传递到晶圆的工艺技术。近半个多世纪，半导
2021-07-13 06:36:583394 
为由，将4家中国公司加入SDN名单。 2. SK 海力士开发出世界首款12 层堆叠HBM3 DRAM ，已向客户提供样品 SK海力士20日宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存
2023-04-20 10:22:191910 
电子发烧友网报道（文/黄晶晶） SK海力士近日发布全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品。
2023-04-23 00:01:004808 
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）新型存储HBM随着AI训练需求的攀升显示出越来越重要的地位。从2013年SK海力士推出第一代HBM来看，HBM历经HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
售罄。” 值得注意的是，此前市场研究机构Yolo Group报告指出，2023年HBM芯片的平均售价是传统DRAM内存芯片的五倍。然而，市场热度在AIGC的带动下依然有增无减。 SK海力士靠
2024-02-28 00:16:003825 SK 海力士周一发布全球最高密度、低耗能移动 DRAM，将应用于未来智能手机上。 海力士运用双通道 16 Gigabit 双通道芯片打造出低耗电 DDR4X 移动 DRAM，容量达 8GB。以 LPDDR4X 标准而言，SK 海力士新内存芯片密度是全球最高，功效则较现有 LPDDR4 提高两成。
2017-01-10 11:55:12941 据市场分析，GPU业者对绘图DRAM需求料将有增无减，2018年绘图DRAM销量会持续上扬，三星、SK海力士相继量产HBM2，价格比一般DRAM贵5倍。
2018-02-07 14:47:531952 Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天公开业界第一款异构系统级封装（SiP，System-in-Package）器件，集成了来自SK Hynix的堆叠宽带存储器（HBM2）以及高性能
2018-08-16 11:15:001622 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 受到移动舍必需求钝化、库存屯积的影响，SK海力士主力产品DRAM的价格正急剧下跌，外界观测指出，接连刷新营业利益纪录的SK海力士，这次恐怕无法再缔新猷。
2019-01-22 15:35:131058 SK海力士近日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 7月15日业界资讯，三星电子和SK海力士已完成针对本土氟化氢的可靠性和整合性测试，近日已投入到DRAM生产。
2019-07-17 10:03:303501 虽然封装不易，但 HBM 存储器依旧会被 AMD 或者是 NVIDIA 导入。SK海力士宣布推出 HBM2E 标准存储器，而这也是接续 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 本月DRAM现货价格急涨，以DRAM为主力商品的三星电子、SK海力士等半导体企业有望改善营收。
2019-12-18 16:36:543205 SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1，024个I/Os（Inputs/Outputs， 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部
2020-07-03 08:42:19870 据etnews报道，SK海力士已开始在其位于韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机，以量产10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布将在今年年内在M16厂建设产线以生产下一代DRAM，不过并未透露
2021-01-20 18:19:202943 韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片，可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽，每秒处理819GB的数据，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器（HBM， High Bandwidth Memory）产品HBM31，公司不仅又一次创造历史，更进一步巩固了SK海力士在DRAM市场上的领先地位。
2022-09-08 09:28:252219 * 业界最快的DDR5服务器，实现数据传输速率高达8Gbps * 与英特尔、瑞萨电子合作，SK海力士领航MCR DIMM开发 * 努力寻求技术突破，巩固在服务器DRAM市场的领导地位 韩国首尔
2022-12-09 20:40:312118 Corp. 周四的数据，美光科技在 1 月至 3 月期间获得了了 27.2 亿美元的 DRAM 销售额，比上一季度的 28.3 亿美元下降了 8%。这家美国芯片制造商击败了 SK 海力士，后者的销售额
2023-06-01 08:46:061184 SK海力士正忙于处理来自客户的大量HBM3E样品请求。英伟达首先要求提供样品，这次的出货量几乎是千钧一发。这些索取样品的客户公司可能会在今年年底收到样品。全球领先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供应HBM3，并已索取HBM3E样品。各大科技公司都在热切地等待 SK 海力士的样品。
2023-07-12 14:34:391894 
据业界透露，三星电子、sk海力士等存储半导体企业正在推进hbm生产线的扩张。两家公司计划到明年年底为止投资2万亿韩元以上，将目前hbm生产线的生产能力增加两倍以上。sk海力士计划在利川现有的hbm生产基地后，利用清州工厂的闲置空间。
2023-08-01 11:47:021508 在此之前，英伟达将大部分gpu的高级成套产品委托给tsmc。半导体方面，将sk海力士的hbm3安装在自主制造的单一gpu芯片上，生产英伟达h100。但是最近随着生成型人工智能的普及，h100的需求剧增，在处理nvidia的所有订单上遇到了困难。
2023-08-02 11:54:181663 SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:471993 sk海力士表示：“以唯一批量生产hbm3的经验为基础，成功开发出了世界最高性能的扩展版hbm3e。“将以业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度为基础，从明年上半年开始批量生产hbm3e，巩固在针对ai的存储器市场上的独一无二的地位。”
2023-08-21 09:21:491808 该公司表示，HBM3E（HBM3的扩展版本）的成功开发得益于其作为业界唯一的HBM3大规模供应商的经验。凭借作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平，SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E，巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。
2023-08-22 16:24:411676 与此同时，SK海力士技术团队在该产品上采用了Advanced MR-MUF*最新技术，其散热性能与上一代相比提高10%。HBM3E还具备了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客户在基于HBM3组成的系统中，无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。
2023-08-23 15:13:131515 meta是SK海力士的主要顾客之一，正在购买为构建和扩张数据中心的企业用ssd （ssd）和服务器dram。据悉，对ai服务器投入大量资金的meta还要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服务器dram。
2023-08-30 10:03:331393 SK海力士称，由于高性能半导体存储器产品的市场需求增加，公司业绩开始持续改善。尤其是面向人工智能的存储器产品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等，销售表现良好。因此与上一季度相比，营业收入增长了24%，营业亏损减少了38%。
2023-10-31 17:02:281270 SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元（76.2亿美元），超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似，约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战，观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌，SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:051540 数据显示，首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力，并启动大规模HBM设备采购；此外，三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移，进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580 韩国存储芯片巨头SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度财报中，展现出强大的增长势头。数据显示，公司的主力产品DDR5 DRAM和HBM3的营收较2022年分别增长了4倍和5倍以上，成为推动公司营收增长的主要力量。
2024-01-26 16:32:241697 无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539 据可靠消息来源透露，英伟达与SK海力士已开始就2025年第一季度的高带宽存储器（HBM）供应量进行协调。这一合作的背后，是双方对未来技术趋势的共同预见和市场需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497 韩国存储芯片巨头SK海力士计划在美国印第安纳州投资兴建一座先进封装工厂，专注于生产高带宽内存（HBM）芯片。这一举措旨在与英伟达（NVIDIA）的AI GPU进行深度整合，共同推动美国本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946 在严格的9个开发阶段后，当前流程全部完成，步入最终的产能提升阶段。此次项目完结正是达产升能的标志，这预示着自今往后产出的所有HBM3E即刻具备向英伟达交付的条件。SK海力士计划3月获取英伟达对终品质量的认可，同步启动大规模生产及交货。
2024-02-21 10:17:051429 在全球存储半导体市场的激烈竞争中，SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器（HBM3E）的开发工作，并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品，并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
2024-02-21 11:14:081739 SK 海力士副总裁 Kim Ki-Tae 对此表示，作为 HBM 行业翘楚，海力士洞察到市场对 HBM 存储的巨大需求，现已提前调整产量，以期更好地满足市场需求，保护其市场占有率。
2024-02-23 14:12:001306 近日，全球存储解决方案领导者SK海力士宣布，他们已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的开发，并且已经通过了英伟达
2024-02-25 11:22:211656 SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM（高带宽存储器）日益增长的需求，为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出，公司正在韩国投入超过10亿美元，以扩大和改进其芯片封装技术。
2024-03-08 10:53:441798 SK海力士作为HBM3E的首发玩家，预计这款最新产品的大批量投产及其作为业内首家供应HBM3制造商所累积的经验，将进一步强化公司在AI存储器市场的领导者地位。
2024-03-19 15:18:211675 HBM3E的推出，标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破，将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层DRAM，首批HBM3E产品均采用8层堆叠，容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称，英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款，供应下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推进12层
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士表示，凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位，以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础，该公司有信心持续引领HBM技术创新。通过整合IC设计厂、晶圆代工厂及存储器厂的技术资源，SK海力士将进一步提升存储器产品性能，实现新的突破。
2024-04-19 09:28:041153 自 HBM3E（第五代 HBM 产品）起，SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产；然而，从 HMB4（第六代 HBM 产品）开始，该公司将转用台积电的先进逻辑工艺。
2024-04-19 10:32:071374 4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和台积电签署谅解备忘录（MOU），推进 HBM4 研发和下一代封装技术，目标在 2026 年投产 HBM4。 根据双方签署的谅解备忘录，两家公司初期目标是改善
2024-04-20 08:36:51492 HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座，兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议，首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392 SK海力士最近透露，预计其HBM销售额今年将“占其DRAM芯片销售额的两位数百分比”。
2024-04-29 10:50:411195 
SK海力士，作为全球领先的内存芯片制造商，正在积极考虑建设一家新的DRAM工厂。这一决策源于其现有的龙仁芯片集群投产计划的推迟，以及对今年内存芯片需求大幅增长的预测。
2024-05-06 10:52:02982 SK海力士宣布，计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品，而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议，原本预计HBM4内存要等到2026年才会问世。
2024-05-06 15:10:211338 SK海力士近日宣布，其高带宽内存（HBM）芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能（AI）技术的蓬勃发展，极大地推动了市场对HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927 业界传出，全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存，下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM，引起市场抢货潮，导致近期DDR3价格飙涨，最高涨幅达二成，且下半年报价还会再上扬。
2024-05-14 10:31:58877 SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上，由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始，提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明，SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，SK海力士与台积电宣布达成合作，计划量产下一代HBM（高带宽内存）。在这项合作中，台积电将主导基础芯片的前端工艺（FEOL）和后续布线工艺（BEOL），确保基础芯片的质量与性能。而SK海力士则负责晶圆测试和HBM的堆叠工作，确保产品的最终品质与可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 早在今年3月份，韩国媒体DealSite报道中指出，全球HBM存储器的平均良率约为65%。据此来看，SK海力士在近期对HBM3E存储器的生产工艺进行了显著提升。
2024-05-23 10:22:301079 据报道，SK海力士宣布第五代高带宽存储（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 然而，全球HBM产能几乎被SK海力士、三星和美光垄断，其中SK海力士占据AI GPU市场80%份额，是Nvidia HBM3内存独家供应商，且已于今年3月启动HBM3E量产。
2024-05-28 09:40:311726 SK海力士正引领半导体行业进入新时代，开发了一种融合计算与通信功能的下一代HBM（高带宽内存）。这一创新战略旨在巩固其在HBM市场中的领先地位，同时进一步拉大与后来者的差距。
2024-05-29 14:11:401164 SK海力士正全力开发HBM4E存储设备，意欲打造集计算、缓存和网络存储于一身的新型HBM产品，进而提升性能与数据传输速率。
2024-05-29 16:41:271061 瑞银集团最新报告指出，SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起，每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存（HBM）市场的领军企业，SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄，显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:221511 SK海力士在半导体领域再次迈出创新步伐，计划在其第6代（1c工艺，约10nm）DRAM的生产中，首次采用Inpria的下一代金属氧化物光刻胶（MOR）。这一突破性的应用标志着MOR技术正式进入DRAM量产工艺。
2024-05-30 11:02:581506 在全球半导体产业风起云涌的当下，SK海力士再次展现出其前瞻性和决断力。据行业内部消息透露，该公司正积极扩大其第5代1b DRAM的生产规模，以应对当前市场对HBM（高带宽内存）及DDR5 DRAM不断增长的需求。
2024-06-17 16:30:501183 在6月17日传来的最新消息中，全球知名的半导体制造商SK海力士正积极布局，大力扩展其第5代1b DRAM的生产规模。这一举措旨在应对日益增长的高带宽内存（HBM）和DDR5 DRAM的市场需求，进一步巩固其在存储领域的领先地位。
2024-06-17 16:50:021580 据韩国媒体报道，为了应对市场对高性能HBM3E（高带宽内存第三代增强版）内存的激增需求，全球知名半导体制造商SK海力士已决定大幅增加其1b nm制程DRAM内存产能。这一战略决策旨在确保公司能够稳定供应高质量内存产品，同时进一步巩固其在全球半导体市场的领先地位。
2024-06-18 16:25:571084 ）提交了一份关于3D DRAM（三维动态随机存取存储器）的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士在3D DRAM领域取得的显著进展，更向世界展示了其在这一未来存储技术上的坚定决心与卓越实力。
2024-06-24 15:35:291746 在科技日新月异的今天，DRAM（动态随机存取存储器）作为计算机系统中的关键组件，其技术革新一直备受瞩目。近日，据业界权威消息源透露，韩国两大DRAM芯片巨头——三星和SK海力士，都将在新一代高带宽
2024-06-25 10:01:361486 在全球半导体技术的激烈竞争中，SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日，在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果，其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473 雄心勃勃的宣言无疑给当前HBM市场的两大主要竞争对手——SK海力士和三星带来了不小的竞争压力，尤其是SK海力士，作为韩国DRAM行业的领军企业，正严阵以待，积极调整策略以应对美光的挑战。
2024-07-03 09:28:591061 在人工智能与大数据驱动的时代浪潮中，SK海力士正以前所未有的速度调整战略，全力拥抱高带宽内存（HBM）市场的蓬勃机遇。据韩国权威媒体最新报道，SK海力士PKG技术开发副总裁Moon Ki-il在近期
2024-07-08 11:54:491125 在半导体技术日新月异的今天，SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息，该公司计划于2026年在其高性能内存（High Bandwidth Memory, HBM）的生产过程中引入混合键合技术，这一举措不仅标志着SK海力士在封装技术上的重大突破，也预示着全球半导体行业将迎来新一轮的技术革新。
2024-07-17 09:58:191366 在半导体存储技术的快速发展浪潮中，SK海力士，作为全球领先的内存芯片制造商，正积极探索前沿技术，以推动高带宽内存（HBM）的进一步演进。据最新业界消息，SK海力士正着手评估将无助焊剂键合工艺引入其下一代HBM4产品的生产中，这一举措标志着公司在追求更高性能、更小尺寸内存解决方案上的又一次大胆尝试。
2024-07-17 15:17:471889 ）合作展开深入协商。这一合作旨在通过整合双方优势资源，进一步提升SK海力士在高性能内存（HBM）领域的市场竞争力。
2024-07-18 09:42:511223 在半导体技术日新月异的今天，SK海力士再次引领行业潮流，宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力士在高性能存储解决方案领域的持续深耕，也预示着HBM内存技术即将迈入一个全新的发展阶段。
2024-07-18 09:47:531329 近日，国际知名评级机构标准普尔全球评级（S&P Global Ratings）宣布了一项重要决策，将SK海力士的长期发行人信用及发行评级从BBB-提升至BBB，并维持稳定的评级展望。此次上调评级，主要基于SK海力士在高性能内存（HBM）领域的显著“主导地位”以及全球内存市场的积极复苏趋势。
2024-08-08 09:48:321042 近日，据外媒报道，SK海力士已宣布将其DDR5 DRAM芯片价格上调15%至20%，这一举动在业界引起了广泛关注。供应链内部人士透露，此次涨价的主要原因在于HBM3/3E产能的大幅扩张，对DDR5的生产资源造成了明显挤占。
2024-08-14 15:40:461516 SK海力士近日宣布了一项重要计划，即开发采用4F2结构（垂直栅）的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐，标志着SK海力士在DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示，随着极紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 SK 海力士，作为全球知名的半导体巨头，近期宣布了一项重要的扩产计划，旨在通过扩大M16晶圆厂的生产规模，显著提升其DRAM内存产能。据韩媒报道，SK 海力士已积极与上游设备供应商合作，订购了关键生产设备，以加速提升M16晶圆厂在HBM（高带宽内存）及通用DRAM内存方面的生产能力。
2024-08-16 17:32:241920 在人工智能浪潮的推动下，SK海力士再次展现其技术前瞻性与创新实力。公司副社长柳成洙（Ryu Seong-su）近日宣布了一项重大研发计划，旨在打造一款性能远超现有水平的HBM（高带宽内存）。据透露，这款新一代HBM产品的性能目标直指当前同类产品的20至30倍，无疑将在内存技术领域掀起一场革命。
2024-08-21 10:51:11904 SK海力士宣布了一项重大技术突破，成功开发出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM。这一里程碑式的成就标志着SK海力士在半导体存储技术领域的领先地位。
2024-08-29 16:39:151255 自豪地宣布，SK 海力士当前市场上的旗舰产品——8层HBM3E，已稳坐行业领导地位，而更进一步的是，公司即将在本月底迈入一个新的里程碑，正式启动12层HBM3E的量产。这一举措不仅巩固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生产的新阶段，批量生产业界领先的12层HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士在内存技术上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录，为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半导体巨头SK海力士震撼宣布了一项业界瞩目的技术里程碑，该公司已成功在全球范围内率先实现12层HBM3E芯片的规模化生产，此举不仅将HBM存储器的最大容量推升至史无前例的36GB新高度，更进一步巩固了SK海力士在AI应用存储器市场的领军地位。
2024-09-26 16:30:311987 在9月25日（当地时间）于美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的一场半导体行业盛会上，SK海力士发布的一项关于其高带宽内存（HBM）的惊人数据——“TAT 8.8:1”引起了广泛关注。这一数据揭示了SK海力士在HBM生产效率上的巨大优势。
2024-10-08 16:19:321679 韩国大型财团SK集团的董事长崔泰源在周一的采访中透露，英伟达的首席执行官黄仁勋已向SK集团旗下的存储芯片制造巨头SK海力士提出要求，希望其能提前六个月推出下一代高带宽存储产品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707 近日，韩国SK集团会长透露了一项重要信息，即英伟达公司的首席执行官黄仁勋已向SK海力士提出了一项特殊的要求。黄仁勋希望SK海力士能够提前六个月供应其下一代高带宽内存芯片，这款芯片被命名为HBM
2024-11-05 10:52:481202 近日在一次科技展览上，SK海力士惊艳亮相，展出了全球首款48GB 16层HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)产品。这一突破性产品不仅展示了SK海力士在高端存储技术领域
2024-11-05 15:01:201231 限的产能转向更高端的产品线，如人工智能用存储器及先进DRAM产品。 SK海力士的这一决策可能与其重点发展高端存储技术研发和生产有关。近日，该公司对外展示了全球首款48GB 16层HBM3E产品，该产品在容量和层数上均达到了业界最高水平。这一成果不仅彰显了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日举行的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出，标志着SK海力士在高端存储技术领域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日举办的SK AI Summit 2024活动中，SK hynix（SK海力士）透露了一项令人瞩目的新产品计划。据悉，该公司正在积极开发HBM3e 16hi产品，这款产品的每颗HBM芯片容量高达48GB，将为用户带来前所未有的存储体验。
2024-11-14 18:20:201364 存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。 由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划
2024-12-21 15:16:46915 
坚实基础。 SK海力士的这一举措，无疑将在全球半导体市场中掀起波澜。16Hi HBM3E内存作为业界领先的技术产品，其量产将有望推动整个半导体存储行业的发展和进步。通过加速量产准备工作，SK海力士不仅展现了其在技术创新方面的实力，也彰显了其对于市场需求变化
2024-12-26 14:46:241050 SK海力士今年计划大幅提升其高带宽内存（HBM）的DRAM产能，目标是将每月产能从去年的10万片增加至17万片，这一增幅达到了70%。此举被视为该公司对除最大客户英伟达外，其他领先人工智能（AI）芯片公司需求激增的积极回应。
2025-01-07 16:39:091310 SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面，HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM，还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位，这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667 AMD、微软和亚马逊等。 HBM（高带宽存储器），是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品，SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。 HBM 成为
2023-07-06 09:06:313695 
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）根据韩媒sedaily 的最新报道，三星华城17号产线已开始量产并向英伟达供应HBM3内存。同时，美光已经为英伟达供应HBM3E。至此，高端HBM内存的供应由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534
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