威兆半导体推出的VS1605ATM是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型
2026-01-04 16:31:56
46 
威兆半导体推出的VSP007N07MS是一款面向80V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道
2026-01-04 16:26:10
70 
)的DS92CK16,一款采用3V BLVDS(Bus Low Voltage Differential Signaling)技术的1到6时钟缓冲/总线收发器,了解其特性、应用以及设计中的注意事项
2025-12-31 17:05:17
1202 威兆半导体推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5060X封装,适配中压超大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件
2025-12-30 15:04:38
94 
威兆半导体推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN3333封装,适配中压小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-30 14:58:12
102 
威兆半导体推出的VSI008N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-251封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型
2025-12-30 10:55:52
67 
威兆半导体推出的VSO013N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOP8封装,适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率
2025-12-29 11:52:16
79 
威兆半导体推出的VST018N10MS是一款面向100V中压大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-29 11:30:14
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- RA6M5和CK - RX65N云套件,为物联网解决方案的原型设计提供了强大助力。 文件下载: Renesas Electronics CK-RX65N V2云套件.pdf 简化物联网原型
2025-12-29 11:30:12
182 探索瑞萨云套件 CK-RA6M5 和 CK-RX65N:物联网快速原型开发利器 作为电子工程师,在物联网解决方案的开发过程中,我们常常面临着设计复杂电路和软件栈的挑战。而瑞萨电子推出的 CK
2025-12-29 11:30:09
207 威兆半导体推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220SF封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N
2025-12-29 09:53:44
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Renesas R9A02G021:32位RISC-V MCU的全方位解析 作为一名电子工程师,在日常的硬件设计开发中,选择合适的微控制器(MCU)至关重要。今天,我们就来深入探讨一下Renesas
2025-12-29 09:50:13
83 ——FM24V02A,看看它在众多应用场景中是如何脱颖而出的。 文件下载: FM24V02A-G.pdf 产品概述 FM24V02A是一款256 - Kbit(32K × 8)的串行(I²C)F
2025-12-28 15:25:09
404 ,端口可以用惠海MOS管HC5N10、HC6N10、HC13N10去检测控制开关。
POE分离器(设备供电):交换机端口过来的48V电压,通过H6225K降压12V1A 12V2A给受电设备供电,POE
2025-12-27 11:12:39
板主要为SLG51003V IC提供编程、仿真和测试功能。它可以与Go Configure™软件中心配合使用,有三种使用模式:独立板模式、与Power GreenPAK开发母板
2025-12-26 18:00:07
959 RZ/V2N评估板套件(安全型)硬件深度剖析 引言 在当今电子技术飞速发展的时代,评估板作为硬件开发和测试的重要工具,对于工程师们来说至关重要。Renesas的RZ/V2N评估板套件(安全型)以其
2025-12-26 17:30:12
445 威兆半导体推出的VS6880AT是一款面向68V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率
2025-12-26 11:58:42
93 
威兆半导体推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5060X封装,适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件
2025-12-26 11:57:06
114 
威兆半导体推出的VS8068AD是一款面向80V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-262封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率
2025-12-26 11:50:13
93 
威兆半导体推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道
2025-12-25 16:18:26
110 
威兆半导体推出的VSD090N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型
2025-12-25 16:14:53
108 
威兆半导体推出的VSI080N06MS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-251-S封装,适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型
2025-12-23 11:26:18
176 
威兆半导体推出的VSE090N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN3x3封装,适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型
2025-12-23 11:22:46
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完成应用设置。这个过程主要是将通用主板(MB)和 PROFET™ +2 12V 子板(DB,有 1 通道、2 通道或 4 通道可选)连接起来进行台架测试。需要注意的是,
2025-12-21 15:20:03
456 PROFET™ +2 12V 评估板快速上手指南 在电子设计领域,高效地使用评估板进行测试和验证是非常重要的。今天我们就来详细了解一下 PROFET™ +2 12V 评估板的快速上手流程,以及与之
2025-12-21 14:50:07
440 PROFET™ +2 12V 演示板快速上手指南 在硬件设计和测试工作中,高效地让新的组件和开发板投入使用是关键。今天就来给大家介绍一下英飞凌 PROFET™ +2 12V 演示板的快速启动方法
2025-12-21 14:50:03
427 探索Arduino Shield Power PROFET™ + 12V:强大的高侧开关评估板 在电子设计领域,高侧开关的应用十分广泛,而Infineon Technologies的Arduino
2025-12-20 14:45:06
602 Technologies EVAL_TOLL_72VDC_2KW评估板.pdf 一、OptiMOS™ 6 120 V功率MOSFET技术亮点 1.1 技术背景与优势
2025-12-20 10:35:06
517 BTS50007-1LUA:高性能12V智能高端功率开关的深度解析 在电子设备的设计中,功率开关的性能和可靠性对整个系统的稳定性起着至关重要的作用。今天,我们要深入探讨的是英飞凌(Infineon
2025-12-20 09:30:02
550 EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板:2000V CoolSiC™ MOSFET的理想测试平台 在电力电子领域,工程师们一直在寻找性能更优、可靠性更高的功率器件及测试方案。今天,我们就来深入
2025-12-19 17:00:15
445 12V应用通用功率评估板设计:SSO8与TLE9879QXA40的完美结合 作为电子工程师,我们常常面临着为特定应用设计高效、可靠评估板的挑战。今天,就来和大家分享一款专为12V应用设计的通用功率
2025-12-19 16:50:09
450 DG_48V_SWITCH_KIT 评估板.pdf 技术对比:双栅极MOSFET的优势凸显 SOA和RDSON对比 在功率器件的评估中,安全
2025-12-19 15:20:03
226 探索PROFET™ +2 12V客户评估套件:硬件设计与软件应用全解析 在电子工程师的日常工作中,评估套件是了解和测试新器件性能的重要工具。今天,我们将深入探讨PROFET™ +2 12V客户评估
2025-12-19 15:00:02
160 PROFET™ +2 12V 客户评估套件深度解析 作为电子工程师,我们在日常工作中经常需要对各类电子元件和评估套件进行深入了解和测试。今天,我将为大家详细介绍 Infineon 公司
2025-12-19 14:30:17
174 EVAL_7116G_100V_SSO8评估板:助力功率电子系统设计 在功率电子系统的设计和开发过程中,评估板是工程师们验证和测试关键组件性能的重要工具。今天,我们就来详细探讨一下Infineon
2025-12-19 11:35:07
320 27W、12V和5V SMPS参考板:CoolSET™ ICE5QR1680BG-1的卓越表现 在电源设计领域,一款性能优异且可靠的开关电源(SMPS)对于各类电子设备至关重要。今天,我们就来
2025-12-18 17:10:02
494 PROFET™ +2 12V客户评估套件:设计与应用全解析 在电子工程师的日常工作中,评估和测试各类电子元件是一项关键任务。今天,我们就来深入探讨一下英飞凌(Infineon)的PROFET™ +2
2025-12-18 16:40:06
181 12V应用通用电源板设计解析 一、引言 在汽车电子领域,对于12V应用的电源板需求日益增长,特别是在控制无刷直流(BLDC)电机驱动的风扇或泵等逆变器应用中。今天要和大家分享的是一款
2025-12-18 16:35:10
217 探索英飞凌OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET:电机驱动的新突破 在电子工程师的日常工作中,为电机驱动系统挑选合适的MOSFET至关重要。英飞凌最新推出的OptiMOS™ 7 40V N
2025-12-18 14:30:06
185 MPQ860-12V72-L48NBMC:高效DC-DC转换器的卓越之选 在电子设备的电源设计领域,一款性能出色的DC-DC转换器至关重要。今天,我们就来深入了解一下Murata Power
2025-12-16 16:10:02
258 威兆半导体推出的VS320N10AU是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-247封装,适配中压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型
2025-12-12 15:26:26
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转换;
电动车、平衡车等车载设备供电;
各类电池供电平台的稳压与能量管理;
需从高压降至5V、12V等常用电平的各种电子设备。
设计建议与技术要点
为充分发挥SL3041的性能,建议在布局中
2025-12-09 15:59:41
,还是 72V、80V 的常见型号,它都能稳稳当当把电压转换成 3.3V、5V 或 12V,给仪表盘等核心部件提供持续动力,最大 1.5A 的输出电流,足够满足日常使用需求。
更贴心的是它的 “稳定
2025-12-08 10:06:04
威兆半导体推出的VSE025N10HS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,具备快速开关特性与高可靠性,适配中压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息
2025-12-01 16:36:00
207 
威兆半导体推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技术实现高效能与快速开关特性,凭借低导通电阻与高可靠性,适用于中压DC
2025-11-26 15:24:14
240 
威兆半导体推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,支持10V逻辑电平控制,基于FastMOSII技术实现快速开关与高效能,适用于DC/DC转换器
2025-11-26 15:13:13
226 
压场景提供可靠解决方案。产品核心亮点高耐压与大电流内置150V MOS,支持8V-120V宽压输入,2.5A持续输出(峰值5A),适配电动车48V/72V系统及工业设备供电。高效稳压130KHz开关
2025-11-26 11:19:36
如BMS、电机控制、电力开关的12V系统对低内阻MOS管的需求正增速增长,工程师们迫切需要兼顾大电流承载与小型化设计的解决方案。而HKTD100N03这款采用TO-252封装的N沟道MOS管,以
2025-11-26 09:44:40
566 
仁懋电子(MOT)推出的MOT20N65HF是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高开关速度、100%雪崩测试验证及650V耐压,适用于高效开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-24 14:33:13
243 
安森美NTTFD1D8N02P1E N沟道MOSFET是一款双通道25V电源夹非对称器件。该N沟道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4mΩ LS和25V~DSS~~ 漏~极-源极电压
2025-11-24 13:40:06
394 
端与内置 MOS 漏极,可增强散热效果,适配大功率工作场景下的温度控制需求。
基础应用方向
该芯片主要用于高压输入转低压输出的场景,可实现 36V、48V、60V 等高压向 12V、5V
2025-11-19 10:30:07
仁懋电子(MOT)推出的MOT13N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高开关速度、100%雪崩测试验证及500V耐压,适用于高效开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-19 10:24:32
240 
Vishay/Dale 1KW-DCDC-48V12V降压-升压转换器具有两个模块功率级(每个额定功率为500W),并提供转换器参考设计。两个相位的对称交错降低了电流纹波,每个相位均具有保护
2025-11-13 10:25:20
486 
仁懋电子(MOT)推出的MOT12N65F是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、半桥式电子镇流器、LED
2025-11-12 14:19:35
317 
仁懋电子(MOT)推出的MOT7N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、100%雪崩测试验证及700V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS
2025-11-12 09:34:45
197 
仁懋电子(MOT)推出的MOT12N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域
2025-11-07 10:31:03
211 
★软启动(SS)、过流保护(OCP)、过热保护(OTP)、短路保护(SCP)
★可满足48V 60V 72V 80V转3.3V 5V 12V的仪表盘供电的应用
H6266A核心优势解读
H6266A外围
2025-11-05 09:58:30
仁懋电子(MOT)推出的MOT50N02D是一款面向低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借20V耐压、超低导通损耗及50A大电流承载能力,广泛适用于各类开关应用(如DC-DC转换器
2025-10-31 17:36:09
228 
STMicroelectronics STEVAL-L3751V12评估板具有6V至75V宽输入电压范围,在整个开关频率范围内具有极高的电压转换比。该板在230kHz开关频率下提供5V稳压输出。STEVAL-L3751V12板上的输出电压通过跳线连接器快速设置为12V。通过将电阻器改为较低的VIN范围来选择不同电压输出。
2025-10-29 09:48:12
286 
用户’的应用中。STEVAL-MKI222V1可插入标准DIL 24插座。该板提供完整的LIS2DU12引脚分配,并在VDD电源线路上嵌入所需的去耦电容器。
2025-10-27 10:22:05
374 
STMicroelectronics AEK-POW-LDOV02J评估板基于L99VR02J汽车线性稳压器,设计具有可配置的输出电压。该板具有八个可选固定输出电压(0.8V、1.2V、1.5V
2025-10-24 16:06:19
626 
★软启动(SS)、过流保护(OCP)、过热保护(OTP)、短路保护(SCP)
★可满足48V 60V 72V 80V转3.3V 5V 12V的仪表盘供电的应用
H6266A核心优势解读
H6266A外围
2025-10-20 11:34:26
PCBA分板应力应变测试仪,分板制程就是将拼版分为单板的过程。常见的几种分板方式有:手动掰板、V-cut 分板、走
刀式分板和铣刀式分板。不管是那种分板方式,在分板的过程中都会对 PCB 产生应力,这个制程如果我们不去把控,PCB 的质量就得不到保障。
2025-10-17 14:01:38
375 
ZK30N100T是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET,文档从核心特性、关键参数、应用场景、封装与包装、电气及热特性、测试电路、机械尺寸等多维度展开介绍,为该器件的选型
2025-10-16 16:23:01
0 在鱼缸氧气泵及各类小型动力设备中,如何实现高效、稳定且灵活的电压转换,一直是开发者关注的重点。下文所示(PCB板图)正是专为此类应用设计的升压转换芯片——FP6296。该芯片采用电流控制模式,具备
2025-09-05 13:55:14
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电子发烧友网报道(文/梁浩斌)从数据中心到通信、再到汽车,过去普遍使用的12V系统正在面临越来越高的功率负载带来的压力,于是48V系统,在近几年得到了市场广泛关注。 尤其是在汽车领域,随着汽车智能化
2025-08-29 07:58:00
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FP7126作为一款高性能降压恒流LED驱动芯片,支持12V/18V/24V/36V/48V宽电压输入,提供多路PWM调光(调光深度0.01%),并可通过外接推挽电路实现大功率输出,成为激光灯RGB调光的理想解决方案。
2025-08-27 11:43:31
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海半导体针对控制板供电、车载仪表供电及BMS供电等应用场景,推出更优的高耐压大功率低功耗驱动解决方案:H6266C。
H6266C是一种内置150V耐压MOS,支持输入高达130V的高压降压开关控制器
2025-08-26 09:49:22
热敏电阻做温控
▶ 外围简洁、高性价比、皮实耐抗
▶ 带过温保护、93%以上的高转换效率
▶ 可兼容,电动车前装的12V 24V转9V 12V,以及后装的48V 60V 72V 80V转9V 12V电压
2025-08-19 16:25:56
、60V、72V、90V、100V、120V 等多种常见高压输入,稳定降压至 3.3V、5V、12V 等常用电压。这种出色的电压适应能力,使其在电动车仪表、汽车充电器等电压波动较大的环境中表现稳定,无需
2025-08-06 16:09:06
:支持10V-100V输入,可直接处理72V/60V/48V/36V等高电压输入场景。
高电流输出:内置功率MOSFET,峰值输出电流达3A,效率超过90%。
多重保护机制:集成短路保护、过热
2025-08-06 15:47:43
,H6266C 可将其降压转换为适合电动车上其他设备使用的电压,如 12V 为车灯、喇叭等供电,或 5V 为车载充电器模块供电,为手机等电子设备充电。其 3A 的输出电流能满足多数车载低压设备的功率需求,且内置
2025-08-05 09:10:37
H6801:让电压自由升降的智能电力管家
在移动设备、大功率音响、户外照明等场景中,H6801升压恒压芯片凭借其高性能与智能化设计,成为电源模块的可靠选择。这款电流模式BOOST异步控制芯片,支持
2025-07-17 09:57:28
MPPT(最大功率点跟踪)算法,利用高带宽环路实现快速动态响应(如光照突变时的电压调整)。
储能逆变器:在储能系统中,将 24V/48V 电池组电压转换为 12V 为控制电路供电,利用过温保护功能在高温
2025-07-16 09:23:38
方面:
电池管理系统(BMS):可满足 BMS 中 3.7V、7.4V、12V、24V 等电压转 5V、12V 等的升降压应用需求,能为 BMS 中的控制电路、传感器等提供稳定电源,其低静态功耗特性
2025-07-15 09:32:24
等。
总之,仪器仪表上的芯片需要具备高集成度、低功耗、高精度、抗干扰能力和程序可编程等特点,以满足仪器仪表在不同应用场景下的要求。
惠海H6213D 可支持12V 24V 30V 48V 72V
2025-07-07 14:08:09
萨的 RZ/V2N 构建:BPI-AI2N。 该公司在介绍其最新成果时表示:“Banana Pi BPI-AI2N 系统级模块 (SoM) 和 BPI-AI2N 载板是开源硬件解决方案,旨在充分利用瑞
2025-06-25 19:01:36
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概述SL3038是一款高性能的国产降压芯片控制器,专为需要将高输入电压(如48V、60V、72V、90V、100V、120V等)降低至低输出电压(如5V、12V)的应用而设计。该芯片具备高电压输入
2025-06-20 16:47:13
3.7V)到高压直流母线(如工业 24V、48V 系统)场景,尤其适合 非隔离式大功率 LED 驱动(如无需变压器隔离的 LED 路灯、工矿灯)。
应用优势:
直接接入汽车电池(12V 系统波动
2025-06-04 14:14:37
SL3036芯片在60V至12V降压系统中的关键技术分析
一、芯片核心特性
SL3036是一款同步降压DC-DC转换器芯片,支持4.5V-60V宽电压输入范围,可输出2A连续电流。其采用PWM控制
2025-06-03 16:40:20
SIL3功能安全软件平台介绍 1.概述 本文基于瑞萨FUSA套件中的RX72N-RX72N参考板,介绍如何使用符合SIL3标准的功能安全平台软件PLSW软件,使开发者可快速上手瑞萨的功能安全
2025-05-27 16:23:36
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深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案:U8607/U8609+同步整流芯片U7613,推荐输出功率12V2A、12V3A,非标共板,方案成熟,性能可靠,可满足更高性能要求、更低成本需求!
2025-05-13 16:28:04
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/7.4V升12V/8.4V升9V高效升压芯片
在便携设备电源方案设计中,两节锂电池(7.4V-8.4V)升压至9V或12V的需求日益增多,而国产芯片SL4011凭借其卓越性能成为该领域的明星解决方案
2025-04-22 15:03:59
MAX 17557在DC24V-DC12V应用中,最大输出电流是多少?
2025-04-18 08:11:48
这款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换损耗 应用。 *附件:CSD17581Q3A 30V N 沟道
2025-04-16 11:25:34
775 
这款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET
2025-04-16 10:54:00
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这款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换中的损耗 应用。 *附件:CSD18543Q3A 60V N 沟道
2025-04-16 10:35:32
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这款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18512Q5B 40 V N 沟道 NexFET
2025-04-16 10:20:33
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这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07
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这款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 *附件:CSD18511KCS 40V N 沟道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11
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Conversion System,功率转换系统)的研发与性能评估过程中,模拟电压测试是不可或缺的环节,而三相 400V 变 690V/800V 升压测试变压器在其中扮演着关键角色。以下文章将深入剖析其工作原理
2025-04-10 15:14:50
1019 在电子设备电源管理中,SL4011 这款 DCDC 电源供电 IC 凭借出色性能脱颖而出。其 2.7V - 12V 的超宽输入电压范围,能轻松适配单节锂电池放电全程、两节锂电池串联电压,以及 USB
2025-04-09 16:08:08
大货车的电箱电池电量是24V,小轿车的电箱电池电量是12V,在车充中,就需要用到24V转5V给手机充电的芯片。还有是24V的适配器,稳压降压到更低电压,根据不同的应用,需要不同的电压和不同的电流。需要选择搭配的IC也会很多。
2025-04-02 09:25:50
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一般的产品用的都是直流电源,像手持产品多是5V电源,一些小设备也是5V,大一些的设备12V的稍多一些,车载电子产品有12V和24V两种电源。
2025-03-27 10:58:04
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电子发烧友网站提供《LT8818EFXT 12V共漏双通道N沟道MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-25 17:40:26
0 【北京迅为】itop-3568 开发板openharmony鸿蒙烧写及测试-第2章OpenHarmony v3.2-Beta4版本测试
2025-03-05 10:53:18
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大家介绍两款升压灯带芯片——H6911升压恒流芯片和H6801升压恒压芯片。
NO.1
恒压恒流灯带应用场景对比
场景
推荐方案
原因
家庭装饰、短距离DIY
恒压灯带(12V/24V)
成本低、安装
2025-02-21 09:48:22
,通过H6255L降压12V1A给受电设备供电,POE分离器的假协议可以通过HC5N10的MOS管搭建,实现检测功能。
综上所述,无论是交换机的48V转3.3V2A还是分离器的48V转12V1A的方案
2025-02-20 11:07:53
HRA 0.2~5W 系列模块电源是一种DC-DC升压变换器。该模块电源的输入电压分为:4.5~9V、9~18V、18~36V及36~72VDC标准(2:1)宽输入电压范围(宽电压输入模块电源是指
2025-02-13 10:17:28
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