选型手册：VSO013N10MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VSO013N10MS是一款面向 100V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOP8 封装，适配中压小型电源管理、负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时 11.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)时 12.5mΩ，中压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 12A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 7.5A，满足小型负载的电流需求；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：48A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时小电流冲击。

二、核心特性

• 低导通电阻 + 高效率：11.0~12.5mΩ 的阻性表现，搭配快速开关特性，提升中压电源能效；
• 小封装集成：SOP8 封装体积小，适配小型化电路板设计；
• 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	100	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	12	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 12；\(T=100^\circ\text{C}\): 7.5	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	48	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	81	mJ
最大功耗	\(P_D\)	1.7	W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：SOP8 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷；
• 典型应用：
  • 100V 级中压小型 DC/DC 转换器；
  • 消费电子、物联网设备的中压负载开关；
  • 小型中压电源管理模块。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）